本实用新型专利技术公开一种碳化硅外延炉，包括顶盖和反应室；顶盖包括外盖，上顶盖、下顶盖、锁扣和第一测温系统，上顶盖和下顶盖通过锁扣固定在外盖上，反应室包括第二测温系统、一个大盘基座、若干个小盘基座、盖片和支架，盖片通过支架安装在大盘基座中间，小盘基座设于大盘基座上并分布在盖片周围，第二测温系统的测温点设于大盘基座底部，第一测温系统的测温点设在小盘基座上；顶盖上设有测温孔，测温孔设在小盘基座上方，测温孔贯穿外盖、上顶盖和下顶盖；本实用新型专利技术实现碳硅化合物的有效去除，便于碳化硅外延炉的维护，提升碳化硅外延生长工艺的稳定性。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及外延生长设备
，特别涉及一种碳化硅外延炉。
技术介绍
随着碳化硅半导体技术的进步，产业应用对碳化硅功率器件性能的要求越来越高，成本要求越来越低。随着大功率电力电子器件对碳化硅晶体和外延材料提出更高的要求和需求，增大晶片尺寸成为碳化硅晶体发展的当务之急。目前，市场上主流的碳化硅晶片尺寸为3英寸和4英寸，6英寸的晶片在未来I?2年内将逐步进入市场并成为主流。碳化硅外延炉是用来生长碳化硅外延晶片的反应室，行星盘式硅外延炉中，如CN203569238U公开的一种碳化硅外延反应生长室，由于其设计结构使得大盘中心区域会有大量碳化物和硅化物沉积，在实际工作中这些沉积物对生产结果和工艺稳定性会造成一定影响，且过厚的沉积物在熔融状态下对大盘表面碳化钽涂层有一定腐蚀性大大缩短了这些配件的使用寿命，因此，若能在每次设备维护时去除这些沉积物，将会给碳化硅外延生长带来极大的便利。因此本专利技术人对上述碳化硅外延反应生长室进行改进，特别研制出一种碳化硅外延炉，本案由此产生。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种碳化硅外延炉，其可方便的去除大盘中心区域的沉积物，便于维护。为了实现上述目的，本技术的技术方案如下:一种碳化娃外延炉，包括顶盖和反应室；顶盖包括外盖，上顶盖、下顶盖、锁扣和第一测温系统，上顶盖和下顶盖通过锁扣固定在外盖上，反应室包括第二测温系统、一个大盘基座、若干个小盘基座、盖片和支架，盖片通过支架安装在大盘基座中间，小盘基座设于大盘基座上并分布在盖片周围，第二测温系统的测温点设于大盘基座底部，第一测温系统的测温点设在小盘基座上；顶盖上设有测温孔，测温孔设在小盘基座上方，测温孔贯穿外盖、上顶盖和下顶盖。所述盖片为碳化娃盖片，支架为碳化娃支架。采用上述方案后，本技术通过在大盘基座中间的碳、硅化合物沉积区覆盖一层盖片，盖片与大盘基座之间利用支架形成一定空间，在设备维护时利用盖片和大盘基座表面的温度差，使原本在大盘基座表面沉积的碳、硅化合物升华后凝结到盖片上，实现行星盘中心区域的碳、硅化合物的有效去除，本技术的碳化硅外延炉从提升维护和清理能力方面出发，进一步提升碳化硅外延生长工艺的稳定性，同时延长配件的使用寿命。【附图说明】为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本技术的结构示意图；图2是本技术大盘基座的俯视图；标号说明顶盖1，反应室2，外盖3，上顶盖4，下顶盖5，锁扣6，大盘基座7，小盘基座8，测温孔9，盖片10，支架11。【具体实施方式】下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图2所示，本技术揭示的一种碳化硅外延炉，包括顶盖I和反应室2 ;顶盖I包括外盖3，上顶盖4、下顶盖5、锁扣6和第一测温系统，上顶盖4和下顶盖5通过锁扣6固定在外盖3上，反应室2包括第二测温系统、一个大盘基座7、若干个小盘基座8、盖片10和支架11，盖片10通过支架11安装在大盘基座7中间，小盘基座8设于大盘基座7上并分布在盖片10周围，第二测温系统的测温点设于大盘基座7底部，第一测温系统的测温点设在小盘基座8上；顶盖I上设有测温孔9，测温孔9设在小盘基座7上方，测温孔9贯穿外盖3、上顶盖4和下顶盖5。