放大装置以及匹配电路基板制造方法及图纸

放大装置具备基底基板、放大元件以及匹配电路基板。放大元件安装于基底基板上。匹配电路基板安装于基底基板上，具有电连接于放大元件的电路图案。匹配电路基板具有分别在该匹配电路基板的长尺寸方向上延伸的第一侧面和第二侧面。在第一侧面设有第一凹部。在第二侧面设有与第一凹部相对的第二凹部。设有与第一凹部相对的第二凹部。设有与第一凹部相对的第二凹部。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】放大装置以及匹配电路基板


[0001]本公开涉及放大装置以及匹配电路基板。
[0002]本申请主张基于2020年3月30日提出申请的日本申请第2020－060465号的优先权，并援引记载于所述日本申请的全部记载内容。

技术介绍

[0003]作为高频放大装置，例如在专利文献1中公开了一种涉及内部匹配型高输出场效应晶体管的技术。该内部匹配型高输出场效应晶体管具备：封装件；放大元件，用于在封装件上对高频(RF：Radio Frequency(射频))信号进行放大；输入侧匹配电路，连接于放大元件的输入端与封装件的输入端子之间，进行阻抗变换；以及输出侧匹配电路，连接于放大元件的输出端与封装件的输出端子之间，进行阻抗变换。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开昭63－86904号公报

