半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本公开提供一种能减少试制的次数的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法具有以下工序：将第一基座装配于成膜装置；测定所述第一基座的翘曲的大小；根据所述测定出的第一基座的翘曲的大小设定第一初始成膜条件来作为所述成膜装置的成膜条件；以及将多个第一晶片载置于所述第一基座之上，在所述多个第一晶片以所述成膜条件形成第一膜，设定所述第一初始成膜条件的工序具有从储存有数据库的记录介质读出所述第一初始成膜条件的工序，所述数据库包括使基座的翘曲的大小与形成第一膜时的初始成膜条件建立了对应的多个数据。时的初始成膜条件建立了对应的多个数据。时的初始成膜条件建立了对应的多个数据。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法


[0001]本公开涉及一种半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]氮化物半导体膜等半导体膜例如在装配于成膜室内的基座之上载置多个晶片而形成(专利文献1、2)。
[0003]在基座有时会产生翘曲。此外，基座在成膜时在高温下暴露于腐蚀性气体而消耗，因此被频繁地更换。在基座的翘曲的方向或量在更换的前后不同的情况下，若成膜室内的成膜条件在更换的前后相同，则由于基座的翘曲的方向或量发生变化，因此形成于晶片上的膜的膜厚分布也发生变化。因此，以往，在基座更换后，为了决定适合批量生产的批量生产成膜条件而进行了膜的试制。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2004－95780号公报
[0007]专利文献2：日本特开2012－156196号公报
[0008]在以往的制造方法中，若为了增加载置于一个基座的晶片的数量而使基座大型化，则基座更换后的基座的翘曲的方向或量的变化量变大。因此，用于决定适合批量生产的批量生产成膜条件的试制次数会增加。

