光感测阵列的光感测单元的制造方法及其结构技术

一种光感测阵列的光感测单元的制造方法，包括提供基板，基板上具有至少一单元区域。在基板上的单元区域内形成主动元件。在基板上的单元区域内形成第一电极层，所述第一电极层与主动元件电性连接。在主动元件上形成保护层。在保护层上形成遮蔽层，以遮蔽主动元件。于形成遮蔽层之后，在单元区域内的保护层上形成光感测层，以及，于光感测层上形成第二电极层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种感测单元的制造方法，且特别是有关于一种光感测阵列的光感测单元的制造方法及其结构。
技术介绍
光感测单元是一种普遍用于手机、平板计算机、笔记型计算机或医疗诊断辅助工具等电子装置的光感元件。传统上，光感测单元的制造流程是在形成氧化物半导体层后，再形成对应的光感测单元。然而，在进行光感测单元的沉积步骤时，会因为氢离子的产生而对氧化物半导体元件造成电性不稳定或电性退化的现象。基于氢离子对于氧化物半导体层的电性影响，现有的光感测单元的制造流程会衍生良率下降的问题并且造成制造成本的增加。另外，现有的氧化物半导体元件亦容易受到水气的影响，造成半导体元件的电性不稳定。因此，如何改善光感测单元的制造流程及半导体元件的结构避免氢离子及水气所带来的影响为目前极须克服的一个重要课题。
技术实现思路
本专利技术提供一种光感测阵列的光感测单元的制造方法及其结构，可用以解决氢离子以及水气所带来的电性影响问题。本专利技术的光感测阵列的光感测单元的制造方法，包括提供基板，基板上具有至少一单元区域。在基板上的单元区域内形成主动元件。在基板上的单元区域内形成第一电极层，所述第一电极层与主动元件电性连接。在主动元件上形成保护层。在保护层上形成遮蔽层，以遮蔽主动元件。于形成遮蔽层之后，在单元区域内的保护层上形成光感测层，以及，于光感测层上形成第二电极层。其中，更包括于该主动元件的周围形成一阻隔墙。其中，该主动元件的形成方法包括：在该基板上形成一栅极；在该栅极上形成一绝缘层；在该绝缘层上形成一半导体层；在该半导体层上形成一蚀刻终止层；以及在该蚀刻终止层上形成一源极以及一漏极，该源极以及该漏极与该半导体层接触，其中于该绝缘层以及该蚀刻终止层内形成该阻隔墙，该阻隔墙包括一第一阻隔墙，且该第一阻隔墙围绕该主动元件。其中，更包括于该保护层内形成该阻隔墙，该阻隔墙包括一第二阻隔墙，该第二阻隔墙围绕该主动元件。其中，该第一电极层位于该保护层的下方，且该第一电极层与该源极以及漏极同时形成。其中，该遮蔽层遮蔽该主动元件且遮蔽整个该单元区域。其中，叠层该光感测层于该主动元件上。其中，更包括于该保护层上形成一平坦层，且该遮蔽层位于该平坦层上。其中，该第一电极层位于该平坦层上，且该第一电极层与该遮蔽层同时形成。本专利技术另提供一种光感测阵列的光感测单元，包括基板、主动元件、第一电极层、保护层、遮蔽层、光感测层以及第二电极层。所述基板包括至少一单元区域。主动元件位于基板的单元区域内。第一电极层位于单元区域内且与主动元件电性连接。保护层覆盖主动元件以及第一电极层。遮蔽层位于保护层上，其中遮蔽层遮蔽主动元件且遮蔽整个单元区域。光感测层位于保护层上且与第一电极层电性连接。第二电极层位于光感测层上。其中，更包括一阻隔墙，围绕该主动元件。其中，该主动元件包括：一栅极，位于该基板上；一绝缘层，位于该栅极上；一半导体层，位于该绝缘层上；一蚀刻终止层，位于该半导体层上；以及一源极以及一漏极位于该蚀刻终止层上，该源极以及该漏极与该半导体层接触。其中，该第一阻隔墙位于该蚀刻终止层以及该保护层中，且该第一阻隔墙为金属材料。其中，该第一电极层位于该保护层的下方，且该第一电极层与该源极以及该漏极属于同一膜层。其中，该阻隔墙包括一第一阻隔墙，该第一阻隔墙位于该绝缘层以及该蚀刻终止层内，且该第一阻隔墙围绕该主动元件。其中，该第一阻隔墙与该第一电极层属于同一膜层。其中，该阻隔墙包括一第二阻隔墙，该第二阻隔墙位于该保护层内，且该第二阻隔墙围绕该主动元件。其中，该第二阻隔墙与该遮蔽层属于同一膜层。其中，更包括一平坦层，位于该保护层上，且该遮蔽层位于该平坦层上。其中，该第一电极层位于该平坦层上，且该第一电极层与该遮蔽层属于同一膜层。其中，该遮蔽层遮蔽整个该单元区域。其中，叠层该光感测层于该主动元件上。基于上述，本专利技术的制造方法所形成的光感测阵列的光感测单元包括了第一电极层、遮蔽层以及阻隔墙的结构。因此，在后续步骤形成光感测层时，所述结构可用以阻挡氢离子或是水气的扩散行为，避免造成对半导体元件的电性影响。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。附图说明图1是依照本专利技术一实施例的光感测阵列示意图。图2A至图2F为本专利技术一实施例的光感测单元的制造流程的上视示意图。图3A至图3G为本专利技术一实施例的光感测单元的制造流程的剖面示意图。图4为本专利技术另一实施例的光感测单元示意图。图5为本专利技术另一实施例的光感测单元示意图。图6为本专利技术另一实施例的光感测单元示意图。图7为本专利技术另一实施例的光感测单元示意图。图8为本专利技术另一实施例的光感测单元示意图。图9A为本专利技术另一实施例的光感测单元的半导体元件的上视示意图。图9B为图9A延剖线A-A’的剖面示意图。图9C为图9A延剖线B-B’的剖面示意图。图10A为现有的半导体元件的IV曲线图。图10B为本专利技术一实施例的光感测单元的半导体元件的IV曲线图。图10C为本专利技术一比较例的光感测单元的半导体元件的IV曲线图。其中，附图标记：DL：数据线GL：栅极线TFT：主动元件PS：光感测层R：单元区域Sub：基板G：栅极GI：绝缘层AL：半导体层ES：蚀刻终止层V1、V2、OP：开口T1：第一沟渠T2：第二沟渠S：源极D：漏极M1、M’1：第一电极层M2：第二电极层BW0:阻隔墙BW1、BW’1：第一阻隔墙BW2、BW’2：第二阻隔墙PL1：第一保护层PL2：第二保护层PL3：第三保护层SD：遮蔽层PN、PLN：平坦层CH：接触孔具体实施方式图1是依照本专利技术一实施例的光感测阵列示意图。在本实施例中，光感测阵列包括多个光感测单元。每一光感测单元位于多条数据线DL以及多条栅极线GL所定义的区域(亦即单元区域R)内。基于导电性的考虑，栅极线GL与数据线DL一般是使用金属材料。然，本专利技术不限于此，根据其它实施例，栅极线GL与数据线DL也可以使用其它导电材料。例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或其它合适的材料、或是金属材料与其它导材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光感测阵列的光感测单元的制造方法，其特征在于，包括：提供一基板，该基板上具有至少一单元区域；在该基板上的该单元区域内形成一主动元件；在该基板上的该单元区域内形成一第一电极层，该第一电极层与该主动元件电性连接；在该主动元件上形成一保护层；在该保护层上形成一遮蔽层，以遮蔽该主动元件；于形成该遮蔽层之后，在该单元区域内的该保护层上形成一光感测层；以及于该光感测层上形成一第二电极层。

