【技术实现步骤摘要】
一种用于SiC外延薄膜制备的CVD设备气路系统
[0001]本专利技术涉及CVD设备
，尤其涉及一种用于SiC外延薄膜制备的CVD设备气路系统。
技术介绍
[0002]现有的化学气相沉积设备通常由微波系统、真空及测量系统、保护系统和气路系统构成，现有的气路系统通常通过单个气路配合控制阀将参与反应的各反应气体直接发送给化学气相沉积设备的真空反应腔内，虽然通过外部控制的方式控制反应气体进入真空反应腔的质量，但是在反应气体进入到真空反应腔后由于通入的部位不同，这样造成的后果是各反应气体直接在真空反应腔内参与各种反应，相互干扰或真空反应腔内局部位置的各反应气体含量不一，造成在借助空间气相化学反应在衬底表面沉积固态薄膜时，即在生成SiC外延薄膜时，无法对其内部的气体进行统一均匀等比混合、控制检测维修，从而影响其SiC外延薄膜生成的质量；针对上述的技术缺陷，现提出一种解决方案。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的在于：通过设置气路、第一气体电磁阀、质量流量计、第二气体电磁阀、真空反应腔、气压检测器、混气装置...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于SiC外延薄膜制备的CVD设备气路系统，包括气路（1）、第一气体电磁阀（2）、质量流量计（3）、第二气体电磁阀（5）、真空反应腔（6）、气压检测器（7）、控制面板（8）、抽真空机（9）和警报灯（411），其特征在于，还包括混气装置（4），所述气路（1）与混气装置（4）通过气管贯通连接，所述第一气体电磁阀（2）和质量流量计（3）均安装于气路（1）与混气装置（4）之间的气管上，且气路（1）至少设有两道，所述第一气体电磁阀（2）和质量流量计（3）与气路（1）对应设置，所述混气装置（4）与真空反应腔（6）通过气管贯通连接，所述第二气体电磁阀（5）安装于混气装置（4）与真空反应腔（6）之间的气管上，所述混气装置（4）的一侧设有气压检测器（7），所述真空反应腔（6）通过管道与抽真空机（9）贯通连接；所述混气装置（4）包括混气罐（401）、空心转杆（402）、隔板（405）、分子过滤膜（406）和伺服电机（410），所述混气罐（401）开设有进气口和出气口，所述进气口设于混气罐（401）的顶部，进气口通过气管与气路（1）贯通连接，所述伺服电机（410）固定设于混气罐（401）的顶部中心处，所述空心转杆（402）转动设于混气罐（401）内，且空心转杆（402）的一端贯穿混气罐（401）的内壁延伸到其外部并与伺服电机（410）的输出轴固定连接，所述隔板（405）和分子过滤膜（406）固定设于混气罐（401）内，且隔板（405）设于分子过滤膜（406）的正上方，且隔板（405）和分子过滤膜（406）与混气罐（401）的内壁间隙配合构成初步混合空腔、清洁混气空腔和深度混合空腔；出气口设于过滤膜层与隔板（405）之间，出气口通过气管与真空反应腔（6）贯通连接，所述空心转杆（402）的外端固定套设有第一混合叶片（407）、第二混合叶片（408）和回旋组件（409），所述第一混合叶片（407）设于隔板（405）的正上方，所述第二混合叶片（408）和回旋组件（409）设于分子过滤膜（406）的正下方，且第二混合叶片（408）设于回旋组件（409）的正上方，所述空心转杆（402）开设有进气孔（403）和出气孔（404），所述进气孔（403）位于隔板（405）的上方，所述出气孔（404）设于回旋组件（409）内；所述控制面板（8）包括信息采集模块、数据收集模块和分析执行模块；信息采集模块，用于采集气路（1）系统的流质状况信息和混气装置（4）的混气工况状态信息并将其发送给分析执行模块；数据收集模块，用于收集真空反应腔（6）的内部反应信息并将其发送给分析执行模块；分析执行模块，用于接收气路（1）系统的流质状况信息、混气装置（4）的混气工况状态信息和真空反应腔（6）的内部反应信息，对其进行计算得到反应气体均匀变化量和真空反应腔（6）内部的反应变化量，还将反应气体均匀变化量和真空反应腔（6）内部的反应变化量进行对比并产生第一控制信号或第二控制信号，还用于控制对应的部件工作。2.根据权利要求1所述的一种用于SiC外延薄膜制备的CVD设备气路系统，其特征在于，所述第二混合叶片（408）开设有混合孔（4081），所述第二混合叶片（408）在混合孔（4081）...
【专利技术属性】
技术研发人员：牧青，李宝，文成，
申请(专利权)人：江苏汉印机电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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