一种电源开关电路芯片结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种电源开关电路芯片结构，包括N型MOS管、源极电源VSS、漏极电源VDD、衬底电源线VDDG，所述N型MOS管呈上下重叠结构，所述衬底电源线VDDG、源极电源VSS的金属层设置在芯片边缘，所述漏极电源VDD与衬底电源线VDDG直线连接，本实用新型专利技术可以从整体上减小电源开关电路芯片的表面积。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电源开关电路芯片结构，属于集成电路领域。 
技术介绍
现有超深亚微米低功耗芯片结构，其使用的电源开关电路占用的晶圆面积较大，还不利于电源网络的连接，因此使用现有技术芯片结构不利于芯片降低面积，并且由于芯片的集成度不断增加，功能越来越强，他们的体积越来越小，因此迫切需要设计一种体积小、重量轻、效率高、性能好的电源开关电路芯片结构。 
技术实现思路
为了解决电源开关电路芯片结构面积较大，成本高，功耗强的问题，本技术提供一种电源开关电路芯片结构。 本技术通过以下技术方案来具体实现：一种电源开关电路芯片结构，包括N型MOS管、源极电源VSS、漏极电源VDD、衬底电源线VDDG，所述N型MOS管呈上下重叠结构，所述衬底电源线VDDG、源极电源VSS的金属层设置在芯片边缘,所述漏极电源VDD与衬底电源线VDDG直线连接。 进一步的改进在于，所述N型MOS管呈上下均匀分布。 进一步的改进在于，所述电源开关电路中衬底电源线VDDG的走线高度和两个标准单元电源线走线高度一致。 和现有技术相比，本技术有如下改进和优点：(1)将现有技术的长条的N型MOS管N1的平面布局改为上下层叠布局，节约了芯片的表面积。(2)将现有技术的N型MOS管N2布局改到电路上排，使得N型MOS管在芯片结构中布局均匀。(3)将芯片结构中的衬底电源线VDDG，源极电源VSS的金属层设置在芯片边缘，便于和其他标准单元电源线直线连接。(4)芯片结构改版后 高度不变，横向长度减少，经过上述设计的电源开关电路芯片结构，合理利用芯片的空间，可以从整体上减小电源开关电路芯片的表面积。 附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需使用的附图做进一步详解。 图1为现有技术电源开关电路芯片结构示意图； 图2为本技术电源开关电路芯片结构示意图； 图3为现有技术电源开关电路芯片中的电源线布局结构示意图； 图4为本技术电源开关电路芯片中的电源线布局结构示意图。 具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。 图1为现有技术电源开关电路芯片结构示意图，源极电源VSS 605分别位于芯片的上下二端，衬底电源线VDDG 603位于芯片的中间位置，可以看出，现有技术的N型MOS管N1、N2采用横向长条形布局；如图2所示，为本技术电源开关电路芯片结构示意图，可以看出，本技术将现有技术的N型MOS管N1布局，改为图2中的N11的上下层叠布局，并且将现有技术的N型MOS管N2布局改到图2中的N22位置。 图3为现有技术电源开关电路芯片电源线布局结构示意图，可以看出，现有技术使用单个标准单元高度，这样使得衬底电源线VDDG 603和漏极电源VDD 604采用90度转弯连接，即使为了方便实际电路连接改到两倍高度并改变电源线布局，面积也会比较大，根据电源开关电路电源连接要求，图中左边的程序状态寄存器psw 601的衬底电源线VDDG 603与右边标准单元std 602的漏极电源VDD 604连接，需要90度转弯连接衬底电源线VDDG 603与漏极电源VDD 604，全芯片中电源开关电路大量使用，采用传统电源开关电路芯片结构，会增加电源线连接工作量，增加电源线规划复杂度。 图4为本技术的的电源线布局，只需拉一根直的金属线即可连接衬 底电源线VDDG 603与漏极电源VDD 604，对于大量使用电源开关电路的芯片而言，可以明显减少工作量，降低电源连接复杂度。举例说明：在芯片中某一个模块中用到大概4000个N型电源开关电路，按传统电源开关芯片布局算，该模块中电源开关电路总面积为4000×8.4×3.6＝120960μm2.使用本技术的的电源开关电路芯片结构，该模块中电源开关电路总面积为4000×5.7×3.6＝76608μm2，和现有电源开关电路芯片结构相比较，其表面积减少了近40％。 以上结合附图实施例对本技术进行了详细说明，本领域中普通技术人员可根据上述说明对本技术做出种种变化例。因而，实施例中的某些细节不应构成对本技术的限定，本技术将以所附权利要求书界定的范围作为本技术的保护范围。 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电源开关电路芯片结构，包括N型MOS管、源极电源VSS、漏极电源VDD、衬底电源线VDDG，其特征在于：所述N型MOS管呈上下重叠结构，所述衬底电源线VDDG、源极电源VSS的金属层设置在芯片边缘,所述漏极电源VDD与衬底电源线VDDG直线连接。

【技术特征摘要】
1.一种电源开关电路芯片结构，包括N型MOS管、源极电源VSS、漏极电源VDD、衬底电源线VDDG，其特征在于：所述N型MOS管呈上下重叠结构，所述衬底电源线VDDG、源极电源VSS的金属层设置在芯片边缘,所述漏极电源VDD与衬底电源线VDDG直线连接。 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯助荣，李长征，
申请(专利权)人：上海华力创通半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31