【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及无源元件以及电子装置。本申请主张基于在2021年6月11日提出申请的日本申请第2021－098158号的优先权，并引用所述日本申请所记载的所有记载内容。
技术介绍
1、专利文献1公开了半导体装置及其封装件的构成。该半导体装置具备半导体芯片和电路基板。半导体芯片和电路基板收纳于封装件。电路基板由陶瓷等构成。在电路基板上形成有：分配和合成功率的电路、匹配晶体管的输入输出阻抗的电路、以及将分配和合成功率的电路与匹配输入输出阻抗的电路相互连接的表面布线。封装件具有输入用引线和输入用接线焊盘。电路基板通过接合线与输入用接线焊盘连接。电路基板通过其他接合线与半导体芯片连接。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开平10－294401号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的问题
2、在例如放大装置这样的电子装置中，有时使用电容器等无源元件。在输入输出具有例如100mhz以上的频率的高频信号的电子装置的情况下，电容器用于使内置于电子装置的半导体元件的输入阻抗和输出阻抗匹配。作为一个例子，如上述的专利文献1所记载的构成那样，通过将具有陶瓷基板和设于陶瓷基板上的金属焊盘的构件配置于导电性的基座上，能在金属焊盘与基座之间得到电容。在该情况下，基座被规定为恒电位、例如与半导体元件共用的接地电位，金属焊盘通过引线等与半导体元件的信号输入端子或信号输出端子连接。
3、在此，考虑使用在半导体基板上形成有绝缘膜的基板来代替
4、本公开的目的在于，在半导体基板上具有绝缘膜、在绝缘膜上具有金属焊盘的无源元件中，抑制高频信号的衰减。
5、用于解决问题的方案
6、本公开的第一无源元件具备：半导体基板、第一绝缘膜、第一金属焊盘、第一导电体以及第一导电膜。半导体基板具有p型或n型的导电型，具有主面和背面。第一绝缘膜设于半导体基板的主面中的第一区域上。第一金属焊盘是设于第一绝缘膜上的金属焊盘。第一导电体从第一金属焊盘起在第一方向上延伸。第一导电膜设于半导体基板的主面中与第一区域在第一方向上邻接的第二区域上。第一导电膜与半导体基板的主面欧姆连接，具有比半导体基板的电阻率小的电阻率。
7、本公开的第二无源元件具备：半导体基板、导电膜、第一绝缘膜、第一金属焊盘以及第一导电体。半导体基板具有p型或n型的导电型，具有主面和背面。导电膜设于半导体基板的主面中包括第一区域和与第一区域在第一方向上邻接的第二区域的区域上。导电膜与半导体基板的主面欧姆连接，具有比半导体基板的电阻率小的电阻率。第一绝缘膜设于第一区域上且设于导电膜上。第一金属焊盘是设于第一绝缘膜上的金属焊盘。第一导电体从第一金属焊盘起在第一方向上延伸。
8、本公开的电子装置具备：壳体、半导体元件、无源元件、第二导电体以及第三导电体。壳体具有信号端子和导电性的基座。半导体元件具有信号用电极和导电接合于基座的接地电极，搭载于基座上。无源元件具有：半导体基板、第一绝缘膜、第一金属焊盘、第一导电体、第一导电膜、第二绝缘膜以及第二金属焊盘。半导体基板搭载于基座上，具有p型或n型的导电型，具有主面和背面。第一绝缘膜设于半导体基板的主面中的第一区域上。第一金属焊盘设于第一绝缘膜上。第一导电体连接于第一金属焊盘，从第一金属焊盘起在第一方向上延伸。第一导电膜设于第二区域上。第二区域在半导体基板的主面中与第一区域在第一方向上邻接且位于第一导电体之下。第一导电膜与半导体基板的主面欧姆连接，具有比半导体基板的电阻率小的电阻率。第二绝缘膜设于与第二区域在第一方向上邻接的第三区域上。第二金属焊盘与第一导电体连接，设于第二绝缘膜上。第二导电体将无源元件的第一金属焊盘与信号端子电连接。第三导电体将无源元件的第二金属焊盘与半导体元件的信号用电极电连接。
9、专利技术效果
10、根据本公开，能在半导体基板上具有绝缘膜、在绝缘膜上具有金属焊盘的无源元件中，抑制高频信号的衰减。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种无源元件，具备：
2.根据权利要求1所述的无源元件，还具备：
3.根据权利要求2所述的无源元件，其中，
4.根据权利要求3所述的无源元件，其中，
5.根据权利要求2至4中任一项所述的无源元件，还具备：
6.根据权利要求1至5中任一项所述的无源元件，其中，
7.一种无源元件，具备：
8.根据权利要求1至7中任一项所述的无源元件，还具备：
9.根据权利要求1至8中任一项所述的无源元件，其中，
10.根据权利要求1至9中任一项所述的无源元件，其中，
11.一种电子装置，具备：
12.一种电子装置，具备：
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种无源元件，具备：
2.根据权利要求1所述的无源元件，还具备：
3.根据权利要求2所述的无源元件，其中，
4.根据权利要求3所述的无源元件，其中，
5.根据权利要求2至4中任一项所述的无源元件，还具备：
6.根据权利要求1至5中任一项所述的无源元件，其中，...
【专利技术属性】
技术研发人员：川崎贤人，森拓磨，
申请(专利权)人：住友电工光电子器件创新株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。