TFT基板的制作方法技术

本发明专利技术提供一种TFT基板的制作方法，通过首先对多晶硅层进行P型轻掺杂，然后再对P型轻掺杂多晶硅层进行图案化处理，可保证在P型轻掺杂制程中，P型离子不容易被注入到多晶硅层下方的氧化硅层中，对所述氧化硅层的损伤较小，近乎可以忽略不计，与传统的生产制程相比，本发明专利技术的制作方法并没有增加工艺制程和操作时间，仅仅通过调整多晶硅层的图案化处理与P型轻掺杂制程的顺序，即可使制得的TFT基板具有良好的综合性能和优异的电性表现。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造工艺，尤其涉及一种TFT基板的制作方法。
技术介绍
随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。通常液晶显示面板由彩膜基板(CF，Color Filter)、薄膜晶体管基板(TFT，ThinFilm Transistor)、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC，Liquid Crystal)及密封胶框(Sealant)组成，其成型工艺一般包括:前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的运动；中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。如图1-7所示，为现有的一种TFT基板的制作方法，包括以下步骤:步骤1、如图1所示，提供一基板100，在所述基板100上沉积一金属层，采用一道光刻制程对所述金属层进行图案化处理，得到间隔设置的第一遮光层210、第二遮光层220 ；步骤2、如图2所示，在所述第一遮光层210、第二遮光层220、及基板100上依次沉积氮化娃层300与氧化娃层400 ；步骤3、如图3所示，在所述氧化硅层400上沉积一非晶硅层，采用准分子激光退火制程将所述非晶硅层转化为多晶硅层500 ;步骤4、如图4所示，采用一道光刻制程对所述多晶硅层500进行图案化处理，得到分别对应于所述第一遮光层210、第二遮光层220的第一有源层510、第二有源层520 ;步骤5、如图5所示，对所述第一有源层510、第二有源层520进行P型离子注入，形成第一 P型轻掺杂有源层610、第二 P型轻掺杂有源层620 ；步骤6、如图6所示，在所述第一 P型轻掺杂有源层610、第二 P型轻掺杂有源层620、及氧化硅层400上涂布一光阻层700，采用一道黄光制程对所述光阻层700进行曝光、显影，暴露出所述第一 P型轻掺杂有源层610的两端区域，以所述光阻层700为掩膜，对所述第一 P型轻掺杂有源层610的两端进行离子注入，如图7所示，去除所述光阻层700后，得到位于所述第一 P型轻掺杂有源层610两端的N型重掺杂区612、及位于两N型重掺杂区612之间的P型轻掺杂沟道区614。上述TFT基板的制作方法，首先对多晶硅层500进行图案化处理，得到岛状的第一有源层510、第二有源层520后，再对第一有源层510、及第二有源层520进行P型离子注入，其缺点是:蚀刻出岛状的第一有源层510、第二有源层520之后，会造成氧化硅层400的裸露，在进行P型离子注入的过程中会将P型离子注入到裸露出来的氧化硅层400中，对其晶格结构造成破坏，同时P型离子植入到氧化硅层400中将引入载流子，可能对元器件的电学特性造成一定的影响。因此有必要提供一种改进的TFT基板的制作方法，以解决传统制程中遇到的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种TFT基板的制作方法，可保证在P型轻掺杂制程中，P型离子不容易被注入到多晶硅层下方的氧化硅层中，对所述氧化硅层的损伤较小，使制得的TFT基板具有良好的综合性能和优异的电性表现。为实现上述目的，本专利技术提供一种TFT基板的制作方法，包括以下步骤:步骤1、提供一基板，在所述基板上沉积一金属层，采用一道光刻制程对所述金属层进行图案化处理，得到间隔设置的第一遮光层、第二遮光层；步骤2、在所述第一遮光层、第二遮光层、及基板上依次沉积氮化硅层与氧化硅层；步骤3、在所述氧化硅层上沉积一非晶硅层，采用低温结晶工艺将所述非晶硅层转化为多晶娃层；步骤4、对所述多晶硅层进行P型离子注入，形成P型轻掺杂多晶硅层；步骤5、采用一道光刻制程对所述P型轻掺杂多晶硅层进行图案化处理，得到分别对应于所述第一遮光层、第二遮光层的第一有源层、第二有源层；步骤6、在所述第一有源层、第二有源层、及氧化硅层上涂布一光阻层，采用一道黄光制程对所述光阻层进行曝光、显影，暴露出所述第一有源层的两端区域，以所述光阻层为掩膜，对所述第一有源层的两端进行N型离子注入，去除所述光阻层后，得到位于所述第一有源层两端的N型重掺杂区、及位于两N型重掺杂区之间的P型轻掺杂区；步骤7、在所述第一有源层、第二有源层、及氧化硅层上沉积栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