【技术特征摘要】
2015.12.01 TW 1041400411.一种光感测阵列的光感测单元的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基板，该基板上具有至少一单元区域；
在该基板上的该单元区域内形成一主动元件；
在该基板上的该单元区域内形成一第一电极层，该第一电极层与该主动元
件电性连接；
在该主动元件上形成一保护层；
在该保护层上形成一遮蔽层，以遮蔽该主动元件；
于形成该遮蔽层之后，在该单元区域内的该保护层上形成一光感测层；以
及
于该光感测层上形成一第二电极层。
2.根据权利要求1所述的光感测阵列的光感测单元的制造方法，其特征
在于，更包括于该主动元件的周围形成一阻隔墙。
3.根据权利要求2所述的光感测阵列的光感测单元的制造方法，其特征
在于，该主动元件的形成方法包括：
在该基板上形成一栅极；
在该栅极上形成一绝缘层；
在该绝缘层上形成一半导体层；
在该半导体层上形成一蚀刻终止层；以及
在该蚀刻终止层上形成一源极以及一漏极，该源极以及该漏极与该半导体
层接触，其中于该绝缘层以及该蚀刻终止层内形成该阻隔墙，该阻隔墙包括一
第一阻隔墙，且该第一阻隔墙围绕该主动元件。
4.根据权利要求3所述的光感测阵列的光感测单元的制造方法，其特征
在于，更包括于该保护层内形成该阻隔墙，该阻隔墙包括一第二阻隔墙，该第
二阻隔墙围绕该主动元件。
5.根据权利要求1所述的光感测阵列的光感测单元的制造方法，其特征
在于，该第一电极层位于该保护层的下方，且该第一电极层与该源极以及漏极
同时形成。
6.根据权利要求1所述的光感测阵列的光感测单元的制造方法，其特征

\t在于，该遮蔽层遮蔽该主动元件且遮蔽整个该单元区域。
7.根据权利要求6所述的光感测阵列的光感测单元的制造方法，其特征
在于，叠层该光感测层于该主动元件上。
8.根据权利要求1所述的光感测阵列的光感测单元的制造方法，其特征
在于，更包括于该保护层上形成一平坦层，且该遮蔽层位于该平坦层上。
9.根据权利要求8所述的光感测阵列的光感测单元的制造方法，其特征
在于，该第一电极层位于该平坦层上，且该第一电极层与该遮蔽层同时形成。
10.一种光感测阵列的光感测单元，其特征在于，包括：
一基板，包括至少一单元区域；
一主动元件，位于该基板的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈盈宪，孙硕阳，郑造时，黄婉真，徐文斌，郑君丞，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71