新型片式大功率射频负载元件制造技术

本实用新型专利技术涉及一种新型片式大功率射频负载元件，其特征是在AlN陶瓷基体上分别成膜侧面、正面导体和反面导体，在正面导体之间成膜电阻层，在电阻层上印刷保护油漆层，在裸露的导体上电镀镍阻挡层，在镍层上电镀银层。本实用新型专利技术不仅满足4G无线移动通信基站用的射频负载元件对环保性、小型化和低成本的要求，也满足了基本性能涉及要求，同时又可以实现高效SMT组装，提高了无线移动通信基站生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种厚膜片式大功率射频负载元件。
技术介绍
随着无线移动技术的发展，需要4G无线移动通信基站具有小型化、宽容量、多系统等特点，在基站设计时必须大量使用一款环保的、低成本、小型化、用于吸收功率的大功率射频负载元件。传统的大功率射频负载元件，其主要有以下缺点：1.基体材料使用具有高导热率有毒性BeO陶瓷基体，所以不环保；2.产品结构采用了带有铜底座的法兰式结构，难以实现自动化组装，生产效率低；3.因带有大尺寸铜底座，产品体积大。因此，传统的大功率射频负载元件越来越难以满足新一代无线移动通信基站对环保性、小型化、低成本的使用要求。
技术实现思路
本技术的目的是克服
技术介绍
中的缺陷，提供一种新型片式大功率射频负载元件，具有环保、小型化、大功率的特点、能够适用自动化的SMT组装工艺。实现本技术的技术方案是：一种新型片式大功率射频负载元件，其特征是首先在ALN陶瓷基体正面成膜正面导体，在两侧面分别成膜侧面导体、在背面成膜反面导体，然后在正面导体之间成膜电阻层，在电阻层和正面导体上印刷保护油漆层，在裸露的导体上电镀镍阻挡层，在镀镍阻挡层上电镀银层。本技术具有极高功率密度、阻抗匹配性好、环保性、小型片式化、低成本等优点，同时又可以实现高效SMT组装，提高了无线移动通信基站生产效率，不仅能够在4G无线移动通信基站上应用，也可以逐步扩大到其他无线移动通信基站上。附图说明>图1是本技术正面结构示意图。图2是图1的侧视图。图3是本技术正面去掉其上的保护层后结构示意图。图4是本技术背面结构示意图。图5是本技术产品爆炸图。具体实施方式在材料选择上，摒弃使用具有毒性BeO陶瓷基体，通过热分析计算出符合热导系数的陶瓷基体材料，在结合厚膜制造工艺和成本情况，选择出符合环保性所使用的陶瓷基体材料为ALN陶瓷，并根据ALN陶瓷热导系数和膨胀系数，进行吸收功率电阻图形设计和使用浆料选择。在结构上，摒弃将陶瓷体组装到大尺寸的铜底座上的传统结构方式，在ALN陶瓷基体成膜完成后，通过电镀方式增加阻焊层和银层，这样既可以满足后期装配对耐焊接热和可焊性的使用要求，又可以实现SMT组装技术和小尺寸的要求。如1、图2、图3、图4所示，首先在ALN陶瓷基体1正面成膜正面导体4，在两侧面分别成膜侧面导体5和6、在背面成膜反面导体7，在正面导体4之间成膜电阻层3，然后在ALN陶瓷基体1正面电阻层3和正面导体4上印刷保护油漆层2，经过这些工序后，仍然有裸露的导体没有被覆盖(存在于两侧面导体5和6、反面导体7)，最后在裸露的导体上电镀镍阻挡层8，在镀镍阻挡层8上电镀银层9。如图5所示，印刷各层膜层时，严格按照设计图层大小印刷，每一层都必须在10倍以上显微镜下镜检对位，保证各层对位的准确性，并且严格控制印刷力度、流平时间，确保烧结后导体和电阻成膜膜厚为15±3μm,并通过调整烧结温度参数和烧结次数，保证成膜后的电阻能够在不激光修调的情况下，阻值精度达到5％以内。在电镀镍阻挡层8和银层9时，严格按照操作指导书控制好每次电镀的数量、导电体大小、电流大小、温度、时间和液体pH值，确保电镀层的厚度达到5um，形成最终的成品。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型片式大功率射频负载元件，其特征是首先在ALN陶瓷基体(1)正面成膜正面导体(4)，在两侧面分别成膜侧面导体(5和6)、在背面成膜反面导体(7)，然后在正面导体(4)之间成膜电阻层(3)，在电阻层(3)和正面导体(4)上印刷保护油漆层(2)，在裸露的导体上电镀镍阻挡层(8)，在镀镍阻挡层(8)上电镀银层(9)。

【技术特征摘要】
1.一种新型片式大功率射频负载元件，其特征是首先在ALN陶
瓷基体(1)正面成膜正面导体(4)，在两侧面分别成膜侧面导体(5和6)、
在背面成膜反面导体(7)，然后在正...

【专利技术属性】
技术研发人员：鱼阳，刘利，陈福祥，王永生，薛静蓉，殷春民，
申请(专利权)人：陕西华经微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61