一种气体水平流动的外延生长设备制造技术

本发明专利技术公开了一种气体水平流动的外延生长设备，包括反应室，还包括用于往反应室上层通入隔离气体的上层进气装置、以及用于往反应室下层通入工艺气体和载气的下层进气装置。本发明专利技术具有结构简单、可靠，有利于降低反应室壁副反应物沉积对工艺的影响，有效提高工艺稳定性和良率等优点。性和良率等优点。性和良率等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种气体水平流动的外延生长设备


[0001]本专利技术涉及碳化硅材料制造设备领域，尤其涉及一种气体水平流动的外延生长设备。

技术介绍

[0002]SiC器件向大尺寸、超高压、大电流方向的发展对外延层制备技术提出了极大挑战，包括超厚外延层生长、大尺寸高均匀性与低缺陷密度控制等方面。大功率器件的高耐压、低漏电等性能提升对SiC外延层的缺陷控制要求越来越高，对设备工艺生产过程中超快生长速率下的杂质控制、颗粒控制和缺陷调控能力提出了更高要求。研究表明，外延层生长时间的增加或生长速率的提高很容易引起缺陷密度的大幅度增加或新缺陷的产生，导致无法满足器件的制造需求。
[0003]其中，反应室壁副反应物沉积引起的掉落物是造成外延层缺陷的一个重要因素。特别是对气体水平流动技术路线的外延生长设备，工艺气体从反应一端进从反应室另一端出实现水平层流，反应室顶面的副反应物更多，掉落物现象更为严重。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种结构简单、可靠，有利于降低反应室壁副反应物沉积对工艺的影响，有效提高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气体水平流动的外延生长设备，包括反应室(1)，其特征在于：还包括用于往反应室(1)上层通入隔离气体(2)的上层进气装置(3)、以及用于往反应室(1)下层通入工艺气体(4)和载气的下层进气装置(5)。2.根据权利要求1所述的气体水平流动的外延生长设备，其特征在于：所述上层进气装置(3)包括上层匀气室(31)和上层输送管道(32)，所述下层进气装置(5)包括下层匀气室组件(51)和下层输送管道组件(52)，所述上层匀气室(31)和下层匀气室组件(51)一侧设有进气接头(7)且另一侧设有多个匀气孔(6)，所述上层输送管道(32)一端与所述上层匀气室(31)的匀气孔(6)对接，另一端与所述反应室(1)的上层对接，所述下层输送管道组件(52)一端与所述下层匀气室组件(51)的匀气孔(6)对接，另一端与所述反应室(1)的下层对接。3.根据权利要求2所述的气体水平流动的外延生长设备，其特征在于：所述下层匀气室组件(51)包括中部匀气室(511)和分设于中部匀气室(511)两侧的侧边匀气室(512)，所述下层输送管道组件(52...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡凡，巩小亮，巴赛，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十八研究所，
类型：发明
国别省市：