薄膜电阻器制法制造技术

本发明专利技术公开一种薄膜电阻器制法，于一基板上依序形成电极图案及覆盖一电阻层之后，以镀膜方式在该电阻层上覆盖图案化完成的一无机保护层，并以该无机保护层作为蚀刻该电阻层时的遮罩，经蚀刻完成后，该无机保护层不需移除而保留覆盖在该电阻层的上方，当一有机保护层再形成于该无机保护层上方后，该电阻层上方形成双层式的保护结构，提高保护效果，防止该电阻层因外界环境因素所导致的电阻值改变问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，尤其涉及一种可在薄膜电阻层上设置无机保护层，以提高元件可靠度的。
技术介绍
请参考图6A?图6D，为传统薄膜电阻器的制造流程示意图。首先在一基板101的上、下表面分别形成上电极102与下电极103，再于该上电极102的上覆盖一遮罩层104。如图6B所示，在基板101、上电极102与遮罩层104的表面再全面覆盖薄膜状的一电阻层105 ;藉由移除在覆盖在上电极102的遮罩层104时，因为该电阻层105的厚度极薄，因此可同时将遮罩层104与其上方的电阻层105 —并移除，移除后的结构如图6C所示。再请参考图6D，利用能量射束烧蚀法，例如激光光束、聚焦离子束等该电阻层105进行蚀刻修整，使该电阻层105具有一预定的电阻值。当该电阻层105蚀刻完成后，以一保护层106将电阻层105包覆，如图6E所示。接着，沿虚线所示位置进行薄膜电阻单体分离的程序，然后再执行进一步的后续加工作业，使上电极102、下电极103由多层的导电材料包覆而成为可供焊接的电极。但上述薄膜电阻器的结构中只利用单独一层的保护层106对电阻层105提供保护作用，所能提供的保护效果有限，该电阻层105易受外在环境因素影响而使电阻值发生较大幅度的偏移改变，偏离其预设的电阻值，也因此该薄膜电阻器的产品可靠度相对较低。
技术实现思路
有鉴于现有薄膜电阻器的制作方式仅能对薄膜电阻层提供单一层保护作用，电阻值易受外界因素影响而产生较大误差，本专利技术的主要目的是提供一种可提高电阻值稳定度的。为达成前述目的，本专利技术所提出的包含:于一绝缘的基板的上表面形成上电极；形成一电阻层于该基板的上表面；于该电阻层上覆盖一遮罩层，该遮罩层具有预设图案以显露出部分的电阻层；于该遮罩层及显露出的电阻层上全面覆盖一无机保护层；移除该遮罩层，令位于该遮罩层上的无机保护层一并移除，其中，未移除的无机保护层覆盖在原显露出的电阻层上；蚀刻该电阻层，以该无机保护层作为一蚀刻遮罩，去除未以无机保护层覆盖的电阻层；形成有机保护层，在该无机保护层上完整覆盖一有机保护层。藉此，本专利技术在电阻层上除了具备该有机保护层之外，更进一步覆盖有一无机保护层，对该电阻层提供了双层保护，提高该电阻层抗外在因素影响的能力，降低电阻值变化的幅度，使产品具有更好的可靠度。以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。【附图说明】图1A?图1H:本专利技术薄膜电阻器的工艺剖视示意图；图2:本专利技术对应图1C的平面示意图；图3:本专利技术对应图1E的平面示意图；图4:本专利技术对应图1G的平面示意图；图5:本专利技术对应图1H的平面示意图；图6A?图6E:现有薄膜电阻器的工艺剖视示意图。其中，附图标记10基板 11上电极12下电极 13电阻层14遮罩层 15无机保护层16有机保护层101基板102上电极103下电极104遮罩层105电阻层106保护层【具体实施方式】下面结合附图对本专利技术的结构原理和工作原理作具体的描述:如图1A所示，本专利技术的首先提供一绝缘的基板10，再于该基板10的上表面形成作为上电极11的导体层图案；亦可在该基板10的下表面进一步形成下电极12的导体层图案。如图1B所示，在基板10的上表面全面薄膜沉积形成一电阻层13，该电阻层13全面覆盖上电极11，例如以热辅助蒸发法、电子束辅助蒸发法、化学气相沉积法(CVD)、溶胶凝胶(sol-gel)法、等离子增强式化学气相沉积(PECVD)法、或物理气相沉积(PVD)溅射法等方式形成该电阻层。如图1C及图2所示，在该电阻层13上方覆盖具有预定图案的一遮罩层14，在一较佳实施例中，该遮罩层14是以网版印刷法印制在电阻层13上的一有机物遮罩层。该遮罩层14主要是遮蔽住对应一部分上电极11所在位置的电阻层13，但仍露出大部分形成在基板10表面的电阻层13。