电容器及其制造方法技术

本发明专利技术提供能改善耐压的电容器及其制造方法。电容器具备：基板(10)；第一电极(14)，设于基板上；电介质膜(16)，设于第一电极上；第二电极(18)，设于电介质膜上，在从基板的上表面的法线方向上的上方看去的俯视观察时，第二电极的外周(53)位于比第一电极的外周(51)靠内侧处；第三电极(20)，在俯视观察时的第二电极的内侧的区域(50)与第二电极接触，在俯视观察时的区域的外侧在上方远离第二电极和电介质膜，在俯视观察时，第三电极的外周(54)位于比第一电极的外周和电介质膜的外周(52)靠内侧处；以及保护膜(22)，覆盖第二电极和第三电极并与第二电极和第三电极接触。并与第二电极和第三电极接触。并与第二电极和第三电极接触。

【技术实现步骤摘要】
电容器及其制造方法


[0001]本专利技术涉及电容器及其制造方法。

技术介绍

[0002]已知一种在基板上层叠有第一电极、电介质膜以及第二电极的电容器。已知在第二电极上形成例如用作布线的第三电极(例如专利文献1)。第三电极在第二电极的中央附近与第二电极接触，在第二电极的外周附近被设为在上方远离第二电极。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2018－6620号公报
[0006]然而，有时电容器的耐压变低。

