一种新型二极管半导体专用清洗液制造技术

本发明专利技术涉及一种新型二极管半导体专用清洗液，包括以下重量份的组分：季铵氢氧化物2～4份；聚丙烯酸类缓蚀液4～14份；烷基二醇芳基醚6～8份；表面活性剂2～6份；烷基苄基二甲基氯化铵9～11份；增效剂9～11份；乙醇9～11份；去离子水37～57份。本发明专利技术的优点在于：本发明专利技术的新型二极管半导体专用清洗液中合理配置各有效组分以及溶剂的用量，在室温下就能够快速、彻底的降低清洗液本身的表面张力，使得清洗液具有水溶性好，渗透力强的特点；选用的各配方成分均不污染环境，没有危险性，不会破坏大气层，清洗后的废液便于处理排放，保证环保。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体工业
，特别涉及一种新型二极管半导体专用清洗液。
技术介绍
二极管是现代微电子行业发展的基础，早在上世纪二极管制作工艺就已经非常成熟并大量应用于电子行业的各个领域，随着电子微电子产业的迅速发展，二极管等分立器件已经成为微电子企业中利润较低，技术含量较低的行业，为了保证一定的利润，在二极管行业中使用大量对人体有害的物质作为清洗二极管表面的清洗液，如何在保证效果的情况下研制低成本、无污染的新型清洗液就成了刻不容缓的要求。迄今为止，各种清洗方式中，以化学清洗居多，即使用化学清洗剂以某一设定的清洗流程，对电子元件，尤其是二极管进行清洗；因而，中国专利号为201410650324.X提出了一种二极管专用清洗液，其包括以下成分的重量百分比：季铵氢氧化物1～3%，醋酸/醋酸钠缓冲水溶液2～6%，柠檬酸/柠檬酸盐缓冲水溶液2～6%，烷基二醇芳基醚5～8%，表面活性剂3～5%，烷基苄基二甲基氯化铵8～10%，增效剂8～10%，乙醇8～10%，去离子水余量；合理配置各有效组分以及溶剂的用量，在室温下就能够快速、彻底的降低清洗液本身的表面张力，使得清洗液具有水溶性好，渗透力强的特点，且不污染环境；但是其不能有效降低对晶片及基材的腐蚀，进而会影响产品的质量。因此，研发一种在室温下就能够快速、彻底的降低清洗液本身的表面张力且能够降低对晶片及基材的腐蚀的新型二极管半导体专用清洗液是非常有必要的。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种在室温下就能够快速、彻底的降低清洗液本身的表面张力且能够有限降低对晶片及基材的腐蚀的新型二极管半导体专用清洗液。为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案为：一种新型二极管半导体专用清洗液，其创新点在于：包括以下重量份的组分：季铵氢氧化物2～4份；聚丙烯酸类缓蚀液4～14份；烷基二醇芳基醚6～8份；表面活性剂2～6份；烷基苄基二甲基氯化铵9～11份；增效剂9～11份；乙醇9～11份；去离子水37～57份。进一步地，所述聚丙烯酸类缓蚀液为选自丙烯酸聚合物及其共聚物、甲基丙烯酸聚合物及其共聚物、丙烯酸聚合物的醇胺盐以及甲基丙烯酸聚合物的醇胺盐中的一种。进一步地，所述表面活性剂为醇醚和酚醚表面活性剂的混合物，所述醇醚与酚醚的质量比为1～2:1～4。进一步地，所述增效剂为含有CU2+的混合液，所述混合液为胺皂和酰胺的混合物，其中胺皂和酰胺的混合比例为2～3:7～8。本专利技术的优点在于：（1）本专利技术的新型二极管半导体专用清洗液中合理配置各有效组分以及溶剂的用量，在室温下就能够快速、彻底的降低清洗液本身的表面张力，使得清洗液具有水溶性好，渗透力强的特点；（2）本专利技术的新型二极管半导体专用清洗液，选用聚丙烯酸类缓蚀液和醇醚和酚醚表面活性剂的混合物，且确定了合理的配比，能够有效阻止卤素原子、氢氧根离子等对晶片图形和基材的攻击，降低对晶片图形和铜金属，以及二氧化硅等非金属基材的腐蚀，进而有效降低对晶片及基材的腐蚀，从而提高产品的质量；（3）本专利技术的新型二极管半导体专用清洗液，为含有CU2+的增效剂，对金属的腐蚀表现出良好的抑制作用，并且能够在基材表面形成一层保护膜；（4）本专利技术的新型二极管半导体专用清洗液，选用的各配方成分均不污染环境，没有危险性，不会破坏大气层，清洗后的废液便于处理排放，保证环保。具体实施方式下面的实施例可以使本专业的技术人员更全面地理解本专利技术，但并不因此将本专利技术限制在所述的实施例范围之中。实施例1本实施例新型二极管半导体专用清洗液，包括以下重量份的组分：季铵氢氧化物2份；甲基丙烯酸聚合物及其共聚物4份；烷基二醇芳基醚6份；醇醚和酚醚表面活性剂2份；烷基苄基二甲基氯化铵9份；含CU2+增效剂9份；乙醇9份；去离子水57份。实施例2本实施例新型二极管半导体专用清洗液，包括以下重量份的组分：季铵氢氧化物4份；丙烯酸聚合物及其共聚物14份；烷基二醇芳基醚8份；醇醚和酚醚表面活性剂6份；烷基苄基二甲基氯化铵11份；含CU2+增效剂11份；乙醇11份；去离子水37份。实施例3本实施例新型二极管半导体专用清洗液，包括以下重量份的组分：季铵氢氧化物3份；甲基丙烯酸聚合物的醇胺盐9份；烷基二醇芳基醚7份；醇醚和酚醚表面活性剂4份；烷基苄基二甲基氯化铵10份；含CU2+增效剂10份；乙醇10份；去离子水47份。下表是实施例1～3的清洗液用于试验的检测结果：指纹灰尘脱模剂废液金属膜实施例1良好良好良好良好实施例2良好良好良好良好实施例3优秀优秀优秀优秀上表中良好表示异物的残留面积不超过试片面积的3%，优秀表示异物的残留面积不超过试片面积的1%，因而实施例3各组分的配比为最佳配比。以上显示和描述了本专利技术的基本原理和主要特征以及本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下，本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内。本专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型二极管半导体专用清洗液，其特征在于：包括以下重量份的组分：季铵氢氧化物  2～4份；聚丙烯酸类缓蚀液  4～14份；烷基二醇芳基醚  6～8份；表面活性剂  2～6份；烷基苄基二甲基氯化铵  9～11份；增效剂  9～11份；乙醇  9～11份；去离子水  37～57份。

【技术特征摘要】
1.一种新型二极管半导体专用清洗液，其特征在于：包括以下重量份的组分：
季铵氢氧化物2～4份；
聚丙烯酸类缓蚀液4～14份；
烷基二醇芳基醚6～8份；
表面活性剂2～6份；
烷基苄基二甲基氯化铵9～11份；
增效剂9～11份；
乙醇9～11份；
去离子水37～57份。
2.根据权利要求1所述的新型二极管半导体专用清洗液，其特征在于：所述聚丙烯酸类缓蚀液为选自丙烯酸聚合物及其共聚物、...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄丽凤，
申请(专利权)人：如皋市大昌电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32