图像传感器制造技术

本实用新型专利技术涉及图像传感器。一种图像传感器包括：半导体层；安置在半导体层的背侧上的绝缘层的堆叠；沿着堆叠的高度的一部分延伸并且与堆叠的暴露的表面齐平的导电层部分、从半导体层的前侧穿过其延伸并且穿透到所述层部分中的侧面绝缘的导电指、将像素区域分离的侧面绝缘的导电壁，这些壁从半导体层的前侧穿过其延伸并且具有比指低的高度以及安置在半导体层的前侧上并且包括与指接触的过孔的互连结构。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种图像传感器，其特征在于，包括：半导体层(1)；绝缘层(51、53、55)的堆叠(3)，安置在所述半导体层的背侧(F1)上；导电层部分(59)，沿着所述堆叠(3)的高度的一部分延伸并且与所述堆叠的暴露的表面齐平；侧面绝缘的导电指(57)，从所述半导体层(1)的前侧(F2)穿过所述半导体层(1)延伸并且穿透到所述层部分(59)中；侧面绝缘的导电壁(25)，将像素区域分离，这些壁从所述半导体层(1)的前侧(F2)穿过所述半导体层(1)延伸并且具有低于所述指(57)的高度；以及互连结构(5)，安置在所述半导体层(1)的前侧(F2)上并且包括与所述指(57)接触的过孔(13)。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：N·阿米德，M·马蒂，
申请(专利权)人：意法半导体有限公司，意法半导体克洛尔二公司，
类型：新型
国别省市：法国;FR