半导体晶片保护用膜及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供半导体晶片保护用膜，其具有基材层(A)和形成于上述基材层(A)上的粘着层(C)，上述基材层(A)包含聚合物，上述聚合物利用van Krevelen法求出的溶解参数为9以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
在使用半导体晶片的半导体装置的制造方法中，支撑体介由粘接层与半导体电路 面接合，并以半导体电路面受到保护的状态从另一面研磨半导体晶片。然后，在半导体晶片 被研磨的面，贴附切割胶带，去除支撑体，进行切割。 在研磨时，作为保护半导体电路面的方法，有时使用保护胶带来代替支撑体，尤其 对于包括在半导体晶片的上下方向形成电连接部即被称为贯通电极的工序的半导体晶片 的情况下，由于半导体晶片薄且工序中包括加热工序，因此，通常将耐热性、半导体晶片的 支撑性更优异的支撑体与具有耐热性的粘接层一起使用。 作为去除这样的支撑体的方法，有如下方法：一边加热一边使支撑体与半导体晶 片沿水平相反的方向滑动的方法；将半导体晶片或支撑体中的一方固定并将另一方赋予角 度而提拉的方法；将粘接层用溶剂溶解的方法等（专利文献1)。 作为利用将粘接层用溶剂溶解的方法的技术，例如，有专利文献2所记载的技术。 专利文献2中记载了，使用预先形成了贯通孔和沟的支撑板，介由粘接剂层与半 导体晶片粘合而薄板化后，贴附切割胶带。然后，利用支撑板的贯通孔和沟供给溶剂而溶解 粘接剂层，从而将支撑板与半导体晶片剥离。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特开2012-144616号公报 专利文献2 :日本特开2007-158124号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题 然而，专利文献2所记载的技术没有关注切割胶带对于溶解粘接剂层时所使用的 溶剂的耐性。因此，会因溶剂而产生切割胶带的粘接性、扩展性、形状追随性等特性降低等 问题。 本专利技术是鉴于上述情况而完成的专利技术，其涉及使用表面平滑的半导体晶片时的耐 溶剂性良好的半导体晶片保护用膜和使用其的半导体装置的制造方法。 用于解决课题的方法 本专利技术人首次关注并深入研究了在这样的半导体装置的制造工序，尤其在切割工 序中所使用的半导体晶片保护用膜的耐溶剂性，其结果发现了以下的新见解：基材层所包 含的聚合物的利用van Krevelen (范克雷维伦）法求出的溶解度参数成为良好指标。 即，本专利技术提供一种半导体晶片保护用膜，其具有： 基材层㈧以及形成于上述基材层㈧上的粘着层（0， 上述基材层（A)包含聚合物，上述聚合物利用van Krevelen法求得的溶解参数为 9以上。 此外，本专利技术提供一种半导体装置的制造方法，其包括： 上述半导体晶片保护用膜介由其粘着层（C)贴附于半导体晶片的第一工序；以及 将上述半导体晶片与上述半导体晶片保护用膜一起利用溶剂洗涤的第二工序。 专利技术效果 根据本专利技术，可提供在使用表面平滑的半导体晶片时的耐溶剂性良好的半导体晶 片保护用膜及使用其的半导体装置的制造方法。【附图说明】 上述目的以及其他目的、特征和优点可通过下述的优选实施方式及其所附带的以 下附图而进一步清晰。 图1是示意性表示实施方式涉及的半导体晶片保护用膜的一例的截面图。 图2是示意性表示实施方式涉及的半导体装置的制造方法的一例的工序截面图。 图3是示意性表示实施方式涉及的半导体装置的制造方法的一例的工序截面图。 图4(a)是示意性表示本专利技术中的半导体晶片保护用膜的试验方法的平面图、以 及（b)是其截面图。 图5是示意性表示本专利技术中的半导体晶片保护用膜的试验方法的截面图。【具体实施方式】 以下，对于本专利技术的实施方式使用附图进行说明。予以说明的是，在所有的附图 中，对于相同的构成要素赋予相同的符号，并适当省略说明。 (半导体晶片保护用膜） 如图1所示，半导体晶片保护用膜10依次叠层有基材层1、吸收层2、粘着层3。 (基材层1) 作为基材层1，使用将合成树脂成型加工为膜状的材料。基材层1可以为单层体， 也可以为二层以上的叠层体。此外，基材层1可以为将热塑性树脂成型加工而成的材料，也 可以为将热固性树脂制膜后，固化而成的材料。 