本发明提供排气采样装置、排气分析系统、排气采样方法和排气采样装置用程序。排气采样装置将从具备引擎的车辆或所述车辆的一部分排出的排气采集到采样袋，其包括：主流道，供所述排气流动；主阀，开闭所述主流道；稀释气体流道，连接在所述主流道中的比所...

一种气体分析装置，具备：样品池，导入样品气体；光源，向所述样品池照射光；光检测器，检测由所述光源射出并通过所述样品池的光的光强度；浓度计算部，根据从所述光检测器输出的光强度，计算所述样品气体中包含的测量对象成分的浓度；以及光强度输出部，...

本发明涉及供试体试验系统、供试体试验用程序和供试体试验方法。不仅能通过自动地进行电动化车辆或其一部分的充电工序而进行跨越长时间的试验，而且能以再现了实际的道路行驶的条件对供试体进行试验，供试体试验系统(100)由供电装置(3)对作为电动...

本发明是一种车辆部件响应学习方法，不进行实际道路行驶而通过模拟高精度地求出所希望的行驶环境下的车辆部件的响应数据，生成与作为车辆或其一部分的车辆部件的响应相关的学习完成模型，包括：(1)输入步骤，将包含与假想了实际道路行驶的车速、负荷以...

本发明提供测试系统、测试方法和程序存储介质，对被测体进行测试，所述被测体是具备电子控制装置的车辆或其一部分，所述测试系统包括：用于进行所述被测体的驱动测试的驱动测试装置；进行所述被测体的驾驶的自动驾驶机器人；以及通过有线或无线与所述被测...

本发明提供试验系统、试验方法和试验系统用程序存储介质。试验系统对热管理系统进行试验，所述热管理系统搭载于车辆，管理从所述车辆的一个或多个热源零件产生的热，所述试验系统包括：模拟车体，模拟所述车辆的车体；模拟热源体，设置在所述模拟车体内，...

本发明提供透射X射线检查装置和透射X射线检查方法。本发明在透射X射线检查装置中提高试样中的异物的检测灵敏度，透射X射线检查装置具备：X射线源(2)，发出包含彼此不同的多个能量范围的X射线；光学元件(3)，从X射线分光成一个能量范围的X射...

本发明提供分析装置以及分析方法，抑制吹扫气体的消耗量，并且适当地进行分析装置的防爆对策。分析装置(100)具备填充部(3)、照射部(5)、传播部(7)、箱体(1)、吹扫气体导入部(40)和防爆气体导入部(20)。在填充部(3)中填充包含...

本发明提供排气分析装置的检查方法、检查装置和检查系统，客观地评价排气分析装置的精度。所述检查方法包括：分析步骤，从封入有浓度未公开的检查气体的气体容器向排气分析装置供给检查气体，利用排气分析装置分析检查气体；以及检查步骤，取得排气分析装...

本发明台上测试装置以及台上测试方法，廉价地构成用于对车辆进行测试的带转向功能的台上测试装置，一种台上测试装置(100)，对供试件(W)进行测试，所述供试件(W)是车辆或者它们的一部分，台上测试装置(100)具备：旋转体(21)，载置作为...

本发明提供一种气体分析装置的校正方法，对气体分析装置再现加压的状态，并高精度地求出压力修正系数，在气体分析装置

本发明提供评价装置

提供即使来自燃料电池

本发明提供异物检查装置和方法，减少由图案的绕射光所致的误检测，检查形成有图案的基板(W)上附着的异物，包括：光照射部(2)，对基板(W)以线状扫描并照射激光(LB)；第一光检测部(3A)及第二光检测部(3B)，检测经基板(W)反射的光；...

本发明提供实时高精度求出燃料电池的实际气体消耗量的燃料电池评价系统(100)，其算出燃料电池(FV)的燃料气体消耗量，包括：燃料气体供给通道(2)，向燃料电池(FV)供给第一流量的燃料气体；燃料气体排出通道(4)，从燃料电池(FV)排出...

本发明提供排气稀释装置、排气稀释方法以及排气分析系统，使混合促进部相对于排气稀释装置的稀释通道的更换变得容易，利用稀释用气体对排气进行稀释的排气稀释装置(10)具备：稀释通道(11)，排气以及稀释用气体被导入该稀释通道(11)；混合促进...

本发明提供一种半导体激光装置。抑制在半导体激光装置的封装件内的杂散光的产生，而且尽可能地抑制输出的激光的强度在每个半导体激光装置中的个体差。半导体激光装置用于光学分析，其包括：封装件，在内部收容半导体激光元件；以及光反射减少部件，设置在...

本发明通过前置加载道路行驶测试的评价，实现汽车开发的高效化，具备：虚拟评价步骤，使用对行驶环境进行了模型化的行驶环境模型、对驾驶方式进行了模型化的驾驶方式模型、以及对所述实际车辆进行了模型化的车辆模型，模拟道路行驶测试；台上测试评价步骤...

本发明提供检查装置、信息处理方法和程序。样本检查装置包括：至少一个光源，能在不同位置点亮；光源控制部，控制至少一个光源的点亮；旋转机构，使芯片(6)旋转；摄像部，按照点亮的光源的各个不同位置以不同时机拍摄利用旋转机构引起的旋转而定位于照...

本发明能够高精度地测定半导体制造工艺所用的材料气体或因半导体制造工艺所产生的副生成气体所含的卤化物的浓度或分压，气体分析装置对半导体制造工艺所用的材料气体或因半导体制造工艺而产生的副生成气体所含的卤化物的浓度或分压进行分析，并具备：气体...