存储器件制造技术

一种存储器件，包括：第一单元块，包括多个字线以及第一冗余字线到第K(K为自然数)冗余字线；第二单元块，包括多个字线以及第K+1冗余字线到第N(N是比K大的自然数)冗余字线；以及控制单元，适用于执行控制使得第一冗余字线到第N冗余字线取代第一单元块或第二单元块中的字线，适用于在第一时段中同时刷新第一单元块和第二单元块中的字线，以及适用于在第二时段中顺序地刷新第一冗余字线到第N冗余字线。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求于2015年3月6日提交的申请号为10-2015-0031658的韩国专利申请的优先权，其全部公开内容通过引用整体合并于此。
本专利技术的示例性实施例涉及存储器件。
技术介绍
存储单元是用于储存信息的最基本的单位，且可以每个存储单元储存一个或更多个位的数据。存储器件的集成已经增加到数千万存储单元被包括在单个存储器件中的地步。但即使一个存储单元具有缺陷，存储器件也可能不按要求操作。然而，抛弃这样的存储器件将有损产品成品率。提出了若干方法来处理存储器件中的缺陷存储单元。例如，存储器件可以包括除存储单元之外的额外单元(被称作冗余单元)。可以使用冗余单元取代缺陷存储单元来修复存储器件。对每行/每列执行这样的使用冗余单元的修复操作。即，对于每个单元块以行和列来布置存储单元和冗余单元。当在单元块中出现缺陷存储单元时，用冗余单元行/冗余单元列来取代包括缺陷存储单元的存储单元行/存储单元列。图1是图示用于存储器件的行修复操作的示图。参见图1，存储器件可以包括多个单元块110到140，每个单元块包括多个字线WL0到WL511和冗余字线RWL0到RWL7，以及与多个单元块110到140相对应的地址储存单元150到180。地址储存单元150到180可以包括与单元块110到140中的冗余字线相对应的熔丝组FS0到FS7。地址储存单元150到180可以储存单元块110到140中要被冗余字线取代的字线的地址。例如，如果要用单元块110中的冗余字线RWL0来取代单元块110中的字线WL0，则可以将单元块110中的字线WL0的地址储存在地址储存单元150的熔丝组FS0中。当激活操作被执行时，存储器件可以使用已经被储存在地址储存单元150的熔丝组FS0中的单元块110中的字线WL0的地址来激活单元块110中的冗余字线RWL0而非单元块110中的字线WL0。在图1的存储器件中，每个单元块中的冗余字线仅可以取代包括该冗余字线的对应的单元块中的字线而导致低效率。例如，当在单元块110中存在9个缺陷字线时，9个缺陷字线都不能被取代，因为在单元块110中使用了8个冗余字线RWL0到RWL7。相应地，即便在剩余的单元块120到140中不存在缺陷字线且单元块120到140中的剩余的24个冗余字线未被使用，存储器件仍被当作缺陷产品。
技术实现思路
各种实施例针对能够使用一个单元块中的冗余字线来修复另一个单元块中的字线的存储器件。而且，各种实施例针对存储器件，其中，通过仅当刷新了所有字线之后才刷新冗余字线来用一个单元块中的冗余字线取代另一个单元块中的字线，而防止了同时刷新每个单元块中的两个字线(尽管同时刷新多个单元块中的字线)。在一个实施例中，存储器件可以包括：第一单元块，包括多个字线以及第一冗余字线到第K(K为自然数)冗余字线；第二单元块，包括多个字线以及第K+1冗余字线到第N(N是比K大的自然数)冗余字线；以及控制单元，适用于控制第一冗余字线到第N冗余字线来取代第一单元块或第二单元块中的字线，适用于在第一时段中同时刷新第一单元块和第二单元块中的字线，以及适用于在第二时段中顺序地刷新第一冗余字线到第N冗余字线。在一个实施例中，存储器件可以包括：第一单元块，包括多个字线以及第一冗余字线到第K冗余字线，K为自然数；第二单元块，包括多个字线以及第K+1冗余字线到第N冗余字线，N为比K大的自然数；第一地址储存单元到第N地址储存单元，对应于第一冗余字线到第N冗余字线，且适用于储存第一单元块或第二单元块中的字线的地址；地址计数单元，适用于储存通过在刷新操作被执行时计数而产生的计数地址；以及字线控制单元，适用于在第一时段中刷新属于第一单元块和第二单元块且对应于计数地址的字线，以及适用于在第二时段中刷新属于第一冗余字线到第N冗余字线且对应于计数地址的冗余字线，其中，当在第一时段中计数地址与储存在地址储存单元中的地址中的一个或更多个地址相同时，字线控制单元跳过刷新与计数地址相对应的字线。在一个实施例中，存储器件可以包括：多个单元块，包括多个字线；多个冗余字线，适用于取代单元块中对应的字线；以及控制单元，适用于在第一时段中同时刷新单元块中除了被冗余字线取代的字线之外的字线，以及在第二时段中顺序地刷新冗余字线。附图说明图1是图示用于存储器件的行修复操作的示图。图2是图示对包括多个单元块的存储器件的刷新操作的示图。图3是图示根据本专利技术的一个实施例的存储器件的配置图。图4A和图4B是图示对图3中的存储器件的操作的示图。图5是图示图3中的控制单元340的配置图。图6是图示图5中的字线控制单元540的配置图。图7是图示根据本专利技术的一个实施例的存储器件的配置图。图8A和图8B是图示对图7中的存储器件的操作的示图。图9是图示图7中的控制单元740的配置图。图10是图示图9中的字线控制单元940的配置图。具体实施方式下面将参照附图来更详细地描述各种实施例。然而，本专利技术可以以不同的形式来实现而不应当被解释为局限于本文中陈述的实施例。相反地，这些实施例被提供使得本公开将彻底且完整，且这些实施例将把本专利技术的范围充分地传达给本领域技术人员。贯穿本公开中，相同的附图标记指代贯穿本专利技术的各种附图和实施例中的相似部分。图2是图示对包括多个单元块的存储器件的刷新操作的示图。参见图2，存储器件可以包括多个单元块210到240以及地址计数单元250。多个单元块210到240可以包括字线WL0到WL511以及冗余字线RWL0到RWL15。在图2的存储器件中，包括在单元块210到240的每个单元块中的冗余字线RWL0到RWL15也可以修复包括在另一个单元块中的字线。当执行刷新操作时，图2中的存储器件可以同时刷新多个单元块210到240。更具体地，每当刷新脉冲REFP被激活时，存储器件可以刷新各个单元块210到240中的字线。存储器件可以使用由地址计数单元250产生的计数地址CA来选择各个单元块210到240中要被刷新的字线。每当刷新脉冲REFP被施加时，地址计数单元250可以改变计数地址CA的值。当执行刷新操作时，图2中的存储器件可以使用计数地址CA来顺序地选择单元块210到240中的每个单元块中的字线WL0到字线WL511。如果被选字线已经被冗余字线取代，则存储器件可以刷新冗余字线而非被选字线。在这个示例中，单元块210中的字线WL0已经被单元块230中的冗余字线RWL0
取代。当刷新脉冲REFP被激活时，各个单元块210到240中的与计数地址CA相对应的字线被刷新。例如，如果计数地址CA对应于字线WL0，则各个单元块220到240中的字线WL0被刷新(REFRESH)。由于单元块210中的字线WL0已经被单元块230中的冗余字线RWL0取代，故单元块230中的冗余字线RWL0而非单元块210中的字线WL0被刷新(REFRESH_RWL)。当同时刷新单个单元块230中的两个字线WL0和RWL0时，连接到被刷新字线的存储单元中的数据冲突。相应地，为了使用一个单元块中的冗余字线来修复另一个单元块中的字线，在执行刷新操作时要防止这样的数据冲突。在图3到图6的示例中，存储器件包括两个单元块，而单元块中的每个包括512个字线和8个冗余字线。可以根据存储器件的电路设计而本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器件，包括：第一单元块，包括多个字线以及第一冗余字线到第K冗余字线，K为自然数；第二单元块，包括多个字线以及第K+1冗余字线到第N冗余字线，N为比K大的自然数；以及控制单元，适用于控制第一冗余字线到第N冗余字线来取代第一单元块或第二单元块中的字线，适用于在第一时段中同时刷新第一单元块和第二单元块中的字线，以及适用于在第二时段中顺序地刷新第一冗余字线到第N冗余字线。