盖片10为碳化硅盖片，支架11为碳化硅支架，采用碳化硅材质的盖片10和支架11具有耐尚温的特点，在反应室2内依然具有很尚的稳定性，碳、娃化合物升华后更易附在盖片10上，并且碳化硅盖片不会在碳化硅外延生长时添入杂质而影响碳化硅工艺纯度。本技术对现有碳化硅外延生长反应室结构进行改进，通过在大盘基座7上增设碳化硅盖片10，在维护时，对大盘基座7的沉积区域(主要是大盘表面的碳化钽涂层)进行高温烘烤，使碳、硅化合物升华附在盖片上，然后将盖片10取出清理，能够更加有效的去除碳、硅化合物沉积物，从而提升外延炉维护的效果和效率。大盘表面沉积物的有效去除对碳化硅外延炉的稳定性具有重大意义，本技术将更有利于碳化娃外延结构的生长。上述实施例和图式并非限定本技术的产品形态和式样，任何所属
的普通技术人员对其所做的适当变化或修饰，皆应视为不脱离本技术的专利范畴。【主权项】1.一种碳化硅外延炉，其特征在于:包括顶盖和反应室；顶盖包括外盖，上顶盖、下顶盖、锁扣和第一测温系统，上顶盖和下顶盖通过锁扣固定在外盖上，反应室包括第二测温系统、一个大盘基座、若干个小盘基座、盖片和支架，盖片通过支架安装在大盘基座中间，小盘基座设于大盘基座上并分布在盖片周围，第二测温系统的测温点设于大盘基座底部，第一测温系统的测温点设在小盘基座上；顶盖上设有测温孔，测温孔设在小盘基座上方，测温孔贯穿外盖、上顶盖和下顶盖。2.如权利要求1所述的一种碳化硅外延炉，其特征在于:所述盖片为碳化硅盖片，支架为碳化硅支架。【专利摘要】本技术公开一种碳化硅外延炉，包括顶盖和反应室；顶盖包括外盖，上顶盖、下顶盖、锁扣和第一测温系统，上顶盖和下顶盖通过锁扣固定在外盖上，反应室包括第二测温系统、一个大盘基座、若干个小盘基座、盖片和支架，盖片通过支架安装在大盘基座中间，小盘基座设于大盘基座上并分布在盖片周围，第二测温系统的测温点设于大盘基座底部，第一测温系统的测温点设在小盘基座上；顶盖上设有测温孔，测温孔设在小盘基座上方，测温孔贯穿外盖、上顶盖和下顶盖；本技术实现碳硅化合物的有效去除，便于碳化硅外延炉的维护，提升碳化硅外延生长工艺的稳定性。【IPC分类】C30B29/36, C30B25/08【公开号】CN204690164【申请号】CN201520024787【专利技术人】李奕洋, 冯淦, 赵建辉 【申请人】瀚天天成电子科技（厦门）有限公司【公开日】2015年10月7日【申请日】2015年1月14日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种碳化硅外延炉，其特征在于：包括顶盖和反应室；顶盖包括外盖，上顶盖、下顶盖、锁扣和第一测温系统，上顶盖和下顶盖通过锁扣固定在外盖上，反应室包括第二测温系统、一个大盘基座、若干个小盘基座、盖片和支架，盖片通过支架安装在大盘基座中间，小盘基座设于大盘基座上并分布在盖片周围，第二测温系统的测温点设于大盘基座底部，第一测温系统的测温点设在小盘基座上；顶盖上设有测温孔，测温孔设在小盘基座上方，测温孔贯穿外盖、上顶盖和下顶盖。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李奕洋，冯淦，赵建辉，
申请(专利权)人：瀚天天成电子科技厦门有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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