上沉积一金属层，采用一道光刻制程对所述金属层进行图案化处理，得到分别对应于第一有源层、第二有源层的第一栅极、第二栅极；步骤8、以所述第一栅极为掩模，对所述第一有源层的P型轻掺杂区的两端进行N型离子注入，在所述P型轻掺杂区上形成位于两端的N型轻掺杂区、及位于两N型轻掺杂区之间的P型轻掺杂沟道区；步骤9、在所述第一栅极、第二栅极、及栅极绝缘层上涂布一光阻层，采用一道黄光制程对所述光阻层进行曝光、显影，暴露出第二栅极及栅极绝缘层上对应于所述第二有源层上方的区域，以所述第二栅极为掩膜，对所述第二有源层的两端进行P型离子注入，去除所述光阻层后，得到位于所述第二有源层两端的P型重掺杂区、及位于两P型重掺杂区之间的P型轻掺杂沟道区；步骤10、在所述第一栅极、第二栅极、及栅极绝缘层上依次形成层间绝缘层、源漏极。所述步骤I中，所述基板为玻璃基板；所述第一遮光层、第二遮光层的材料为钼。所述步骤3中，所述低温结晶工艺为准分子激光退火工艺。所述步骤5中的光刻制程包括涂光阻、曝光、显影、及干蚀刻制程。所述步骤7中，所述栅极绝缘层的材料为氮化硅与氧化硅的组合。所述步骤4和步骤9注入的P型离子为硼离子。所述步骤6和步骤8注入的N型离子为磷离子。所述第一有源层中，所述N型重掺杂区中的N型离子浓度范围为114?2X 10151ns/cm2，所述N型轻掺杂区中的N型离子浓度范围为113?3 X 10 131ns/cm2，所述P型轻掺杂沟道区中的P型离子浓度范围为112?5X10 121ns/cm2。所述第二有源层中，所述P型重掺杂区中的P型离子浓度范围为114?2X 10151ns/cm2，所述P型轻掺杂沟道区中的P型离子浓度范围为112?5 X 10 121ns/cm2。本专利技术的有益效果:本专利技术提供一种TFT基板的制作方法，通过首先对多晶硅层进行P型轻掺杂，然后再对P型轻掺杂多晶硅层进行图案化处理，可保证在P型轻掺杂制程中，P型离子不容易被注入到多晶硅层下方的氧化硅层中，对所述氧化硅层的损伤较小，近乎可以忽略不计，与传统的生产制程相比，本专利技术的制作方法并没有增加工艺制程和操作时间，仅仅通过调整多晶硅层的图案化处理与P型轻掺杂制程的顺序，即可使本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上沉积一金属层，采用一道光刻制程对所述金属层进行图案化处理，得到间隔设置的第一遮光层(21)、第二遮光层(22)；步骤2、在所述第一遮光层(21)、第二遮光层(22)、及基板(10)上依次沉积氮化硅层(30)与氧化硅层(40)；步骤3、在所述氧化硅层(40)上沉积一非晶硅层，采用低温结晶工艺将所述非晶硅层转化为多晶硅层(50)；步骤4、对所述多晶硅层(50)进行P型离子注入，形成P型轻掺杂多晶硅层(60)；步骤5、采用一道光刻制程对所述P型轻掺杂多晶硅层(60)进行图案化处理，得到分别对应于所述第一遮光层(21)、第二遮光层(22)的第一有源层(61)、第二有源层(62)；步骤6、在所述第一有源层(61)、第二有源层(62)、及氧化硅层(40)上涂布一光阻层(70)，采用一道黄光制程对所述光阻层(70)进行曝光、显影，暴露出所述第一有源层(61)的两端区域，以所述光阻层(70)为掩膜，对所述第一有源层(61)的两端进行N型离子注入，去除所述光阻层(70)后，得到位于所述第一有源层(61)两端的N型重掺杂区(611)、及位于两N型重掺杂区(611)之间的P型轻掺杂区(613)；步骤7、在所述第一有源层(61)、第二有源层(62)、及氧化硅层(40)上沉积栅极绝缘层(80)，在所述栅极绝缘层(80)上沉积一金属层，采用一道光刻制程对所述金属层进行图案化处理，得到分别对应于第一有源层(61)、第二有源层(62)的第一栅极(91)、第二栅极(92)；步骤8、以所述第一栅极(91)为掩模，对所述第一有源层(61)的P型轻掺杂区(613)的两端进行N型离子注入，在所述P型轻掺杂区(613)上形成位于两端的N型轻掺杂区(615)、及位于两N型轻掺杂区(615)之间的P型轻掺杂沟道区(617)；步骤9、在所述第一栅极(91)、第二栅极(92)、及栅极绝缘层(80)上涂布一光阻层(110)，采用一道黄光制程对所述光阻层(110)进行曝光、显影，暴露出第二栅极(92)及栅极绝缘层(80)上对应于所述第二有源层(62)上方的区域，以所述第二栅极(92)为掩膜，对所述第二有源层(62)的两端进行P型离子注入，去除所述光阻层(110)后，得到位于所述第二有源层(62)两端的P型重掺杂区(621)、及位于两P型重掺杂区(621)之间的P型轻掺杂沟道区(623)；步骤10、在所述第一栅极(91)、第二栅极(92)、及栅极绝缘层(80)上依次形成层间绝缘层、源漏极。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王尧，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42