本实用新型专利技术公开了一种功率MOSFET器件静电保护结构，所述静电保护结构位于栅极打线区域下方空旷区域。若所述功率MOSFET器件是NMOS管，所述静电保护结构依次包括P型注入区、N型注入区和静电保护结构引出接触孔。若所述功率MOSFET器件是PMOS管，所述静电保护结构依次包括N型注入区、P型注入区和静电保护结构引出接触孔。本实用新型专利技术在增加静电保护结构的同时，不会对圆胞区产生任何的影响，在相同面积尺寸下，加入了静电保护结构后，产品的其他特性均不会发生改变。实现了功率MOSFET器件的抗静电保护能力的同时对芯片整体的面积，圆胞区域等均未有任何影响。
【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体
，特别涉及一种功率MOSFET器件静电保护结构。
技术介绍
对于功率MOSFET器件静电保护结构的设计，现有技术普遍采用的是在芯片周围一圈或者两侧的区域，通过放大源极金属和栅极引出金属之间的间距，腾出一个空间出来在源极金属和栅极引出金属之间放置静电保护结构来实现整个功率MOSFET器件的抗静电能力。这种设计无形的增大了源极金属和栅极金属之间的间隙，增大了圆胞区以外区域的面积，相当于有效圆胞面积占整个芯片的面积比重将会下降。这样就会导致在相同面积尺寸下，如果加入静电保护结构，势必要缩小圆胞区域的面积，从而导致产品最终的导通电阻、电流能力等下降。如图1和图2所示。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种功率MOSFET器件静电保护结构，以解决现有的静电保护结构会导致功率MOSFET器件导通电阻和电流能力下降的问题。本技术的技术方案是，一种功率MOSFET器件静电保护结构，所述静电保护结构位于栅极打线区域下方空旷区域，将该区域有效的利用起来。进一步的，所述功率MOSFET器件是NMOS管，所述静电保护结构依次包括P型注入区、N型注入区和静电保护结构引出接触孔。进一步的，所述功率MOSFET器件是PMOS管，所述静电保护结构依次包括N型注入区、P型注入区和静电保护结构引出接触孔。本技术提出一种在栅极打线区域设置静电保护结构的设计，这种做法最大的优点是增加了静电保护结构的同时，不会对圆胞区产生任何的影响，不会浪费芯片面积。在相同面积尺寸下，加入了静电保护结构后，产品的其他特性，比如导通电阻，电流能力均不会发生改变。实现了功率MOSFET器件的抗静电保护的能力的同时对芯片整体的面积，圆胞区域等均未有任何影响。【附图说明】通过参考附图阅读下文的详细描述，本技术示例性实施方式的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中，以示例性而非限制性的方式示出了本技术的若干实施方式，其中:图1是现有技术中带ESD保护结构的功率MOSFET器件结构图。 图2是现有的ESD保护结构的结构图。图3是本技术中带ESD保护结构的功率MOSFET器件结构图。图4是本技术的ESD保护结构的结构图。其中，I——ESD保护结构，2 源极金属区域，3一一栅极打线金属区域，4--棚■极引线，5——源极和栅极金属间隙，6——NMOS管的P型注入区，PMOS管的N型注入区，7——NMOS管的N型注入区，PMOS管的P型注入区，8——静电保护结构引出接触孔，9——圆胞区域，10——栅极打线区域下方空旷区域。【具体实施方式】如图3和图4所示，是本技术中带ESD保护结构的功率MOSFET器件结构图和ESD保护结构的结构图。其中标记6区域为P型注入区(对NMOS管而言，如果是PMOS则相反)，标记7区域为N型注入区(对NMOS管而言，如果是PMOS则相反)。本技术的一种功率MOSFET器件静电保护结构，，所述静电保护结构位于栅极打线区域下方空旷区域。若所述功率MOSFET器件是NMOS管，所述静电保护结构依次包括P型注入区、N型注入区和静电保护结构引出接触孔。若所述功率MOSFET器件是PMOS管，所述静电保护结构依次包括N型注入区、P型注入区和静电保护结构引出接触孔。值得说明的是，虽然前述内容已经参考若干【具体实施方式】描述了本技术创造的精神和原理，但是应该理解，本技术创造并不限于所公开的【具体实施方式】，对各方面的划分也不意味着这些方面中的特征不能组合，这种划分仅是为了表述的方便。本技术创造旨在涵盖所附权利要求的精神和范围内所包括的各种修改和等同布置。【主权项】1.一种功率MOSFET器件静电保护结构，其特征在于，所述静电保护结构位于栅极打线区域下方空旷区域，所述功率MOSFET器件是NM0S管，所述静电保护结构依次包括P型注入区、N型注入区和静电保护结构引出接触孔，或者所述功率MOSFET器件是PM0S管，所述静电保护结构依次包括N型注入区、P型注入区和静电保护结构引出接触孔。【专利摘要】本技术公开了一种功率MOSFET器件静电保护结构，所述静电保护结构位于栅极打线区域下方空旷区域。若所述功率MOSFET器件是NMOS管，所述静电保护结构依次包括P型注入区、N型注入区和静电保护结构引出接触孔。若所述功率MOSFET器件是PMOS管，所述静电保护结构依次包括N型注入区、P型注入区和静电保护结构引出接触孔。本技术在增加静电保护结构的同时，不会对圆胞区产生任何的影响，在相同面积尺寸下，加入了静电保护结构后，产品的其他特性均不会发生改变。实现了功率MOSFET器件的抗静电保护能力的同时对芯片整体的面积，圆胞区域等均未有任何影响。【IPC分类】H01L29/78, H01L23/60【公开号】CN204927285【申请号】CN201520646587【专利技术人】陆怀谷 【申请人】深圳市谷峰电子有限公司, 香港谷峰半导体有限公司【公开日】2015年12月30日【申请日】2015年8月25日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种功率MOSFET器件静电保护结构，其特征在于，所述静电保护结构位于栅极打线区域下方空旷区域，所述功率MOSFET器件是NMOS管，所述静电保护结构依次包括P型注入区、N型注入区和静电保护结构引出接触孔，或者所述功率MOSFET器件是PMOS管，所述静电保护结构依次包括N型注入区、P型注入区和静电保护结构引出接触孔。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陆怀谷，
申请(专利权)人：深圳市谷峰电子有限公司，香港谷峰半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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