关于基材层1，基材层所含的聚合物的利用van Krevelen法求得的溶解度参数 (以下也表示为"SP值"）为9以上。通过将SP值设为9以上，能够使其与半导体装置的 制造工序中使用的溶剂（通常为有机溶剂）的亲和性降低，能够一定程度防止因溶剂与基 材层1接触而导致基材层1发生膨胀等变形。由此，能够有效地抑制溶剂进入基材层1和 与基材层1接触的层间，具体而言，基材层1和粘着层3之间、基材层1和吸收层2之间等。 其结果是能够使半导体晶片保护用膜10的耐溶剂性变得良好。 此外，优选基材层1在25°C、频率IHz时的拉伸弹性模量Ea为0.1 GPa以上。通过 将拉伸弹性模量Ea设为一定以上，从而能够进一步抑制基材层1的变形。通过组合这些参 数，能够使耐溶剂性变得更加良好。 关于以往公知的、可在切割工序等中使用的具有扩展性的半导体晶片保护用膜， 它们没有像本专利技术一样考虑也用于需要耐溶剂性的工序，因此基材层中使用了耐溶剂性低 的物质，具体而言，使用了 SP值小于9的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物（以下，也称为EVA)、聚 乙烯等。与此相对，本专利技术的半导体晶片保护用膜10通过将基材层1所包含的聚合物的SP 值设为9以上，因而能够抑制溶剂的进入，使耐溶剂性变得良好。 基材层1在25°C、频率IHz时的拉伸弹性模量Ea优选为0. 05GPa以上，更优选为 0.1 GPa以上。由此，能够进一步维持半导体晶片保护用膜10的强度。另一方面，从能够维 持耐溶剂，并且使半导体晶片保护用膜10的形状追随性变得良好的观点考虑，拉伸弹性模 量Ea优选为5GPa以下，更优选为IGPa以下。 基材层1进一步优选为仅由SP值为9以上的聚合物构成。由此，能够使耐溶剂性 变得更加良好。 作为基材层1中使用的原料聚合物，例如，可以举出乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙 烯-丙烯酸酯-马来酸酐共聚物、乙烯-甲基丙烯酸缩水甘油酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸 共聚物、离子交联聚合物树脂、乙烯-丙烯共聚物、丁二烯系弹性体、苯乙烯-异戊二烯系弹 性体等热塑性弹性体、聚苯乙烯系树脂、聚氯乙烯树脂、聚偏氯乙烯系树脂、聚酰胺系树脂、 聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚酰亚胺、 聚醚醚酮、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、丙烯酸系树脂、氟系树脂、纤维素系树脂等。其中，更优 选为聚对苯二甲酸丁二醇酯。 基材层1中使用的上述聚合物优选包含赋予扩展性的成分作为共聚物成分。由 此，能够维持耐溶剂性，并且得到良好的扩展性。此外，相对于以往公知的具有扩展性的半 导体晶片保护用膜，通过包含赋予扩展性的成分，能够得到可兼顾耐溶剂性和扩展性的新 的膜。 作为赋予扩展性的成分，例如，可以举出间苯二甲酸、邻苯二甲酸、2, 6-萘二甲 酸、5-间苯二甲酸磺酸钠、草酸、琥珀酸、己二酸、癸二酸、壬二酸、十二烷二酸、二聚酸、马 来酸酐、马来酸、富马酸、衣康酸、柠康酸、中康酸、环己烷二甲酸等二羧酸；4-羟基苯甲酸、 ε-己内酯、乳酸等羟基羧酸。此外，优选包含二醇，例如，可以举出1，3-丙二醇、1，4-丁二 醇、新戊二醇、1，6-己二醇、环己烷二甲醇、三乙二醇、聚乙二醇、聚丙二醇、聚丁二醇、双酚 Α、双酚S的环氧乙烷加成物等二醇等，从与聚合物的相容性的观点考虑，更优选为聚丁二 醇。它们可以使用1种或将2种以上混合而使用。 赋予扩展性的成分单体的熔点优选为4本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体晶片保护用膜，其具有基材层(A)以及形成于所述基材层(A)上的粘着层(C)，所述基材层(A)包含聚合物，所述聚合物利用van Krevelen法求出的溶解参数为9以上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：森本哲光，片冈真，福本英树，
申请(专利权)人：三井化学东赛璐株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP