气体分析装置及气体分析方法制造方法及图纸

本发明专利技术能够高精度地测定半导体制造工艺所用的材料气体或因半导体制造工艺所产生的副生成气体所含的卤化物的浓度或分压，气体分析装置对半导体制造工艺所用的材料气体或因半导体制造工艺而产生的副生成气体所含的卤化物的浓度或分压进行分析，并具备：气体池，其导入有材料气体或副生成气体；激光光源，其向气体池照射经波长调制的激光；光检测器，其检测透过气体池的激光；以及信号处理部，其使用由光检测器的输出信号所得的光吸收信号来计算出卤化物的浓度或分压，气体池减压至比大气压小的预定的压力，激光光源在包含卤化物的光吸收信号的特征部在内的波长调制范围对所述激光进行波长调制。激光进行波长调制。激光进行波长调制。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】气体分析装置及气体分析方法


[0001]本专利技术涉及一种气体分析装置及气体分析方法。

技术介绍

[0002]以往，如专利文献1所示，作为对半导体制造工艺所用的材料气体或因半导体制造工艺而产生的副生成气体所含的测定对象成分进行测定的方法，考虑使用非分散型红外线吸收法(NDIR)。在使用该NDIR的气体分析装置中，使用灯丝(filament)等产生广波长的光的红外光源、及使预定的波长范围的光通过的带通滤波器(band pass filter)，对测定对象成分所致的光的吸收进行测定。
[0003]在此，在对半导体制造工艺所用的材料气体或因半导体制造工艺而产生的副生成气体所含的SiF4或CF4进行测定的情况下，若存在在相同的波长范围具有吸收的其他干扰成分，则导致SiF4或CF4受到这些成分的干扰影响。若为了降低干扰影响而使带通滤波器的波长范围变窄，则由光检测器检测出的光量减少，难以高精度地测定。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2013
‑r/>181930号本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种气体分析装置，其特征在于，对半导体制造工艺所用的材料气体或因半导体制造工艺而产生的副生成气体所含的卤化物的浓度或分压进行分析，并具备：气体池，其导入有所述材料气体或所述副生成气体；激光光源，其向所述气体池照射经波长调制的激光；光检测器，其检测透过所述气体池的激光；以及信号处理部，其使用由所述光检测器的输出信号所得的光吸收信号来计算出所述卤化物的浓度或分压，所述气体池减压至比大气压小的预定的压力，所述激光光源在包含所述卤化物的光吸收信号的特征部在内的波长调制范围对所述激光进行波长调制。2.根据权利要求1所述的气体分析装置，其特征在于，所述卤化物为SiF4，所述波长调制范围以其波数宽度包含1030.5cm
‑1～1031.5cm
‑1的一部分或全部的方式设定。3.根据权利要求2所述的气体分析装置，其特征在于，所述波长调制范围以其波数宽度包含1029cm
‑1～1032cm
‑1的一部分或全部的方式设定。4.根据权利要求1所述的气体分析装置，其特征在于，所述卤化物为CF4，所述波长调制范围以其波数宽度包含1282.5cm
‑1～1283.5cm
‑1的一部分或全部的方式设定。5.根据权利要求4所述的气体分析装置，其特征在于，所述波长调制范围以其波数宽度包含1281.5cm
‑1～1284.5cm
‑1的一部分或全部的方式设定。6.根据权利要求1所述的气体分析装置，其特征在于，所述卤化物为SiF4和CF4，所述激光光源具有：第一激光光源，其以所述波长调制范围的波数宽度包含1030.5cm
‑1～1031.5cm
‑1的一部分或全部的方式设定；以及第二激光光源，其以所述波长调制范围的波数宽度包含1282.5cm
‑1～1283.5cm
‑1的一部分或全部的方式设定。7.根据权利要求1至6中...

【专利技术属性】
技术研发人员：坂口有平，南雅和，渋谷享司，高桥基延，
申请(专利权)人：株式会社堀场制作所，
类型：发明
国别省市：