半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

根据本公开，提供一种半导体装置和一种制造半导体装置的方法。该半导体装置具有电路板，电路板包括绝缘层，形成于绝缘层一表面上的布线层和形成于绝缘层另一表面的缓冲层，半导体装置还包括接合到布线层的半导体元件，接合到电路板的缓冲层的散热器构件，用于密封半导体元件和包括电路板中的缓冲层的外周面的电路板的整个表面的树脂层。上述制造半导体装置的方法包括将电路板的缓冲层接合到散热器构件，将半导体元件接合到电路板的布线层，在上述两个接合步骤后，用树脂密封半导体元件和包括电路板中的缓冲层的外周面的电路板的整个表面。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体装置(10)，包括：电路板(B1,B2,B10,B11,B12，B13)，包括绝缘层(40,41)，形成在所述绝缘层(40,41)的一个表面上的布线层(30,31)，以及形成于所述绝缘层(40,41)的另一表面上的缓冲层(50,51)；接合到所述布线层(30,31)的半导体元件(20,21,22,23)；接合到所述电路板(B1,B2,B10,B11,B12，B13)的所述缓冲层(50,51)的散热器构件(60,62,63)；树脂构件(70,71,72,73)，其特征在于：所述树脂构件(70,71,72,73)密封所述半导体元件(20,21,22,23)和包括所述电路板(B1,B2,B10,B11,B12，B13)中的缓冲层(50,51)的外周面的所述电路板(B1,B2,B10,B11,B12,B13)的整个表面。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：森昌吾，音部优里，西槙介，
申请(专利权)人：株式会社丰田自动织机，
类型：发明
国别省市：日本;JP