【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体装置及其制造方法。
技术介绍
1、在具有氮化物半导体层的hemt(high electron mobility transistor：高电子迁移率晶体管)中，使用导热性好的碳化硅(sic)基板。在mmic(monolithic microwaveintegrated circuit：单片微波集成电路)中，在基板上设有晶体管和电容器等无源元件(例如专利文献1)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开平11－274853号公报
5、通过使用碳化硅基板，能将在设于氮化物半导体层上的晶体管中产生的热向碳化硅基板的背面高效地排出。但是，在mmic等集成电路中，在与晶体管邻接的区域设有无源元件或有源元件。因此，在晶体管中产生的热会经由碳化硅基板传导至无源元件或有源元件。由此，无源元件或有源元件的温度可能会上升，从而得不到期望的特性。
技术实现思路
1、本公开是鉴于上述问题而完成的，其目的在于抑制在晶体管中产生的热向元件传导。
2、本公开的一个实施方式是一种半导体装置，具备：碳化硅基板；氮化物半导体层，设于所述碳化硅基板的上表面；晶体管，设于所述氮化物半导体层上；以及元件，设于所述碳化硅基板上，所述碳化硅基板具有孔，该孔设于所述晶体管与所述元件之间，且该孔是所述碳化硅基板的至少一部分被从所述碳化硅基板的下表面去除而成的、内部的导热系数比所述碳化硅基板的导热系数小的孔。
3、本公开的一个实施
4、专利技术效果
5、根据本公开，能抑制在晶体管中产生的热向元件传导。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体装置，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，具备：
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，具备：
5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其中，
8.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其中，
9.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其中，
10.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其中，
11.一种半导体装置的制造方法，包括以下工序：
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，具备：
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，具备：
5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，
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【专利技术属性】
技术研发人员：中野拓真，
申请(专利权)人：住友电工光电子器件创新株式会社，
类型：发明
国别省市：
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