存储器件和包括存储器件的存储系统技术方案

一种存储器件可以包括：地址锁存器电路，其锁存从存储器件的外部接收到的地址；修复信号发生电路，其产生软修复信号；选择信息发生电路，其利用由地址锁存器电路锁存的锁存地址中的第一比特来产生第一选择信息；第一寄存器电路至第N寄存器电路，其在软修复信号被激活时通过被第一选择信息选中来储存锁存地址中的第二比特作为修复数据；以及第一存储区块至第N存储区块，其使用储存在相应第一寄存器电路至第N寄存器电路中的修复数据来执行修复操作。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求2014年10月21日提交的申请号为10-2014-0142474的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术的示例性实施例涉及存储器件和包括存储器件的存储系统，且更具体地，涉及与修复相关的技术。
技术介绍
图1是用于解释在现有的存储器件(例如，DRAM)中的修复操作的图。存储器件可以包括多个存储体(memory bank)，在图1中示出存储体中的一个。参见图1，存储器件包括：存储器阵列110，其包括多个存储器单元；行电路120，其用于激活通过行地址R_ADD选中的字线；以及列电路130，其用于访问(读取或写入)通过列地址C_ADD选中的位线的数据。行熔丝电路140储存与存储器阵列110中的缺陷存储器单元相对应的行地址作为修复行地址REPAIR_R_ADD。行比较单元150将储存在行熔丝电路140中的修复行地址REPAIR_R_ADD与从存储器件的外部输入的行地址R_ADD进行比较。当修复行地址REPAIR_R_ADD与行地址R_ADD一致时，行比较单元150控制行电路120将冗余字线激活，而不将行地址R_ADD指定的字线激活。即，用冗余行(冗余字线)来替代与储存在行熔丝电路140中的修复行地址REPAIR_R_ADD相对应的行(字线)。在图1中，信号RACT表示如下的信号，其响应于用于将存储器阵列110中的字线激活的激活命令而被激活，以及响应于用于将字线去激活的预充电命令而被去激活。信号IRD表示读取命令，信号IWR表示写入命令。在现有的熔丝电路140中，通常使用激光熔丝。激光熔丝根据激光熔丝是否被切断来储存‘高’或‘低’数据。激光熔丝的编程在半导体的晶片状态中是可能的，但是在半导体晶片被安装在封装体中之后不可以对激光熔丝编程。此外，由于激光熔丝的节距长度减小的限制，不可能设计低于某一尺寸的激光熔丝。为了缓解这些问题，存储器件可以包括诸如在美国专利登记号6940751、6777757、6667902、7173851和7269047中公开的e熔丝阵列电路、NAND快闪存储器、NOR快
闪存储器、MRAM(磁阻随机存取存储器)、STT-MRAM(自旋转移力矩磁阻随机存取存储器)、ReRAM(阻变随机存取存储器)、或者PC RAM(相变随机存取存储器)的非易失性存储器，并且可以在非易失性存储器中储存修复数据(修复地址)。图2是图示用在存储器件中以储存修复数据的非易失性存储器电路的图。参见图2，存储器件包括：多个存储体BK0至BK3；寄存器210_0至210_3，其被提供至相应的存储体BK0至BK3以储存数据；以及非易失性存储器电路201。非易失性存储器电路201代替了图1中所示的行熔丝电路140。与全部的存储体BK0至BK3相对应的修复数据(即，修复地址)被储存在非易失性存储器电路201中。非易失性存储器电路201可以包括诸如e熔丝阵列电路、NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、MRAM(磁阻随机存取存储器)、STT-MRAM(自旋转移力矩磁阻随机存取存储器)、ReRAM(阻变随机存取存储器)、或者PC RAM(相变随机存取存储器)的非易失性存储器中的任意一种。寄存器210_0至210_3被提供至相应的存储体BK0至BK3，并且储存相应的存储体BK0至BK3的修复数据。寄存器210_0储存存储体BK0的修复数据，寄存器210_2储存存储体BK2的修复数据。寄存器210_0至210_3包括锁存器电路，并且可以仅当有电力供应时储存修复数据。从非易失性存储器电路201中接收要储存在寄存器210_0至210_3中的修复数据。将储存在非易失性存储器电路201中的修复数据传送至寄存器210_0至210_3、以及使用储存在寄存器210_0至210_3中的修复数据而不直接使用储存在非易失性存储器电路201中的修复数据的原因如下。由于非易失性存储器电路201具有阵列形式，所以其花费预定的时间来调用储存在其中的数据。即，不可能立即调用储存在非易失性存储器电路201中的数据，并且不可能通过直接使用所述数据来执行修复操作。因此，要执行将储存在非易失性存储器电路201中的修复数据传送至且储存在寄存器210_0至210_3中的启动操作，然后使用储存在寄存器210_0至210_3中的数据来执行修复操作。当用非易失性存储器电路201和寄存器210_0至210_3来替代包括激光熔丝的行熔丝电路140时，可以修复在晶片状态之后发现的额外缺陷。已经研究了通过访问非易失性存储器电路201来修复在制造存储器件之后(例如，存储器件被作为产品售出)发现的缺陷的技术。
技术实现思路
本专利技术的各种实施例针对用于永久地或者暂时地修复存储器件的各种技术。在一个实施例中，一种存储器件可以包括：地址锁存器电路，其适于锁存从存储器件的外部接收到的地址；修复信号发生电路，其适于产生软修复信号；选择信息发生电路，其适于利用由地址锁存器电路锁存的锁存地址中的第一比特来产生第一选择信息；第一寄存器电路至第N寄存器电路，其适于在软修复信号被激活时，通过被第一选择信息选中来储存锁存地址中的第二比特作为修复数据；以及第一存储区块至第N存储区块，其适于使用储存在相应的第一寄存器电路至第N寄存器电路中的修复数据来执行修复操作，其中，N是大于1的整数。修复信号发生电路还可以产生硬修复信号，并且存储器件还可以包括：非易失性存储器电路，其包括第一区至第N区，用于当硬修复信号被激活时，通过被锁存地址的第一比特选中来编程锁存地址中的第二比特；启动控制电路，其适于在启动操作中控制从非易失性存储器电路中顺序地读取数据，并且产生第二选择信息；选择信息选择单元，其适于在软修复信号被激活时将第一选择信息传送至第一寄存器电路至第N寄存器电路，以及在启动操作中将第二选择信息传送至第一寄存器电路至第N寄存器电路；以及数据选择单元，其适于在软修复信号被激活时，将锁存地址中的第二比特传送至第一寄存器电路至第N寄存器电路，以及在启动操作中将从非易失性存储器电路中读取的数据传送至第一寄存器电路至第N寄存器电路。在一个实施例中，一种用于操作存储器件的方法，所述存储器件包括第一存储区块至第N存储区块以及储存相应第一存储区块至第N存储区块的修复数据的第一寄存器电路至第N寄存器电路，所述方法可以包括：进入软修复模式；与激活命令一起接收表示存储区块中的缺陷存储器单元的地址，并且暂时地储存地址；响应于写入命令，通过检查一个或更多个数据焊盘的状态来确定是否执行软修复操作；以及当在确定步骤中确定出执行软修复操作时，将暂时储存的地址中的第二比特储存在第一寄存器电路至第N寄存器电路中的利用暂时储存的地址中的第一比特而选中的电路中作为修复数据，以及其中，N是大于1的整数。所述方法还可以包括：从软修复模式中退出。在一个实施例中，一种用于操作存储系统的方法，所述存储系统包括存储器件和存储器控制器，存储器件包括第一存储区块至第N存储区块和用于储存相应第一存储区块至第N存储区块的修复数据的第一寄存器电路至第N寄存器电路，存储器控制器控制存储器件，所述方法可以包括：通过存储器控制器来控制存储器件进入软修复模式；将表示存储区块的缺陷存储器单元的地址与激活命令一起从存储器控制器施加至存储本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器件，包括：地址锁存器电路，适于锁存从所述存储器件的外部接收到的地址；修复信号发生电路，适于产生软修复信号；选择信息发生电路，适于利用由所述地址锁存器电路锁存的锁存地址中的第一比特来产生第一选择信息；第一寄存器电路至第N寄存器电路，适于在所述软修复信号被激活时，通过被所述第一选择信息选中来储存所述锁存地址中的第二比特作为修复数据；以及第一存储区块至第N存储区块，适于使用储存在相应的第一寄存器电路至第N寄存器电路中的修复数据来执行修复操作，其中，N是大于1的整数。

