本公开提供一种能确保良好的生产率并且防止刻蚀停止层的腐蚀的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法具有以下工序：在基板的上表面形成半导体层；在所述半导体层的上表面形成刻蚀停止层；在所述基板的下表面形成金属掩模，所述金属掩模包括种子膜和...

本公开涉及半导体装置、半导体装置用的封装件及封装件的制造方法。半导体装置用的封装件具备金属制的基底板、壁部、第一金属膜以及引线部。基底板具有第一区域和包围第一区域的第二区域。壁部具有金属制的第一框体和树脂制的第二框体。第一框体设于第二区...

一种半导体装置及其制造方法，半导体装置具有：基板；半导体层，设于所述基板之上；绝缘层，设于所述半导体层之上，形成有第一开口；栅电极，设于所述绝缘层之上，经由所述第一开口与所述半导体层接触；以及源电极和漏电极，与所述半导体层欧姆接触，所述...

本公开提供一种能抑制基板的破损的半导体装置。半导体装置具备：基板(10)，表面(15)具有在第一方向延伸并对置的第一长边(32a)和第二长边(32b)以及在与所述第一方向交叉的第二方向延伸并对置的第一短边(30a)和第二短边(30b)；...

本公开提供一种能减少晶体缺陷的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法具有以下工序：在单晶基板的第一主面形成第一AlN层；通过进行所述第一AlN层的一部分的刻蚀，在所述第一主面之上从所述第一AlN层形成多个AlN晶种；以及使用所述Al...

本公开涉及半导体装置以及晶片。本公开提供一种能小型化的半导体装置。半导体装置具备：基板(10)；金属层，设于所述基板下；半导体元件，具备多个第一电极、多个第二电极以及第一焊盘，其中，所述多个第一电极设于所述基板上，经由贯通所述基板的贯通...

光发送器具备：控制部，基于二值的发送数据来生成多值幅度调制信号；驱动部，根据多值幅度调制信号来生成驱动信号；以及发光部，根据驱动信号来生成光信号。控制部根据切换信号来选择第一编码方式和第二编码方式中的任一个。控制部使用所选择的编码方式来...

一个实施方式的光发送器具备：壳体，具有出射端；发光元件，搭载于壳体的第一搭载部；以及受光元件，搭载于壳体的第二搭载部，对来自发光元件的输出光进行监测。在第二搭载部设有托架、位于托架的下侧的出射端侧的第一树脂以及位于托架的下侧的发光元件侧...

一个实施方式的光发送器具备：多个发光元件；多个受光元件，监测来自多个发光元件的每一个的输出光；壳体，搭载多个发光元件和多个受光元件；以及布线基板，搭载于壳体，设有具有与发光元件电连接的焊盘的第一区域和配置于比第一区域低的位置并且具有与受...

本发明公开了一种控制光放大系统的方法，其处理具有PAM4模式的光信号。光放大系统包括可变光衰减器(VOA)和半导体光放大器(SOA)。VOA衰减光信号使得对应于PAM4信号的物理层级之一的该光信号的最大光功率变为等于预设光层级，SOA针...

本公开涉及通信系统及其控制方法以及光收发器及其控制方法。第一光收发器具备：发送信号处理部，生成包括固定位组合格式的多值脉冲幅度调制信号；第一光发送部，将多值脉冲幅度调制信号作为光发送信号进行发送；第一光接收部，接收来自第二光收发器的光调...

本公开提供一种能减少试制的次数的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法具有以下工序：将第一基座装配于成膜装置；测定所述第一基座的翘曲的大小；根据所述测定出的第一基座的翘曲的大小设定第一初始成膜条件来作为所述成膜装置的成膜条件；以及将...

高频放大器具备第一晶体管和第二晶体管、连接于第一晶体管的第一漏极焊盘和连接于第二晶体管的第二漏极焊盘、具有连接于第一漏极焊盘的第一传输线路和连接于第二漏极焊盘的第二传输线路的匹配电路图案、第一引线和第二引线以及经由第一传输线路和第一引线...

一个实施方式的半导体装置具备：半导体芯片，具有设于基板上的晶体管和漏极焊盘；电容器，具有夹着电介质的上部电极和下部电极；焊盘；以及空焊盘，设于半导体芯片的基板上。该半导体装置还具备：第一引线，将焊盘与半导体芯片的漏极焊盘相互连接；第二引...

放大装置具备基底基板、放大元件以及匹配电路基板。放大元件安装于基底基板上。匹配电路基板安装于基底基板上，具有电连接于放大元件的电路图案。匹配电路基板具有分别在该匹配电路基板的长尺寸方向上延伸的第一侧面和第二侧面。在第一侧面设有第一凹部。...

光发送器具备光发送部、驱动部、运算电路以及偏置供给电路。光发送部包括激光元件。驱动部通过第一发送信号驱动激光元件。运算电路生成第二发送信号。偏置供给电路将第二发送信号叠加于激光元件的偏置电流。包括第二发送信号的运算电路的输出是基于频率比...

光装置具备发光装置和主机装置。发光装置具有：壳体，沿着第一方向延伸；发光器件，搭载于壳体；光连接器，包括设于壳体的一端部的第一光连接部；以及电连接器，包括设于壳体的一端部并接收用于驱动发光器件的电压的第一电连接部。主机装置具有：主机用光...

本公开的课题在于提供能抑制源极场板与漏电极之间的保护膜的绝缘击穿的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有：源电极和漏电极，沿着与基板的第一主面平行的第一方向排列；栅电极，位于所述源电极与所述漏电极之间；第一保护膜，覆盖所述源...

本发明提供能抑制电容器的击穿的电容器。电容器具备：MIM电容器(20)，具备下部电极(14)、设于所述下部电极上的电介质膜(16)以及设于所述电介质膜上的上部电极(18)；绝缘膜(24)，以覆盖所述MIM电容器的方式设于所述上部电极上；...

本公开提供能抑制栅电极的特性的变化的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有：半导体层；绝缘膜，设于所述半导体层之上，形成有开口；栅电极，经由所述开口连接于所述半导体层；以及保护膜，覆盖所述栅电极，所述绝缘膜具有：所述半导体层...