技术实现思路

[0007]本公开的一个方案涉及放大装置。该放大装置具备基底基板、放大元件以及匹配电路基板。放大元件安装于基底基板上。匹配电路基板安装于基底基板上，具有电连接于放大元件的电路图案。匹配电路基板具有分别在该匹配电路基板的长尺寸方向上延伸的第一侧面和第二侧面。在第一侧面设有第一凹部。在第二侧面设有与第一凹部相对的第二凹部。
[0008]本公开的另一方案涉及匹配电路基板。该匹配电路基板能安装于基底基板上，并且具备电路图案来进行阻抗变换。匹配电路基板具有分别在匹配电路基板的长尺寸方向上延伸的第一侧面和第二侧面。在第一侧面设有第一凹部。在第二侧面设有与第一凹部相对的第二凹部。
附图说明
[0009]图1是表示一个实施方式的高频放大装置的内部构成的俯视图。
[0010]图2是沿着图1的II－II线的高频放大装置的剖视图。
[0011]图3A是表示图1所示的输入侧的匹配电路的俯视图。
[0012]图3B是表示图1所示的输出侧的匹配电路的俯视图。
[0013]图4是表示比较例的高频放大装置的一部分的立体图。
[0014]图5A是沿着图4的VA－VA线的高频放大装置的剖视图。
[0015]图5B是用于对图5A的匹配电路受到了温度变化的影响的情形进行说明的图。
[0016]图6是表示比较例的电介质基板的应力分布状态的图。
[0017]图7是表示本实施方式的电介质基板的应力分布状态的图。
[0018]图8是表示变形例的匹配电路的俯视图。
[0019]图9是表示变形例的电介质基板的应力分布状态的图。
[0020]图10A是表示变形例的凹部的图。
[0021]图10B是表示变形例的凹部的图。
[0022]图10C是表示变形例的凹部的图。
具体实施方式
[0023][本公开所要解决的问题][0024]用于构成专利文献1所记载的输入侧匹配电路或输出侧匹配电路的匹配电路基板主要用于在阻抗变换中构成电容性的电路。因此，从得到所期望的电容的观点出发，有时会规定匹配电路基板的厚度。此外，匹配电路基板的厚度有时会受安装于与该匹配电路基板共用的封装件的其他电子部件的尺寸(与该匹配电路基板不同的基板的厚度或空腔(cavity)的高度等)制约。在这些情况下，可以想到使用具有比较薄的范围(例如0.1mm至0.5mm)的厚度的构件来作为匹配电路基板。
[0025]再者，可以想到高频放大装置在市场上在宽范围的温度条件(例如－65℃至150℃)下使用。当在该温度的范围内产生温度变化时，如果构成安装有匹配电路基板的封装件的材料的线膨胀系数与构成匹配电路基板的材料的线膨胀系数不同，则匹配电路基板会受到拉伸应力或压缩应力等的影响。如上所述，匹配电路基板具有比较薄的厚度，因此可以想到由于受到这些应力的影响而可能会在匹配电路基板非特定地产生裂缝等。在这样的情况下，根据产生了裂缝的部位，恐怕会损害匹配电路基板的电路功能。
[0026]然而，在通过采用避免匹配电路基板的裂缝的产生这样的构成(例如，匹配电路基板的厚度、匹配电路基板的外形尺寸、封装件上的匹配电路基板的安装位置以及封装件的基材的种类等)来进行了应对的情况下，每当变更构成时都需要试验等应对而费时费力。
[0027][本公开的效果][0028]根据本公开，能减轻匹配电路基板的电路功能的损失的程度。
[0029][本公开的实施方式的说明][0030]首先，列举本公开的实施方式的内容来进行说明。一个实施方式的放大装置具备基底基板、放大元件以及匹配电路基板。放大元件安装于基底基板上。匹配电路基板安装于基底基板上，具有电连接于放大元件的电路图案。匹配电路基板具有分别在该匹配电路基板的长尺寸方向上延伸的第一侧面和第二侧面。在第一侧面设有第一凹部。在第二侧面设有与第一凹部相对的第二凹部。
[0031]在该放大装置中，在匹配电路基板的第一侧面和第二侧面分别设有彼此相对的第一凹部和第二凹部。在这样的匹配电路基板产生了可能产生裂缝的应力的情况下，第一凹部或第二凹部优先地成为该裂缝的起点。此外，裂缝容易以沿着将第一凹部和第二凹部连结的线的方式产生。因此，能通过第一凹部和第二凹部来控制匹配电路基板中的裂缝的产生部位。因此，通过以将该第一凹部和第二凹部连结的线位于能减轻电路功能的损失的程度的位置(例如，匹配电路不会电断路的位置)的方式设置第一凹部和第二凹部，即使在匹配电路基板产生了裂缝的情况下，也能减轻匹配电路基板的电路功能的损失的程度。根据这样的构成，即使在构成基底基板的材料的线膨胀系数与匹配电路基板的材料的线膨胀系数彼此不同的情况下，也能减轻由温度变化而引起的匹配电路基板的电路功能的损失的程
度。
[0032]在一个实施方式的放大装置中，也可以是，第一凹部的顶端和第二凹部的顶端位于在与长尺寸方向正交的方向上延伸的同一直线上。在该情况下，第一凹部与第二凹部的位置关系成为最短距离的关系。
[0033]在一个实施方式的放大装置中，也可以是，第一凹部和第二凹部设于长尺寸方向上的匹配电路基板的大致中央。
[0034]在一个实施方式的放大装置中，也可以是，将第一凹部和第二凹部连结的线与电路图案分离。在该情况下，即使在匹配电路基板产生了裂缝的情况下，也能避免裂缝扩及电路图案。因此，能减轻该电路图案中电路功能的损失的程度，能维持电路功能。
[0035]在一个实施方式的放大装置中，也可以是，匹配电路基板还具有电阻图案。也可以是，将第一凹部和第二凹部连结的线与电阻图案分离。在该情况下，即使在匹配电路基板产生了裂缝的情况下，也能避免裂缝扩及电阻图案。因此，能减轻通过该电阻图案得到的功能的损失的程度，能维持通过电阻图案得到的功能。
[0036]在一个实施方式的放大装置中，也可以是，匹配电路基板具有供电路图案设置的电介质基板。也可以是，第一凹部和第二凹部设于电介质基板。也可以是，构成基底基板的材料包括铜的合金。也可以是，电介质基板包含钛酸钡。包含钛酸钡(BaTiO3)的电介质基板是塑性体，因此可以想到在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种放大装置，具备：基底基板；放大元件，安装于所述基底基板上；以及匹配电路基板，安装于所述基底基板上，具有电连接于所述放大元件的电路图案，所述匹配电路基板具有分别在该匹配电路基板的长尺寸方向上延伸的第一侧面和第二侧面，在所述第一侧面设有第一凹部，在所述第二侧面设有与所述第一凹部相对的第二凹部。2.根据权利要求1所述的放大装置，其中，所述第一凹部的顶端和所述第二凹部的顶端位于在与所述长尺寸方向正交的方向上延伸的同一直线上。3.根据权利要求1所述的放大装置，其中，所述第一凹部和所述第二凹部设于所述长尺寸方向上的所述匹配电路基板的大致中央。4.根据权利要求1所述的放大装置，其中，将所述第一凹部和所述第二凹部连结的线与所述电路图案分离。5.根据权利要求1所述的放大装置，其中，所述匹配电路基板还具有电阻图案，将所述第一凹部和所述第二凹部连结的线与所述电阻图案分离。6.根据权利要求1至3中任一项所述的放大装置，其中，所述匹配电路基板具有供所述电路图案设置的电介质基板，所述第一凹部和所述第二凹部设于所述电介质基板，构成所述基底基板的材料包含铜，所述电介质基板包含钛酸钡。7.根据权利要求6所述的放大装置，其中，所述基底基板的厚度为1mm以上且3mm以...

【专利技术属性】
技术研发人员：南匡，
申请(专利权)人：住友电工光电子器件创新株式会社，
类型：发明
国别省市：