【技术特征摘要】
2015.03.06 KR 10-2015-00316581.一种存储器件，包括：第一单元块，包括多个字线以及第一冗余字线到第K冗余字线，K为自然数；第二单元块，包括多个字线以及第K+1冗余字线到第N冗余字线，N为比K大的自然数；以及控制单元，适用于控制第一冗余字线到第N冗余字线来取代第一单元块或第二单元块中的字线，适用于在第一时段中同时刷新第一单元块和第二单元块中的字线，以及适用于在第二时段中顺序地刷新第一冗余字线到第N冗余字线。2.如权利要求1所述的存储器件，其中，控制单元在第一时段中刷新第一单元块和第二单元块中的字线而跳过被冗余字线取代的字线。3.如权利要求1所述的存储器件，其中，控制单元在第一时段中刷新第一单元块和第二单元块中的字线而不刷新第一冗余字线到第N冗余字线。4.如权利要求1所述的存储器件，其中，控制单元在第一时段中顺序地逐个刷新第一单元块的字线和第二单元块的字线。5.如权利要求1所述的存储器件，其中，控制单元包括：地址计数单元，适用于在刷新操作被执行时通过计数来产生计数地址，其中，控制单元在第一时段中使用计数地址来选择第一单元块和第二单元块中的字线，以及在第二时段中使用计数地址来选择第一冗余字线到第N冗余字线。6.如权利要求1所述的存储器件，其中，控制单元在第二时段中顺序地刷新第一冗余字线到第N冗余字线而跳过第一冗余字线到第N冗余...

【专利技术属性】
技术研发人员：权奇昌，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR