本申请公开了DDR芯片提供电源的电路结构，其包括单路DC-DC电源芯片，DC-DC电源芯片输入端设有输入电容，其输出端设有输出电容，DC-DC电源芯片与DDR芯片电连接，DDR芯片上设有高速总线，高速总线与DC-DC电源芯片间设有屏蔽干扰的地层。采用本申请的电路结构，为DDR芯片提供一种通用的提供电源的电路结构，这样DDR芯片不需采用专门配套供电芯片，降低成本，使DDR芯片维修和更换更为方便。同时，DDR芯片连接的高速总线与DC-DC电源芯片间设有地层，从而避免了电路板上各种高频信号的干扰，保护DDR芯片和DC-DC电源芯片，延长DDR芯片和DC-DC电源芯片的使用寿命。
【技术实现步骤摘要】
本申请涉及DDR芯片提供电源的电路结构。
技术介绍
目前，DDR芯片的供电芯片一般都是采用配套的电源芯片，但因配套的电源芯片一般价格都比较昂贵，而且是与专门的DDR芯片配合使用，当DDR芯片更换时，相应的电源芯片也需更换，增加了维修或更换成本。目前也有选用单路的DC-DC电源芯片作为DDR芯片的供电芯片。DC-DC供电芯片中上下两端均设有MOS管(绝缘性场效应管)，由上下两端的MOS管调节控制DC-DC供电芯片的开关时间。由于电路板上存在各种高频信号，会对DC-DC电源芯片造成各种干扰，如果在DC-DC电源芯片的PFM(脉冲频率调制信号)/PWM(脉冲宽度调制信号)切换期间，电压反馈信号受到干扰，DC-DC供电芯片不能及时打开下端的MOS管，造成过大的冲击电流流过上端MOS管的体二极管，长期使用，会使得DC-DC电源芯片甚至DDR芯片烧毁。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种价格低廉、供电稳定的DDR芯片提供电源的电路结构。 本申请DDR芯片提供电源的电路结构，其包括单路DC-DC电源芯片，DC-DC电源芯片输入端设有输入电容，其输出端设有输出电容，DC-DC电源芯片与DDR芯片电连接，DDR芯片上设有高速总线，高速总线与DC-DC电源芯片间设有屏蔽干扰的地层。 所述输入电容与DC-DC电源芯片的间距一般为5mm以内。 所述输入电容和输出电容在同层布线中电连接。 所述DC-DC电源芯片为PWM模式芯片。 采用本申请的电路结构，为DDR芯片提供一种通用的提供电源的电路结构，这样DDR芯片不需采用专门配套供电芯片，降低成本，使DDR芯片维修和更换更为方便。同时，DDR芯片连接的高速总线与DC-DC电源芯片间设有地层，从而避免了电路板上各种高频信号的干扰，保护DDR芯片和DC-DC电源芯片，延长DDR芯片和DC-DC电源芯片的使用寿命。【附图说明】 下面结合附图和【具体实施方式】对本申请作进一步详细的说明: 图1是本申请DDR芯片提供电源的电路结构的结构示意图。【具体实施方式】 如图1所示，本申请DDR芯片提供电源的电路结构，其包括DC-DC电源芯片I，DC-DC电源芯片I输入端设有输入电容2，其输出端设有输出电容3，DC-DC电源芯片I与DDR芯片4电连接，DDR芯片4上设有高速总线5，高速总线5与DC-DC电源芯片I间设有屏蔽干扰的地层6。 本申请选用DC-DC电源芯片I对DDR芯片4进行供电，DDR芯片4连接的高速总线5与DC-DC电源芯片I间设有地层6，从而避免了电路板上各种高频信号的干扰，保护DDR芯片4和DC-DC电源芯片1，延长DDR芯片4和DC-DC电源芯片I的使用寿命。 所述输入电容2与DC-DC电源芯片I的间距一般为5mm以内，从而可以减小电流的回流路径，大大改善低频部分EMI (电磁干扰)辐射。 所述输入电容2和输出电容3在同层布线中电连接，从而减小输入输出的阻抗，使电压输入输出等电势，避免产生大的电势差，并且增加DC-DC电源芯片I的负载跳变响应速度。 所述DC-DC电源芯片I为PWM模式芯片。因为此类DC-DC电源芯片I的开关频率固定，没有电流的过零检测机制。DC-DC电源芯片I中的上下MOS管一开一闭，不存在上下MOS管都关闭的状态，更不会产生负电流，保证DC-DC电源芯片I安全使用。【主权项】1.DDR芯片提供电源的电路结构，其特征在于:其包括单路DC-DC电源芯片，DC-DC电源芯片输入端设有输入电容，其输出端设有输出电容，DC-DC电源芯片与DDR芯片电连接，DDR芯片上设有高速总线，高速总线与DC-DC电源芯片间设有屏蔽干扰的地层。2.根据权利要求1所述的DDR芯片提供电源的电路结构，其特征在于:所述输入电容与DC-DC电源芯片的间距一般为5mm以内。3.根据权利要求1所述的DDR芯片提供电源的电路结构，其特征在于:所述输入电容和输出电容在同层布线中电连接。4.根据权利要求1所述的DDR芯片提供电源的电路结构，其特征在于:所述DC-DC电源芯片为PWM模式芯片。【专利摘要】本申请公开了DDR芯片提供电源的电路结构，其包括单路DC-DC电源芯片，DC-DC电源芯片输入端设有输入电容，其输出端设有输出电容，DC-DC电源芯片与DDR芯片电连接，DDR芯片上设有高速总线，高速总线与DC-DC电源芯片间设有屏蔽干扰的地层。采用本申请的电路结构，为DDR芯片提供一种通用的提供电源的电路结构，这样DDR芯片不需采用专门配套供电芯片，降低成本，使DDR芯片维修和更换更为方便。同时，DDR芯片连接的高速总线与DC-DC电源芯片间设有地层，从而避免了电路板上各种高频信号的干扰，保护DDR芯片和DC-DC电源芯片，延长DDR芯片和DC-DC电源芯片的使用寿命。【IPC分类】H02M3/155【公开号】CN104980017【申请号】CN201510398075【专利技术人】王永顺 【申请人】王永顺【公开日】2015年10月14日【申请日】2015年6月30日本文档来自技高网...
【技术保护点】
DDR芯片提供电源的电路结构，其特征在于：其包括单路DC‑DC电源芯片，DC‑DC电源芯片输入端设有输入电容，其输出端设有输出电容，DC‑DC电源芯片与DDR芯片电连接，DDR芯片上设有高速总线，高速总线与DC‑DC电源芯片间设有屏蔽干扰的地层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王永顺，
申请(专利权)人：王永顺，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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