一种无定形碳膜，其密度为２．８－３．３ｇ／ｃｍ↑［３］。优选地，所述膜具有１×１０↑［１８］－１×１０↑［２１］自旋／ｃｍ↑［３］的自旋密度、按原子百分数表示为至少９９．５％的碳浓度、按原子百分数表示为不超过０．５％的氢浓度、按原子百分...

本发明涉及半导体元件的制造方法。具体而言，提供一种以降低的制造成本来制造良好特性的半导体元件的方法。半导体元件的制造方法包括：含ＧａＮ的半导体层的形成步骤；电极层形成步骤；在含ＧａＮ的半导体层上形成Ａｌ膜的步骤；形成由如下材料构成的掩模...

本发明提供氮化镓基外延晶片及外延晶片的制作方法。在氮化镓基外延晶片中，轴Ａｘ上的三个点Ｐ１、Ｐ２和Ｐ３的斜角分别为θ１＝０．２度，θ２＝０．４度，θ３＝０．６度。另外，点Ｐ１附近的ＩｎＧａＮ阱层的铟含量大于点Ｐ３附近的ＩｎＧａＮ阱层的铟...

本发明提供一种可以连续地施加扭转的构造简单且小型化的光纤的制造装置及制造方法。制造装置包括：导辊，其使光纤转动；辊支撑部件，其对导辊进行保持，使导辊成为相对于轴心Ｘ可自由旋转的状态；以及驱动装置，其通过使辊支撑部件以相对于轴心Ｘ倾斜的轴...

本实用新型提供一种引线部和玻璃之间的密合性优良的冷阴极荧光灯用电极部件。电极部件（１０）具有电极部（１１）、引线部（１２）以及玻璃部（１３）。引线部（１２）的至少表面侧由含铁的金属构成，在该引线部（１２）的表面中被玻璃部（１３）覆盖的位...

本发明涉及氮化镓半导体衬底和蓝色发光器件。当氮化物半导体单晶晶片被抛光时，产生加工－变换层。为了除去加工－变换层，需要刻蚀。但是，氮化物半导体材料在化学上是惰性的，不存在适合的刻蚀。尽管提出了例如，氢氧化钾或硫酸作为ＧａＮ刻蚀剂，但是它...

本发明涉及制造氮化物半导体光学器件和外延晶片的方法。其中，在步骤Ｓ１０６中，在将生长炉内的温度保持为Ｔ↓［Ｗ］的同时，在时刻ｔ４和ｔ５之间在半极性主面上生长Ｉｎ↓［Ｘ］Ｇａ↓［１－Ｘ］Ｎ阱层。在步骤Ｓ１０７中，在所述阱层的生长完成之后，...

本发明公开了一种增大光学连接容差的光学分组件和光学插座。本发明的光学插座设置具有基本上与外部光纤的直径相等的直径的玻璃部件而不设置安装在常规光学插座中的连接光纤。由支撑件保持的玻璃部件设置有抵靠在外部插芯的顶部上的凸形表面和相对于光轴倾...

本发明的制造贴合Ⅲ族氮化物半导体层的衬底的方法包括如下步骤：在距Ⅲ族氮化物半导体衬底的一个主面规定深度Ｄ的区域中注入至少任意一种氢和氦的离子Ｉ；将异种衬底与所述Ⅲ族氮化物半导体衬底的所述主面贴合；通过在注入所述离子Ｉ的区域处分离所述Ⅲ族...

本发明提供Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体衬底、外延晶片及它们的制造方法，其中以高精度控制在衬底上或晶片中形成的氧化膜的厚度，并阻止所述外延晶片的表面变粗糙。本发明的制造Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体衬底的方法包括如下步骤：首先，提供由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体构...

本发明提供一种制造波长变换器的方法和由此能够提高透射率的波长变换器。制造波长变换器（１０ａ）的方法包括下列步骤。首先，生长晶体。然后，以使畴彼此相反的方式将所述晶体分割成两个以上的部分，从而形成第一晶体（１１）和第二晶体（１２）。接着，...

本发明提供一种不会由于加蔽线导致信号线破损的高可靠性的差动传送电缆以及包含该差动传送电缆在内的复合电缆。差动传送电缆（１）具有：一对信号线（２），其中心导体（１１）被电介质层（１２）和蒙皮层（１３）包覆；加蔽线（３），其沿着信号线（２）...

本发明涉及一种电极材料，其具有内壁面设置荧光体层且内部封入稀有气体及水银的玻璃管和配置于该玻璃管内的两端的一对电极，其中，由如下的Ｎｉ合金构成电极，该Ｎｉ合金含有合计大于或等于０．００１质量％以上、小于或等于５．０质量％的、从由Ｔｉ、Ｈ...

为了提供一种用以扩大橡胶绝缘体单元直径的模架，该模架具有这样的结构，其中可在垂直于其轴的方向上和在其纵向上将扩径模架分成若干部分，并且其在插入时承受插入力。将一管在垂直于该管的轴向上和在该管的纵向上分成若干部分，使得通过在纵向上将管分开...

本发明提供了即使在使用多个电缆芯时还容易形成绞合结构的超导电缆和包括该超导电缆的ＤＣ传输系统。超导电缆（１）具有通过将两种具有不同结构的电缆芯（两个第一芯（２）和一个第二芯（３））绞合到一起然后容纳在热绝缘管（７）中而形成的结构。每个第...

一种氮化镓类半导体激光二极管，能够使用半极性面形成５００ｎｍ以上的光的激光振荡。活性层（２９）设置成产生波长５００ｎｍ以上的光，因此应限制在中心半导体区域（２９）的光的波长为长波长，使用双层结构的第一导光层（２７）和双层结构的第二导光层...

一种氮化物类半导体发光元件，能够抑制在接触层和电极的界面上形成肖特基势垒。氮化物类半导体发光元件（ＬＤ１），具备：ＧａＮ基板（３）；六方晶系的氮化镓类半导体区域（５），设在ＧａＮ基板的主面（Ｓ１）上且包括发光层（１１）；以及ｐ电极（２１...

本发明公开一种玻璃预制件制造方法，该方法使玻璃预制件的成品率高并且包括装配步骤、沉积步骤、拉出步骤、烧结步骤以及塌缩步骤。在所述沉积步骤中的所述往复移动的至少一次行程中，使得第二范围内的所述基棒单元与所述玻璃合成燃烧器的相对移动速度慢于...

一种形成于半极性的主面上的长波长的ＩＩＩ族氮化物半导体激光二极管，抑制活性层的结晶质量下降，并获得稳定的振荡模式。ＩＩＩ族氮化物半导体激光二极管（１１）具有：ＩＩＩ族氮化物基板（１３），其具有半极性的主面（１３ａ）；ｎ型包层（１５），由...

本发明提供了ＧａＮ单结晶体及其制造方法和半导体器件及其制造方法，由此，当生长ＧａＮ单结晶体时以及当生长的ＧａＮ单结晶体被加工成基板等形式时，以及当至少单层的半导体层形成在基板形式的ＧａＮ单结晶体上以制造半导体器件时，将裂纹控制到最少。Ｇ...