【技术特征摘要】
2014.10.21 KR 10-2014-01424741.一种存储器件，包括：地址锁存器电路，适于锁存从所述存储器件的外部接收到的地址；修复信号发生电路，适于产生软修复信号；选择信息发生电路，适于利用由所述地址锁存器电路锁存的锁存地址中的第一比特来产生第一选择信息；第一寄存器电路至第N寄存器电路，适于在所述软修复信号被激活时，通过被所述第一选择信息选中来储存所述锁存地址中的第二比特作为修复数据；以及第一存储区块至第N存储区块，适于使用储存在相应的第一寄存器电路至第N寄存器电路中的修复数据来执行修复操作，其中，N是大于1的整数。2.如权利要求1所述的存储器件，其中，所述修复信号发生电路还产生硬修复信号，并且所述存储器件还包括：非易失性存储器电路，包括第一区至第N区，用于在所述硬修复信号被激活时，通过被所述锁存地址中的第一比特选中来编程所述锁存地址中的第二比特；启动控制电路，适于在启动操作中控制从所述非易失性存储器电路中顺序地读取数据，并且产生第二选择信息；选择信息选择单元，适于在所述软修复信号被激活时将所述第一选择信息传送至所述第一寄存器电路至所述第N寄存器电路，以及在所述启动操作中将所述第二选择信息传送至所述第一寄存器电路至所述第N寄存器电路；以及数据选择单元，适于在所述软修复信号被激活时将所述锁存地址中的第二比特传送至所述第一寄存器电路至所述第N寄存器电路，以及在所述启动操作中将从所述非易失性存储器电路中读取的数据传送至所述第一寄存器电路至所述第N寄存器电路。3.如权利要求2所述的存储器件，其中，所述地址锁存器电路在激活命令被施加时锁存所述地址。4.如权利要求2所述的存储器件，其中，所述地址包括存储体地址和正常地址，并且所述锁存地址中的第一比特与所述存储体地址相对应，以及所述锁存地址中的第二比特与所述正常地址相对应。5.如权利要求2所述的存储器件，其中，所述修复信号发生电路在所述存储器件进入软修复模式的状态中当所述存储器件被选中执行软修复操作时将所述软修复信号激

【专利技术属性】
技术研发人员：梁钟烈，刘正宅，朴嘉蓝，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR