株式会社爱发科专利技术

株式会社爱发科共有933项专利

  • 本发明提供在真空中以及高温环境下可使用的、进行了防止粘结处理的连结件。通过用聚酰亚胺膜(5)覆盖外螺纹部(4)的表面来防止外螺纹部(4)的粘结。聚酰亚胺膜(5)保护外螺纹部(4)的表面、作为润滑层发挥作用,并且,耐热性强且不会污染真空环...
  • 本发明涉及不使用危险性高的硝酸等除去构成真空容器等真空处理装置的部件的表面附着的药液和金属等的附着物的方法。该方法是以构成真空处理装置的金属制部件作为被处理物的表面处理方法,其特征为,对上述被处理物的表面进行电解抛光、部分电解抛光、化学...
  • 铝或铝合金的耐腐蚀处理方法,其特征在于,在铝或铝合金的表面形成厚5-20nm的致密氧化层,然后,进行壁垒型阳极氧化处理。
  • 本发明内容为:作为使用成膜材料在衬底上生产薄膜的成膜装置用结构部件,即使是具有不易使附着膜破裂、脱落的表面构造的上述成膜结构部件,也可使其在清洗时迅速轻松地除去附着膜的结构部件及清洗方法。为了使清洗液能流入成膜装置用结构部件与附着膜(生...
  • 本发明提供具有高耐久性、光催化功能的氧化钛薄膜。在屏障薄膜12表面上以点状使氧化钛薄膜31存在,在其间形成亲水性薄膜41,进而构成功能性薄膜3。在其表面上因混杂着氧化钛薄膜露出的部分和亲水性薄膜露出的部分,所以可获得两种薄膜的功能。在紫...
  • 本发明提供了即使利用溅射法在多个连续基板上形成电解质膜也能使成膜速度和Sr/Ti组成比一定的技术。本发明的溅射装置1在真空槽11内底上设计有位于载置台15周围的对置电极21。在对置电极21的表面上形成有多个孔23,从而使表面积变大。并且...
  • 提供连续进行溅射处理的技术。在使处理室内的保持板12处于竖立姿势,溅射靶26地在保持于保持板12上的基板5a的表面上形成薄膜,在此过程中,使未处理的基板5b承载于在输送室内的基板输送机械手的手43上,使输送室内压力与处理室内压力变成一样...
  • 一种匹配箱,    与等离子体发生装置连接,使从交流电源输入的交流电的相位变化,输出到上述等离子体发生装置中,    其特征在于,上述匹配箱具有可变电感元件,    上述可变电感元件具有决定该可变电感元件的阻抗的主绕组和与上述主绕组相互...
  • 本发明提供具有高耐久性、光催化功能的氧化钛薄膜。在屏障薄膜12表面上以点状使氧化钛薄膜31存在,在其间形成亲水性薄膜41,进而构成功能性薄膜3。在其表面上因混杂着氧化钛薄膜露出的部分和亲水性薄膜露出的部分,所以可获得两种薄膜的功能。在紫...
  • 本发明的目的在于,提供一种可以减少异常放电和非腐蚀部,并能够形成膜厚分布均匀的膜的成膜装置。本发明的成膜装置(1)具有多个靶(31a~31f),对不同的靶(31a~31f)施加极性不同的交流电压。当一方的靶(31a~31f)置于负电位时...
  • 现有的磁控管溅射装置中,在成膜期间,使磁铁装配体连续移动,使靶前方的等离子体摇动,变得容易发生异常放电。为克服上述问题,本发明溅射方法及其装置,对最初处理衬底S成膜结束,把下一个衬底搬运到与靶对向位置的时候,使靶前方形成的磁通相对靶平行...
  • 在现有技术的溅射靶构型下,在通过施加负DC电压或者高频电压到靶上产生等离子体期间,会导致电流从靶流向接地护罩。因此会产生一个问题,即由于靶的外周表面上不产生等离子体使靶外周的非腐蚀区域保留下来而不被溅射。这会由于充电诱发不正常放电,或者...
  • 本发明涉及碳纳米管的制造方法以及实施此方法的等离子体CVD装置。由已有的等离子体CVD法于规定的衬底表面上制造碳纳米管时,是通过等离子体加热衬底,难以控制衬底温度,不适合于低温下制造碳纳米管。本发明是在将含碳的原料气体导入真空室(11)...
  • 本发明涉及Al或Al合金的单一或多个的结晶粒构成的小块或粉体的外表面、被In、Sn、In及Sn、或这些的合金的低熔点金属的被膜覆盖的可在水分存在下崩解的Al复合材料。低熔点金属的含量按复合材料总重量基准是0.1~20重量%。使在Al等中...
  • 一种真空室(1),其具有能够被自由拆分为以下细件的结构:矩形室主体(2),通过螺栓连接可拆卸而又牢固地连接到室主体(2)的两个侧表面上的三角形侧面机架(3a)和(3b),连接到室主体(2)和具有开口的侧面机架(3a)和(3b)的各顶面上...
  • 本发明提供一种即使在苛刻的耐蚀性试验中,反射率也不会劣化的Ag类合金膜及其制作方法。在纯Ag膜或AgAu类、AgAuSn类、AgPd类、AgPdCu类合金膜上,层压由选自ITO、ZnO、IZO以及SnO↓[2]的金属氧化物、Si、Al、...
  • 本发明的目的在于不破坏有机薄膜表面地在其上形成溅射膜。在配置了靶(113a)的筒状侧壁(103)的开口中配置有粒子通路(130a),在其两侧配置有第1、第2捕集磁铁(121a、122a),在粒子通路(130a)中形成磁力线。在欲通过粒子...
  • 提供能够以更快的成膜速度形成具有良好特性的金属化合物膜,并且能够简单地、低成本地构成的溅射成膜装置。在真空室1内设置将基板3保持在外周而旋转的圆筒状的转鼓4、在转鼓4处于溅射位置时对被转鼓4保持的基板进行溅射处理的溅射设备6、7、和转鼓...
  • 本发明的课题是提供在靶上不留下非侵蚀区域而且在进行反应性溅射的情况下能形成均匀的膜质的膜的溅射装置。本发明的溅射装置(2)的特征在于:具备在真空室(21)内隔开一定的间隔并列地设置的至少4片的靶(241)和逐一地连接以便对并列地设置的靶...
  • 本发明的课题是提供在靶上不留下非侵蚀区域而且在进行反应性溅射的情况下能形成均匀的膜质的膜的溅射装置。本发明的溅射装置(2)的其特征在于:具备在真空室(21)内隔开一定的间隔并列地设置的至少3片的靶(241)和对各靶(241)交替地施加负...