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住友电工光电子器件创新株式会社专利技术
住友电工光电子器件创新株式会社共有162项专利
电容器的制造方法技术
本发明涉及电容器的制造方法,具有MIM构造的电容器的制造方法包括:在下部电极的上表面通过多次层叠来形成电介质的步骤;及在电介质的上表面形成上部电极的步骤。电介质包括:在下部电极的上表面形成的第一电介质层;及在第一电介质层的上表面形成且与...
发射器组件制造技术
本发明披露了一种发射器组件,该发射器组件包括半导体激光器芯片、第一载体、第二载体和透镜。第一载体上安装有半导体激光器芯片。第二载体包括第一表面、第二表面、以及将第一表面和第二表面连接起来的连接表面。第一表面面向与芯片的轴向相交的第一方向...
可变衰减器制造技术
公开了可在至少10GHz的频带操作的可变衰减器。可变衰减器包括输入端口;输出端口;将输入端口与输出端口连接的第一传输线;设置在第一传输线和地线之间的衰减单元;和第二传输线。衰减单元包括至少一个晶体管,晶体管具有分别与第一传输线和地线耦接...
形成半导体器件的方法技术
本发明公开了一种形成半导体器件的方法,其中该半导体器件设有衬底。该方法包括以下步骤:(a)在衬底的次表面和衬底中设置的衬底通孔内沉积含有镍(Ni)的第一金属层;(b)通过电镀在第一金属层上沉积第二金属层;(c)在第二金属层上沉积第三金属...
光收发器制造技术
本发明公开一种光收发器,其相对于主机系统的保持架进行插拔。该光收发器具有:滑块、壳体和锁止部件。壳体将滑块沿插拔方向能够移动地进行支撑。锁止部件支撑于壳体,以旋转轴为中心沿与插拔方向交叉的方向转动。锁止部件具有与保持架卡合的卡合面和与滑...
组装半导体器件的方法技术
公开了一种组装半导体器件的方法。该方法包括以下步骤:在在载体上排列金属基体;将烧结金属糊剂同时涂敷在基体上;将衬底同时设置在烧结金属糊剂上,其中衬底包括对应于基体的侧壁和各基体共用的布线层;以及使烧结金属糊剂中包含的溶剂挥发。
光收发器制造技术
本发明披露了一种光收发器,该光收发器沿第一方向相对于保持架插入和拔出。该光收发器包括:滑动件,其具有狭缝,狭缝包括沿着与第一方向交叉的第二方向的斜面;壳体,其支撑滑动件沿第一方向滑动;以及锁扣,其具有轴部,轴部相对于突起部在第一方向上排...
具有场板的半导体器件制造技术
本发明公开了具有场板的一种场效应晶体管(FET)类型的晶体管。所述场效应晶体管提供有源区和将有源区夹在其间的两个非有源区,其中各电极设置在所述有源区中。所述FET还包括漏极指、漏极总线和源极指、源极总线。漏极指、源极指与漏极总线和源极总...
接收器光学组件及其组装方法技术
本发明披露了一种接收器光学组件及其组装方法,接收器光学组件接收光信号并生成与光信号对应的电信号。该组件包括光电二极管(PD)、子安装座、前置放大器和管座。由绝缘材料制成的子安装座上安装有PD。接收由PD生成的光电流的前置放大器利用粘合剂...
评估光学模块的测试设备和方法技术
能够同时评估两个或更多光学模块的测试设备,光学模块均处理多路复用属于彼此不同的波长的光学信号的波长多路复用信号。测试设备提供第一测试站和第二测试站。在选择所述波长中的一个之后,第一测试站执行属于所述波长中的一个波长且来自第一光学模块的光...
半导体装置制造方法及图纸
公开了一种实现场板的半导体装置。半导体装置包括源电极、栅电极和漏电极;绝缘膜,至少覆盖漏电极;场板,包括与栅电极重叠的第一部分和不与栅电极重叠的第二部分;以及与源电极连接的源极互连件。本发明的半导体装置的特征在于第一部分和第二部分均与源...
放大器模块制造技术
公开了实施串联连接的两个或更多放大单元的放大器模块。所述放大器模块包括封装、输入和输出端子、包括第一单元和最终单元的两个或更多放大单元、用于向放大单元中除了最终单元之外的一个放大单元供应输出偏压的输出偏压端子、以及用于向放大单元中除了第...
形成氮化物半导体器件的工艺制造技术
公开了一种形成氮化物半导体器件的工艺。该工艺首先在一温度下通过低压化学气相沉积(LPCVD)技术在半导体层上沉积氮化硅(SiN)膜,然后在SiN膜中形成用于欧姆电极的开口。在SiN膜上制备光刻胶,其中光刻胶提供完全覆盖SiN膜中的开口的...
光学模块制造技术
本发明公开了一种包括源组件的光学模块。该源组件设置有半导体光学器件、布线基板和桥基板。半导体光学器件包括电极和通过该电极接收驱动信号的焊盘。相对于半导体光学器件并排布置的布线基板设置有信号线和围绕信号线的接地线。桥基板包括信号线和围绕信...
半导体器件及形成该半导体器件的处理制造技术
披露了一种主要由氮化物半导体材料制成的场效应晶体管(FET)类型的半导体器件。该FET包括氮化物半导体层叠件,其设置了:主有源区和辅助有源区以及包围有源区的无源区;源电极、漏电极和栅电极;覆盖各电极和半导体层叠件的绝缘膜;以及绝缘膜上的...
控制半导体光放大器和光放大设备的方法技术
本发明公开了一种控制光放大系统的方法,其处理具有PAM4模式的光信号。光放大系统包括可变光衰减器(VOA)和半导体光放大器(SOA)。VOA衰减光信号使得对应于PAM4信号的物理层级之一的该光信号的最大光功率变为等于预设光层级,SOA针...
光学发射机器件制造技术
本发明涉及光学发射机器件。公开了一种光学发射机器件。该光学发射机器件包括光学集成器件、载体、和热电制冷器(TEC)。载体具有顶表面以及与顶表面相对的背表面。载体包括绝缘板和附接到绝缘板的金属板。该金属板具有比绝缘板的热导率更好的热导率。...
光收发器制造技术
本文公开了一种插拔式光收发器,其中,该光收发器设置有壳体、盖件和屏蔽用指形件。盖件和屏蔽用指形件与壳体组装起来,使得屏蔽用指形件将盖件紧固在壳体上。壳体设置有收纳屏蔽用指形件的端部的凹部。凹部设置有负斜面,凹部的横截面随着前进至凹部的底...
半导体衬底的形成方法技术
本发明公开了一种形成外延衬底的方法,其中该外延衬底包括在由碳化硅(SiC)制成的衬底上生长的由氮化铝(AlN)制成的成核层。该方法包括以下步骤:(1)首先测量SiC衬底表面的第一反射率R0;(2)生长由AlN制成的成核层,同时测量AlN...
光收发器及光收发器插拔机构制造技术
本发明提供能够更可靠地将光收发器和保持架的卡合状态解除的光收发器及光收发器插拔机构。光收发器是沿第1方向相对于保持架进行插拔的光收发器,具有:框体,其具有第2卡合部,该第2卡合部与保持架所具有的第1卡合部卡合而防止光收发器从保持架拔出;...
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