如图1D所示，在电阻层13及遮罩层14上是全面覆盖一无机保护层15，该无机保护层15可利用真空镀膜、热辅助蒸发法、电子束辅助蒸发法、化学气相沉积法(CVD)、溶胶凝胶(sol-gel)法、等离子增强式化学气相沉积(PECVD)法、或物理气相沉积(PVD)溅射法等方式形成。如图1E及图3所示，当无机保护层15形成之后，再移除该遮罩层14。在移除遮罩层14的同时,会一并将遮罩层14上方的无机保护层15 —并移除,而显露出一部分的电阻层13及保留预定图案的无机保护层15，在本专利技术中，可利用浸泡溶液或溶液冲洗的方式将该有机物的遮罩层14移除，且会将遮罩层14上方的无机保护层15去除。如图1F所示，以保留在基板10上的无机保护层15作为遮罩，对该电阻层13进行蚀刻，使未由无机保护层15覆盖的电阻层13被蚀刻移除，而显露出该上电极11。如图1G及图4所示，将不必要的电阻层13去除后，进一步对保留在基板10上的电阻层13进行修整，在较佳实施例中，可利用能量射束例如激光光束、聚焦离子束、聚焦电子束等技术进行修整，以获得所需要的电阻值。如图1H、图5所示，当完成对电阻层13的修整作业后，再于该无机保护层15上面覆盖一层有机保护层16，完整包覆该无机保护层15、电阻层13及局部的上电极11。其中，该无机保护层15的材料可选自金属氧化物、半导体氧化物或半导体氮化物，例如氧化铝(A1203)、二氧化硅(Si02)、氮化硅(Si3N4);该有机保护层16的材料可为环氧密封材料。接着，沿虚线所示位置进行薄膜电阻单体分离的程序，然后再执行进一步的后续加工作业，令导电材料包覆上电极102、下电极103以供实际应用时焊接，此后续加工作业并非本专利技术特征，故不详细说明。本专利技术利用上述工艺，可提供至少以下优点:一、本专利技术以非光蚀刻的方式，将无机保护层15覆盖在电阻层13上，结合该有机保护层16可为电阻层13提供双层的保护作用，使该电阻层13能够更不易因外界环境影响(如温度、湿气等因素)而改变电阻值，故可提高薄膜电阻器产品的可靠度。二、在对电阻层13进行蚀刻时，直接以该无机保护层15作为蚀刻遮罩，不需再特别额外以一光阻层构成遮罩。且电阻层13经蚀刻完成后，亦不需再特地移除该无机保护层，可减少工艺步骤。当然，本专利技术还可有其他多种实施例，在不背离本专利技术精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本专利技术作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本专利技术所附的权利要求的保护范围。【主权项】1.一种，其特征在于，包含: 于一绝缘的基板的上表面形成上电极； 形成一电阻层于该基板的上表面； 于该电阻层上覆盖一遮罩层，该遮罩层具有预设图案以显露出部分的电阻层； 于该遮罩层及显露出的电阻层上全面覆盖一无机保护层； 移除该遮罩层，令位于该遮罩层上的无机保护层一并移除，其中，未移除的无机保护层覆盖在原显露出的电阻层上； 蚀刻该电阻层，以该无机保护层作为一蚀刻遮罩，去除未以无机保护层覆盖的电阻层； 形成有机保护层，在该无机保护层上完整覆盖一有机保护层。2.根据权利要求1所述的，其特征在于，在蚀刻电阻层与形成有机保护层步骤之间，进一步包含: 修整该电阻层，使该电阻层具有一预设电阻值。3.根据权利要求1或2所述的，其特征在于，在该基板的下表面形成有下电极。4.根据权利要求3所述的，其特征在于，该无机保护层以真空镀膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜电阻器制法，其特征在于，包含：于一绝缘的基板的上表面形成上电极；形成一电阻层于该基板的上表面；于该电阻层上覆盖一遮罩层，该遮罩层具有预设图案以显露出部分的电阻层；于该遮罩层及显露出的电阻层上全面覆盖一无机保护层；移除该遮罩层，令位于该遮罩层上的无机保护层一并移除，其中，未移除的无机保护层覆盖在原显露出的电阻层上；蚀刻该电阻层，以该无机保护层作为一蚀刻遮罩，去除未以无机保护层覆盖的电阻层；形成有机保护层，在该无机保护层上完整覆盖一有机保护层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：王高源，陈惠如，庄乃川，
申请(专利权)人：华新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71