提供一种能够容易地进行激光腔的方向确定的、使用非极性或半极性晶片制造氮化物半导体激光器的方法。在准备好具有由六方晶系氮化镓半导体构成的晶体（２）及标志构造物（３）的基板体（１）后，沿着与标志构造物（３）交叉的平面切断基板体（１），形成具...

本发明提供了一种生长Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的方法以及制造发光器件和电子器件的方法，其中降低了危险并能够在低温下有效地供应氮。所述生长Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的方法包括下列步骤。首先，准备含选自一甲胺和一乙胺中的至少一种物质的气体以作为氮原料。...

本发明提供III族氮化物发光器件及制造III族氮化物基半导体发 光器件的方法。在氮化镓基半导体区域的基面上生长具有量子阱结构 的有源层。该量子阱结构以具有410nm以上的发射峰值波长的方式形 成。阱层的厚度为4nm以上10nm以下。该阱...

提供一种制造Ⅲ族氮化物单晶体的方法，由此提高源材料产量和增加晶体生长速率。一种Ⅲ族氮化物单晶体制造方法，其中在衬底（１）和Ⅲ族氮化物源材料衬底（２）之间形成２００μｍ以下厚度的液体层（３），以及在衬底（１）的液体层侧面上的表面（１ｓ）上...

本发明提供了III族氮化物晶体的制造方法，借此方法，当除去III 族氮化物衬底时，III族氮化物晶体中的破裂发生率保持最小。III族氮 化物晶体制造方法包括：在III族氮化物衬底(10)的一个主面(10m)上生 长III族氮化物晶体(2...

本发明改善ＡｌＧａＮ单晶基材的断裂韧度，并且降低该基材的吸收系数。氮化物半导体单晶基材具有由通式Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ（０≤ｘ≤１）表示的组成，其特征在于断裂韧度为（１．２－０．７ｘ）ＭＰａ.ｍ↑［１／２］或更大以及表面积为２０...

本发明涉及一种氮化镓晶圆（１１），其具有实质上的圆形。氮化镓晶圆（１１）包含：多个条纹区域（１３）、多个单晶区域（１５）和可目视确认的标记（１７）。各条纹区域（１３），表示＜１１－２０＞轴的方向且在规定轴方向上延伸。各条纹区域（１３）夹...

本发明提供一种细径同轴电缆束，其即使反复变形也不会使中心导体断裂，且能够维持使弯曲性良好地捆束而成的状态。该细径同轴电缆束（２０），在设备内进行弯曲、转动或滑动的部位使用，其由多根细径同轴电缆（２４）捆束而成，其末端与连接器（２５）连接...

本发明涉及一种镁基合金线，以质量％计，含有０．１－１２．０％Ａｌ和０．１－１．０％Ｍｎ，并具有直径ｄ为０．１ｍｍ－１０．０ｍｍ；长度Ｌ为１０００ｄ或更多；抗拉强度为２５０ＭＰａ或更高；断面收缩率为１５％或更高；和伸长率为６％或更高。以及...

本发明提供一种同轴电缆束的连接构造及连接方法，其可以一边使同轴电缆的中心导体和连接端子处于稳定的导电连接状态，一边确保接地棒的稳定的接地状态。多根同轴电缆并列配置，在各个同轴电缆的端部，中心导体与并列配置的连接端子通过软钎焊而导电连接，...

本发明提供一种同轴电缆束的连接构造，其可以一边使同轴电缆的中心导体和连接端子处于稳定的导电连接状态，一边确保接地棒的稳定的接地状态。多根同轴电缆并列配置，在各个同轴电缆的端部，中心导体与并列配置的连接端子通过软钎焊而导电连接，多根同轴电...

本发明涉及一种具有多芯光纤的光通信系统等，该多芯光纤具有在其剖面上二维排列的多个纤芯。在该光通信系统中，设置在发光区域一维排列的ＯＬＴ和多芯光纤之间的排列变换器具有第１及第２端面、以及多个光波导通路。各个光波导通路配置为，一侧端面与第１...

本发明提供一种碳化硅衬底、外延晶片和碳化硅衬底的制造方法。该ＳｉＣ衬底（１０）包括如下步骤：制备具有主表面并且由ＳｉＣ制成的基体衬底；使用第一碱性溶液清洗主表面；以及在利用第一碱性溶液进行清洗的步骤之后，使用第二碱性溶液清洗主表面。Ｓｉ...

本发明涉及一种具有用于使防止泄漏光导致的树脂包覆层的燃烧和低损耗光传送这两者可以得到兼顾的构造的光纤。该光纤具有纤芯区域和包层区域，包层区域由下述部分构成：光学包层，其对在纤芯区域内传输的光的传送特性产生影响；以及物理包层，其不会对在纤...

一种利用脉冲激光束在工件（１）内形成通孔的加工方法，包括如下步骤：在工件（１）上提供可移除的牺牲层（１ａ），在提供牺牲层（１ａ）的状态下通过激光束在工件内形成通孔（５），并在形成通孔的步骤之后从工件移除牺牲层。

本发明公开了一种机械强度增加，抗热震性改善的陶瓷基体，将氮化铝，氮化硅，或碳化硅用作形成该陶瓷基体的主要成分，同时掺入合适的添加剂，以便控制其导热率以及使从加热元件到电极处的温度梯度变得松散，以向该陶瓷基体提供能够防止加热元件的电极和供...

利用电镀模型Ｍ制备磁粉４，该模型是由对应于磁粉４的形状的电极区域１０和围绕该电极区域１０周围的绝缘区域的图案构成的，通过电镀法在电极区域选择性地沉积磁性材料薄膜４０，然后从电镀模型上剥离该薄膜４０。将该粉末中或粉末间平面形状和直径规则的...

本发明公开了一种蚀刻叠层组件的方法，该叠层组件具有通过热塑性聚酰亚胺结合在一起的金属层和非热塑性的聚酰亚胺层，该方法包括使用至少含有碱金属氢氧化物、水和烷氧基胺的蚀刻剂，其中碱金属氢氧化物浓度（Ｘ重量％）与水浓度（Ｙ重量％）之间的关系由...

一种电路板包括在陶瓷基底上形成第一金属层图形，在第一金属层上形成第二金属层图形，和形成覆盖第二金属层上表面及其大部分侧表面的第三金属层，其中没有被第三金属层覆盖的第一和部分第二金属层通过蚀刻宽度减小。该电路板具有精细的和高分辨率的布线图...

一种电路板包括在陶瓷基底１１上形成第一金属层图形１４，在第一金属层上形成至少０．５μｍ厚的第二金属层图形１６，其中第一金属层通过蚀刻宽度减小。此外，第三金属层１３可以与第一金属层在同一平面上形成图形。第二金属层１６的最外层是金属，比如不...