技术实现思路

[0009]本公开的目的在于提供一种能减少试制的次数的半导体装置的制造方法。
[0010]本公开的半导体装置的制造方法具有以下工序：将第一基座装配于成膜装置；测定所述第一基座的翘曲的大小；根据所述测定出的第一基座的翘曲的大小设定第一初始成膜条件来作为所述成膜装置的成膜条件；以及将多个第一晶片载置于所述第一基座之上，在所述多个第一晶片以所述成膜条件形成第一膜，设定所述第一初始成膜条件的工序具有从储存有数据库的记录介质读出所述第一初始成膜条件的工序，所述数据库包括使基座的翘曲的大小与形成第一膜时的初始成膜条件建立了对应的多个数据。
[0011]专利技术效果
[0012]根据本公开，能减少试制的次数。
附图说明
[0013]图1是表示在MOCVD法中使用的成膜室的内部的一个例子的示意图。
[0014]图2是将图1中的区域R放大表示的示意图。
[0015]图3是表示在图1中的区域R形成于晶片的GaN膜的生长速率的分布的图。
[0016]图4是表示在MOCVD法中使用的成膜室的内部的另一个例子的示意图。
[0017]图5是将图4中的区域R放大表示的示意图。
[0018]图6是表示在图4中的区域R形成于晶片的GaN膜的生长速率的分布的图。
[0019]图7是表示在MOCVD法中使用的成膜室的内部的又一个例子的示意图。
[0020]图8是将图7中的区域R放大表示的示意图。
[0021]图9是表示在图7中的区域R形成于晶片的GaN膜的生长速率的分布的图。
[0022]图10是表示基座的翘曲的大小与生长速率之差的关系的一个例子的图。
[0023]图11是表示参考例的半导体装置的制造方法的流程图。
[0024]图12是表示实施方式的半导体装置的制造方法的流程图。
[0025]图13是表示在实施方式的半导体装置的制造方法中使用的成膜装置的示意图。
[0026]图14是表示基座的示意图。
[0027]图15是表示加热器单元的示意图。
[0028]图16是表示基座的表面的形状的近似方法的图。
[0029]图17是表示测定膜厚的点所排列的直线的一个例子的图。
[0030]图18是表示数据库的构建方法的流程图。
[0031]图19是表示实施方式的变形例的半导体装置的制造方法的流程图。
[0032]附图标记说明
[0033]1：成膜装置
[0034]2：成膜室
[0035]3：加热器单元
[0036]4、22：喷头
[0037]5：控制部
[0038]6：数据库
[0039]7、11、12、13：基座
[0040]7X：圆弧
[0041]8：凹穴(pocket)区域
[0042]9、21：壁
[0043]10：定向平面(orientation flat)
[0044]23：原料气体
[0045]24：排气气体
[0046]25：气流
[0047]26：半导体膜
[0048]27：Ga升华气体
[0049]28：附着物
[0050]30：加热器
[0051]31：公转轴
[0052]41：记录介质
[0053]42、142：存储介质
[0054]L：直线
[0055]O：中心
[0056]R：区域
[0057]T：温度
[0058]W：晶片。
具体实施方式
[0059][本公开的实施方式的说明][0060]首先，列举本公开的实施方案来进行说明。
[0061]〔1〕本公开的一个方案的半导体装置的制造方法具有以下工序：将第一基座装配于成膜装置；测定所述第一基座的翘曲的大小；根据所述测定出的第一基座的翘曲的大小设定第一初始成膜条件来作为所述成膜装置的成膜条件；以及将多个第一晶片载置于所述第一基座之上，在所述多个第一晶片以所述成膜条件形成第一膜，设定所述第一初始成膜条件的工序具有从储存有数据库的记录介质读出所述第一初始成膜条件的工序，所述数据库包括使基座的翘曲的大小与形成第一膜时的初始成膜条件建立了对应的多个数据。
[0062]数据库包括使基座的翘曲的大小与形成第一膜时的初始成膜条件建立了对应的多个数据。因此，在装配基座后，从数据库读出与基座的翘曲的大小对应的初始成膜条件，并根据该初始成膜条件开始试制，由此能通过少的次数的试制来决定批量生产成膜条件。
[0063]〔2〕在〔1〕中，也可以是，所述成膜装置具有对所述第一基座进行加热的多个加热器，所述成膜条件包括所述多个加热器的设定温度。在该情况下，易于通过少的次数的试制来决定适合批量生产的加热器平衡。
[0064]〔3〕在〔2〕中，也可以是，所述多个加热器被配置为同心圆状。在该情况下，易于进行呈同心圆状载置于基座之上的多个第一晶片的温度控制。
[0065]〔4〕在〔1〕～〔3〕中，也可以是，形成所述第一膜的工序具有通过金属有机化学气相沉积法使半导体膜外延生长的工序。在该情况下，易于决定用于氮化物半导体膜等半导体膜的批量生产成膜条件。
[0066]〔5〕在〔1〕～〔4〕中，也可以是，在形成所述第一膜的工序之后，具有以下工序：获取所述第一晶片之上的所述第一膜的厚度的第一分布；以及在所述第一分布满足预先确定的膜厚分布条件的情况下，将所述初始成膜条件决定为批量生产成膜条件。在该情况下，能迅速地转变成批量生产。
[0067]〔6〕在〔5〕中，也可以是，具有以下工序：在所述第一分布未满足所述膜厚分布条件的情况下，反复进行根据所述第一分布来变更所述成膜条件的工序、更换所述多个第一晶片的工序、在更换后的所述多个第一晶片以变更后的所述成膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，具有以下工序：将第一基座装配于成膜装置；测定所述第一基座的翘曲的大小；根据所述测定出的第一基座的翘曲的大小设定第一初始成膜条件来作为所述成膜装置的成膜条件；以及将多个第一晶片载置于所述第一基座之上，在所述多个第一晶片以所述成膜条件形成第一膜，设定所述第一初始成膜条件的工序具有从储存有数据库的记录介质读出所述第一初始成膜条件的工序，所述数据库包括使基座的翘曲的大小与形成第一膜时的初始成膜条件建立了对应的多个数据。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述成膜装置具有对所述第一基座进行加热的多个加热器，所述成膜条件包括所述多个加热器的设定温度。3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，所述多个加热器被配置为同心圆状。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，形成所述第一膜的工序具有通过金属有机化学气相沉积法使半导体膜外延生长的工序。5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，在形成所述第一膜的工序之后，具有以下工序：获取所述第一晶片之上的所述第一膜的厚度的第一分布；以及在所述第一分布满足预先确定的膜厚分布条件的情况下，将所述初始成膜条件决定为批量生产成膜条件。6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，具有以下工序：在所述第一分布未...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫下耕平，
申请(专利权)人：住友电工光电子器件创新株式会社，
类型：发明
国别省市：