技术实现思路

[0007]本公开是鉴于上述问题而完成的，其目的在于改善耐压。
[0008]本公开的一个实施方式是电容器，该电容器具备：基板；第一电极，设于所述基板上；电介质膜，设于所述第一电极上；第二电极，设于所述电介质膜上，在从所述基板的上表面的法线方向上的上方看去的俯视观察时，所述第二电极的外周位于比所述第一电极的外周靠内侧处；第三电极，在所述俯视观察时的所述第二电极的内侧的区域与所述第二电极接触，在所述俯视观察时的所述区域的外侧在所述上方远离所述第二电极和所述电介质膜，在所述俯视观察时，所述第三电极的外周位于比所述第一电极的外周和所述电介质膜的外周靠内侧处；以及保护膜，覆盖所述第二电极和所述第三电极并与所述第二电极和所述第三电极接触。
[0009]本公开的一个实施方式是电容器的制造方法，该电容器的制造方法包括以下工序：在基板上形成第一电极；在所述第一电极上形成电介质膜；在所述电介质膜上形成第二电极，其中，在从所述基板的上表面的法线方向上的上方看去的俯视观察时，所述第二电极的外周位于比所述第一电极的外周靠内侧处；形成第三电极，其中，所述第三电极在所述俯视观察时的所述第二电极的内侧的区域与所述第二电极接触，所述第三电极在所述俯视观察时的所述区域的外侧在所述上方远离所述第二电极和所述电介质膜，在所述俯视观察时，所述第三电极的外周位于比所述第一电极的外周和所述电介质膜的外周靠内侧处；在所述俯视观察时的比所述第二电极的外周靠外侧处的所述电介质膜的上表面露出的状态下，去除形成于所述第三电极的上表面的无用层；以及在去除所述无用层的工序后，形成覆盖所述第二电极和所述第三电极并与所述第二电极和所述第三电极接触的保护膜。
[0010]专利技术效果
[0011]根据本公开，能改善耐压。
附图说明
[0012]图1是实施例1的电容器的剖视图。
[0013]图2是实施例1的电容器的俯视图。
[0014]图3A是表示实施例1的电容器的制造方法的剖视图。
[0015]图3B是表示实施例1的电容器的制造方法的剖视图。
[0016]图4A是表示实施例1的电容器的制造方法的剖视图。
[0017]图4B是表示实施例1的电容器的制造方法的剖视图。
[0018]图5A是表示实施例1的电容器的制造方法的剖视图。
[0019]图5B是表示实施例1的电容器的制造方法的剖视图。
[0020]图6A是表示实施例1的电容器的制造方法的剖视图。
[0021]图6B是表示实施例1的电容器的制造方法的剖视图。
[0022]图7A是表示实施例1的电容器的制造方法的剖视图。
[0023]图7B是表示实施例1的电容器的制造方法的剖视图。
[0024]图8是表示实施例1的电容器的其他例子的剖视图。
[0025]图9是比较例1的电容器的剖视图。
[0026]图10是表示比较例2的电容器的制造方法的剖视图。
[0027]图11A是表示比较例3的电容器的制造方法的剖视图。
[0028]图11B是表示比较例3的电容器的制造方法的剖视图。
[0029]图12是表示实施例1中的电容器的制造方法的剖视图。
[0030]图13是表示实施例1中的电容器的制造方法的剖视图。
[0031]附图标记说明
[0032]10、10a：基板；10b：半导体层；12、24、26：绝缘体膜；14：第一电极；16：电介质膜；18：第二电极；20：第三电极；20a：种子层；20b：镀覆层；21：电极；22：保护膜；23：无用层；27：开口；28：针孔；40、42：掩模层；41、43：开口；44：掩模层(第一掩模层)；45：开口(第一开口)；46：掩模层(第二掩模层)；47：开口(第二开口)；48、48a：离子；50、56、58：区域；51～55：外周；57：箭头；60：MIM电容器。
具体实施方式
[0033][本公开的实施方式的说明][0034]首选，列举出本公开的实施方式的内容来进行说明。
[0035](1)本公开的一个实施方式是电容器，该电容器具备：基板；第一电极，设于所述基板上；电介质膜，设于所述第一电极上；第二电极，设于所述电介质膜上，在从所述基板的上表面的法线方向上的上方看去的俯视观察时，所述第二电极的外周位于比所述第一电极的外周靠内侧处；第三电极，在所述俯视观察时的所述第二电极的内侧的区域与所述第二电极接触，在所述俯视观察时的所述区域的外侧在所述上方远离所述第二电极和所述电介质膜，在所述俯视观察时，所述第三电极的外周位于比所述第一电极的外周和所述电介质膜的外周靠内侧处；以及保护膜，覆盖所述第二电极和所述第三电极并与所述第二电极和所述第三电极接触。由此，能改善耐压。
[0036](2)优选的是，所述第三电极的外周与所述第二电极的外周在所述俯视观察时的
距离为所述电介质膜的厚度的0.5倍以上。
[0037](3)优选的是，所述第三电极的外周与所述第二电极的外周在所述俯视观察时的距离为与所述基板的上表面平行的所述第三电极的下表面的外周和所述第二电极的上表面从所述基板的上表面的面方向观察时的高度的0.3倍以上。
[0038](4)优选的是，与所述基板的上表面平行的所述第三电极的下表面的外周和所述第二电极的上表面从所述基板的上表面的面方向观察时的高度为所述第三电极的外周与所述区域的外周在所述俯视观察时的距离的0.5倍以上。
[0039](5)优选的是，所述第三电极上的所述保护膜的厚度与所述第二电极上的所述保护膜的厚度相同。
[0040](6)优选的是，所述第三电极具备：种子层，设于所述第二电极上；以及镀覆层，设于所述种子层上。
[0041](7)本公开的一个实施方式是电容器的制造方法，该电容器的制造方法包括以下工序：在基板上形成第一电极；在所述第一电极上形成电介质膜；在所述电介质膜上形成第二电极，其中，在从所述基板的上表面的法线方向上的上方看去的俯视观察时，所述第二电极的外周位于比所述第一电极的外周靠内侧处；形成第三电极，其中，所述第三电极在所述俯视观察时的所述第二电极的内侧的区域与所述第二电极接触，所述第三电极在所述俯视观察时的所述区域的外侧在所述上方远离所述第二电极和所述电介质膜，在所述俯视观察时，所述第三电极的外周位于比所述第一电极的外周和所述电介质膜的外周靠内侧处；在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电容器，具备：基板；第一电极，设于所述基板上；电介质膜，设于所述第一电极上；第二电极，设于所述电介质膜上，在从所述基板的上表面的法线方向上的上方看去的俯视观察时，所述第二电极的外周位于比所述第一电极的外周靠内侧处；第三电极，在所述俯视观察时的所述第二电极的内侧的区域与所述第二电极接触，在所述俯视观察时的所述区域的外侧在所述上方远离所述第二电极和所述电介质膜，在所述俯视观察时，所述第三电极的外周位于比所述第一电极的外周和所述电介质膜的外周靠内侧处；以及保护膜，覆盖所述第二电极和所述第三电极并与所述第二电极和所述第三电极接触。2.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述第三电极的外周与所述第二电极的外周在所述俯视观察时的距离为所述电介质膜的厚度的0.5倍以上。3.根据权利要求1或2所述的电容器，其中，所述第三电极的外周与所述第二电极的外周在所述俯视观察时的距离为与所述基板的上表面平行的所述第三电极的下表面的外周和所述第二电极的上表面从所述基板的上表面的面方向观察时的高度的0.3倍以上。4.根据权利要求1至3中任一项所述的电容器，其中，与所述基板的上表面平行的所述第三电极的下表面的外周和所述第二电极的上表面从所述基板的上表面的面方向观察时的高度为所述第三电极的外周与所述区域的外周在所述俯视观察时的距离的0.5倍以上。5.根据权利要求1至4中任一项所述的电容器，其中，所述第三电极上的所述保护膜的厚度与所述第二电极上的所述保护膜的厚度相同。6.根据权利要求1至5中任一项所述的电容器，其中，所述第三电极具备：种子层，设于所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：四田泰代，
申请(专利权)人：住友电工光电子器件创新株式会社，
类型：发明
国别省市：