单晶体生长设备制造技术

公开了一种单晶体生长装置，该装置包括：腔室；坩锅，其设置在腔室中并且构造成容置熔化物，该熔化物是用于单晶体生长的原材料；加热器，其设置在坩锅和腔室的侧壁之间并且加热该坩锅；以及坩锅屏，其设置在坩锅的上端上，并且坩锅屏具有弯曲构件，该弯曲构件将从坩锅中的熔化物产生的辐射热量反射到坩锅的内壁。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
实施例涉及一种单晶体生长设备。
技术介绍
用于蓝宝石的单晶体生长的代表性方法包括丘克拉斯基法(Czochralski)以及凯罗普洛斯法(Kyropoulos)。有利地，凯罗普洛斯法比丘克拉斯基法具有较低的设备价格和生产成本以及较少的缺陷。凯罗普洛斯法可以包括将原材料填充到坩锅中，以高于原材料熔点的温度加热原材料，通过使耔晶与在处于引晶的温度下的坩锅中的熔化物接触而形成调制品(seasoning)，并且通过以恒定的速率减小功率而形成本体，然后维持用于单晶体生长的温度变化率。
技术实现思路
技术问题实施例提供了一种单晶体生长设备，该单晶体生长设备可以防止当单晶体横向生长时产生的侧部粘结。技术方案根据一实施例，提供了一种单晶体生长设备，该设备包括:腔室；坩锅，其设置在腔室中并且构造成容置熔化物，该熔化物是用于单晶体生长的原材料；加热器，其设置在坩锅和腔室的侧壁之间并且加热该坩锅；以及坩锅屏，其设置在坩锅的上端上，其中坩锅屏具有弯曲构件，该弯曲构件将从坩锅中的熔化物产生的辐射热量反射到坩锅的内壁。该弯曲构件可以是坩祸屏的弯曲部分，该弯曲部分沿朝向坩祸的方向弯曲。坩祸屏可以接触坩锅的上端并且由坩锅的上端支承。坩祸屏可以是圆板型，并且具有中心开口，并且坩祸屏可以包括外侧部和内侧部，外侧部设置在外周表面附近并且由坩锅的上端支承，内侧部设置在内周表面附近并且具有弯曲构件。内侧部的下表面可以相对于外侧部的下表面朝向坩锅倾斜。内侧部可以相对于外侧部沿着朝向坩锅的方向弯曲。内侧部的厚度可以与外侧部的厚度相等。内侧部的厚度可以从内周表面朝向外周表面减小。外侧部的上表面和内侧部的上表面可以彼此平行并且在相同的平面上。单晶体生长设备可以进一步包括设置在坩锅屏上的至少一个顶部隔离器，并且该至少一个顶部隔离器可以是多个层构成的堆叠件。根据另一实施例，提供了一种单晶体生长设备，该设备包括:腔室；坩锅，其设置在腔室中并且构造成容置熔化物，该熔化物是用于单晶体生长的原材料；反射构件，其设置在坩锅的上端并且将从坩锅中的熔化物所产生的辐射热量反射到坩锅的内壁；以及坩锅屏，其设置在反射构件上，并且将从熔化物的表面发出的辐射热量反射到熔化物中。该反射构件可以是圆板型并且具有中心开口。反射构件可以包括:支承部，其用于支承坩锅屏；和弯曲部，其从支承部弯曲，并且将熔化物所产生的辐射热量反射到坩锅的内壁中。支承部的一端可以接触坩祸屏的下表面的边缘，而支承部的另一端可以接触坩祸的上端。 弯曲部的长度可以比坩祸屏的径向长度短。弯曲部的长度小于或等于支承部的高度除以cos Θ I的值，并且Θ I可以是弯曲部和支承部之间的角度。弯曲部的上表面可以接触坩锅屏的下表面，并且弯曲部的下表面可以相对于弯曲部的上表面倾斜。弯曲部的厚度可以从弯曲部和支承部之间的边界表面朝向弯曲部的端部增加。该反射构件可以由钼形成。有利效果根据实施例，可以防止侧部粘结。【附图说明】包括附图以提供对本专利技术的进一步理解，所述附图示出本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。在附图中:图1示出了根据一实施例的单晶体生长设备。 图2a示出了图1所示的坩锅的平面图；图2b示出了图2a所示的坩锅的沿AB方向剖切得到的剖视图；图3示出了常规的坩祸结构；图4示出了防止由于坩祸屏结构而导致的侧部粘结的构思；图5示出了根据一实施例的包括在单晶体生长设备中的间隔件；图6示出了图5所示的间隔件的布置。图7示出了根据另一实施例的第一顶部隔离器的剖视图；图8示出了根据另一实施例的单晶体生长设备。图9示出了图8所示的反射构件的平面图；图10示出了图9所示的反射构件的沿AB方向剖切得到的剖视图；图11示出了由于图8所示的反射构件而防止侧部粘结的构思；图12示出了反射构件的另一实施例。