半导体装置、制造方法、封装件以及单片微波集成电路制造方法及图纸

本公开提供能提高耐湿性的半导体装置、单片微波集成电路、半导体封装件以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有：半导体基板；半导体元件，形成于半导体基板之上；第一绝缘膜，覆盖半导体元件；第二绝缘膜，形成于第一绝缘膜之上；以及第三绝缘膜，形成于第二绝缘膜之上，第一绝缘膜和第三绝缘膜与第二绝缘膜相比不易使水分透过，第二绝缘膜的介电常数比第一绝缘膜和第三绝缘膜的介电常数低，第一绝缘膜具有与半导体基板的上表面的第一区域相接的第一部分，第三绝缘膜具有与第一部分的上表面和侧面以及半导体基板的上表面的比第一区域远离半导体元件的第二区域相接的第二部分。离半导体元件的第二区域相接的第二部分。离半导体元件的第二区域相接的第二部分。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置、制造方法、封装件以及单片微波集成电路


[0001]本公开涉及半导体装置、单片微波集成电路、半导体封装件以及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]存在一种在半导体基板上设有层间绝缘膜的半导体装置。在该半导体装置中，为了提高耐湿性而将有机系层间绝缘膜和无机膜进行层叠(专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2004－47575号公报
[0006]近年来，随着半导体基板的薄膜化而容易产生翘曲。当翘曲产生时，无机膜容易从半导体基板剥离。该无机膜的剥离会使半导体装置的耐湿性降低。

技术实现思路

[0007]本公开的目的在于，提供能提高耐湿性的半导体装置、单片微波集成电路、半导体封装件以及半导体装置的制造方法。
[0008]本公开的半导体装置具有：半导体基板；半导体元件，形成于所述半导体基板之上；第一绝缘膜，覆盖所述半导体元件；第二绝缘膜，形成于所述第一绝缘膜之上；以及第三绝缘膜，形成于所述第二绝缘膜之上，所述第一绝缘膜和所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具有：半导体基板；半导体元件，形成于所述半导体基板之上；第一绝缘膜，覆盖所述半导体元件；第二绝缘膜，形成于所述第一绝缘膜之上；以及第三绝缘膜，形成于所述第二绝缘膜之上，所述第一绝缘膜和所述第三绝缘膜与所述第二绝缘膜相比不易使水分透过，所述第二绝缘膜的介电常数比所述第一绝缘膜和所述第三绝缘膜的介电常数低，所述第一绝缘膜具有与所述半导体基板的上表面的第一区域相接的第一部分，所述第三绝缘膜具有与所述第一部分的上表面和侧面以及所述半导体基板的所述上表面的比所述第一区域远离所述半导体元件的第二区域相接的第二部分。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一绝缘膜和所述第三绝缘膜包含氮化硅或氧化硅，所述第二绝缘膜包含聚酰亚胺。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述半导体装置包括多个选自由氮化硅膜和氧化硅膜构成的组的至少一种无机膜，所述第三绝缘膜在多个所述无机膜中离所述半导体元件最远。4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述半导体基板具有：第一平面，形成于所述第一区域；以及第二平面，形成于所述第二区域，所述第二平面比所述第一平面靠近所述半导体基板的下表面。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述半导体基板具有：基板；以及半导体层，形成于所述基板之上，所述第二平面形成于所述半导体层。6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，具有：布线层，形成于所述第二绝缘膜之上，被所述第三绝缘膜覆盖。7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，具有：第四绝缘膜，形成于所述第一绝缘膜与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：松田庆太，
申请(专利权)人：住友电工光电子器件创新株式会社，
类型：发明
国别省市：