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公开了一种单晶体生长装置，该装置包括：腔室；坩锅，其设置在腔室中并且构造成容置熔化物，该熔化物是用于单晶体生长的原材料；加热器，其设置在坩锅和腔室的侧壁之间并且加热该坩锅；以及坩锅屏，其设置在坩锅的上端上，并且坩锅屏具有弯曲构件，该弯曲构件...
该专利属于LG矽得荣株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过LG矽得荣株式会社授权不得商用。

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