【具体实施方式】下文中，通过对附图和实施例的描述，将清晰地理解各实施例。在各个实施例的以下描述中，当诸如层(薄膜)、区、型式或结构的元件形成于诸如层(薄膜)、区、型式或结构的另一元件之“上”或之“下”时，它可以直接位于该另一元件之“上”或之“下”，或者间接形成有位于它们指尖的相关元件。另外，将理解的是，在该元件之“上”或之“下”可以是相对于附图描述的。在附图中，为了清晰和方便，该尺寸可以放大、省略或者示意性地示出。另外，每个构成元件的尺寸不总体上反映其实际尺寸。在附图中，相同或相似的元件由相同的附图标记表示，即使它们在不同的附图中描绘时也是如此。下面，将参照附图来描述根据实施例的单晶体生长设备。图1示出了根据一实施例的单晶体生长设备100。参照图1，单晶体生长设备100包括腔室101、坩锅110、坩祸支承底座120、加热器130、侧壁隔热器135、底部隔热器140、顶部隔热器150和传输单元170。腔室101可以是这样的空间，即，该空间提供生长环境以生长单晶体I。坩祸110可以设置在腔室101中，以容置用于单晶体I生长的原材料熔化物。坩祸110可以由钨形成，但是不限于此。i甘祸支承底座120可以位于i甘祸110的下方以支承该i甘祸110。i甘祸支承底座120可以由具有优良导热能力和耐热性以及高抗热冲击能力、但由于其低热膨胀率而不易于受热变形的任何材料形成。例如，坩祸支承底座120可以由钼形成，但是不限于此。加热器130可以以与坩祸110的外周表面的恒定的间距设置在腔室101中以加热该坩祸110。加热器130可以由钨形成，但是不限于此。加热器130可以定位成环绕坩祸110的侧壁和底部，但是不限于此。可替换地，加热器130可以仅环绕坩祸110的侧壁定位。加热器130可以加热坩祸110。当通过加热器130的加热而升高坩祸110的温度时，形式为多晶体块的原材料可以变为熔化物M。侧壁隔离器135可以位于绕坩祸110的侧壁的位置，以防止腔室101中的热量通过腔室101的侧壁逃逸。例如，侧壁隔离器135可以位于加热器130和腔室101的侧壁之间，以防止加热器130的热量逃逸出腔室101。底部隔热器140可以位于坩祸110下方以防止腔室101中的热量通过腔室101的底部逃逸。例如，底部隔热器140可以位于加热器130和腔室101的底部之间，以防止加热器130的热量逃逸出腔室101。顶部隔离器150可以位于坩祸110上，以防止热量通过腔室101的顶部逃逸。传输单元170可以支承正在生长的单晶体I并且升高或降低该正在生长的单晶体1传输单元170可以位于坩祸110上，并且包括:籽晶连接器172，该籽晶连接器172具有固定到籽晶162的一端；和升降构件174，该升降构件174连接该籽晶连接器172并且升高和降低籽晶连接器172。籽晶连接器172可以是轴杆类型。顶部隔离器150可以具有开口 190，该开口 190对准该正在生长的单晶体I或与该正在生长的单晶体I对应。顶部隔离器150可以具有图2a和图2b所示的弯曲构件，该弯曲构件将来自坩祸110中的熔化物M的辐射热量反射到坩祸110的侧壁中。顶部隔离器150的弯曲构件可以是顶部隔离器150的弯曲部分，该弯曲部分朝着坩祸的内侧或者朝着坩祸110的方向弯曲。顶部隔离器150可以包括坩祸屏152、第一隔离器154和第二隔离器156。坩祸屏152可以设置在坩祸110的上端上，并且由坩祸110的上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单晶体生长设备，包括：腔室；坩锅，所述坩锅设置在所述腔室中并且构造成容置熔化物，所述熔化物是用于单晶体生长的原材料；加热器，所述加热器设置在所述坩锅和所述腔室的侧壁之间并且加热所述坩锅；以及坩锅屏，所述坩锅屏设置在所述坩锅的上端上，其中，所述坩锅屏具有弯曲构件，所述弯曲构件将从所述坩锅中的所述熔化物产生的辐射热量反射到所述坩锅的内壁。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：李昌润，宋到原，崔俊赫，孙赈晧，金喆焕，
申请(专利权)人：LG矽得荣株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR