一种离子注入装置（１），包括离子发射单元（１１），设置成在不同条件下将离子发射到至少一个衬底的多个区域。衬底支撑单元（１３），设置成支撑所述衬底，并相对于从所述离子发射单元出射的离子改变所述至少一个衬底的位置。计算单元（１５），设置成根...

本发明提供一种真空处理装置，是具备真空处理室（２０）、（２２）、（２４）和基板搬运器（４０）、和预备室（１４）的立式真空处理装置（１０），其特征是，在预备室（１４）内以及真空处理室（２０）、（２２）、（２４）内设置往去路（１６）和返回路...

提供一种移送装置，通过将旋转用马达的旋转驱动力正确地传递到移送用臂上，并且正确地检测旋转驱动轴的旋转角度，可将移送部上的移送对象物移送到正确的位置。本发明的移送装置（１）在具有气密构造的壳体（６１）内配设有能够以规定的同心旋转轴为中心相...

氮化钨膜的成膜方法，该方法包括以下步骤：　　　　向设置有处理对象物的减压气氛中供给以钨化合物的气体为主要成分的第一原料气体，然后将上述第一原料气体从上述减压气氛中排出的第一原料气体供给步骤；　　　　向上述减压气氛中供给用以还原上述钨化合...

在本发明中，形成氮化钨膜２１后，形成硅化钨膜２２，从而形成隔离膜２０，在隔离膜２０的表面硅化钨膜２２露出，电极膜２５’与该硅化钨膜２２密合而形成。构成电极膜２５’的导电材料与硅化钨膜２２中的硅原子化学性结合，因此隔离膜２０与电极膜２５’...

本发明提供一种在确保良好的生产性同时又具有优良特性和高可靠性的栅绝缘层的薄膜晶体管及其制造方法。本发明提供的薄膜晶体管，包括：在基板９上含有源区１７、沟道区１８、漏区１９的有源层１１，栅电极层１６，以及在有源层１１和栅电极层１６之间所形...

本发明涉及氧化物薄膜制造方法及其制造装置。本发明是通过实现氧化物薄膜的氧缺损的降低和外延生长的促进，制造有优异特性的氧化物薄膜的薄膜制造方法，通过利用加热手段维持在不引起原料的液化、析出、成膜的温度的气体活化手段由喷射板向反应室内的加热...

本发明涉及金属纳米粒子及其制造方法，金属纳米粒子分散液及其制造方法、以及金属细线和金属薄膜及其制造方法。该金属纳米粒子在各个金属的周围附着有作为分散剂的有机金属化合物。该金属有机化合物包含选自贵金属和过渡金属的至少１种的金属或由这些金属...

本发明提供了一种能提高热电偶芯线的可靠性同时降低红外线对端片的影响，从而稳定、准确地测量基板温度的基板温度测量装置及处理装置。所述基板温度测量装置具备：由反射红外线的金属材料构成并具有热电偶芯线（２０ａ、２０ｂ）的插入部（１６ａ）的端片...

本发明提供用简单的构造、可容易地将基板相对于筒式基板座的外周面安装、取下的薄膜形成装置。筒式基板座（５）以水平方向的旋转轴为旋转中心，以水平状态可旋转地支承在成膜室内。用臂把固定保持着基板（１２）的基板固定夹具（１３）水平地运送到筒式基...

提供一种单位层后处理催化剂蒸镀装置及单位层后处理成膜方法，提高氮化硅膜等的面内均匀性、台阶覆盖率和膜的质量，并且在各单位层成膜后，进行表面处理，形成薄膜。将成膜过程（将含有硅烷气体和氨气的混合气体作为原料气体，以矩形脉冲状导入至反应容器...

本发明提供不将催化体加热到２０００℃以上，抑制清洁气引起的催化体腐蚀劣化，在低成本下进行实用的清洁速度和良好的清洁的自洁式催化化学蒸镀装置。使从加热电源６和该加热电源６的各端子６ａ、６ｂ间向反应容器２内的催化体４通入恒电流的导线５ａ、５...

本发明的搬运机械手具有相互对置的散热侧高辐射比部（４１）和受热侧高辐射比部（４２），通过热传导传递至底座部（３０）的基板的热从散热侧高辐射比部（４１）作为辐射热而被放出，该辐射热被受热侧高辐射比部（４２）吸收。由于受热侧高辐射比部（４２...

一种成膜装置，其特征在于，　　　　在可以进行真空排气的真空室内具有：保持基板的保持部件；在基板上形成薄膜的成膜部件；通过等离子使上述薄膜与反应气体进行反应的反应部件；以及向上述基板照射离子束的离子枪，　　　　通过上述离子束的照射，进行上...

本发明的课题是提供能抑制离子束的发散、能进行精细的扫描波形的控制、可得到约１０°的大的扫描角的离子注入装置。在离子注入装置中，作成了具备如下的离子束扫描机构（１０Ａ）的结构：在离子束线上的规定部位上配置第１、第２、第３室（１２Ａ、１４Ａ...

一种适用于产生对于掩膜的高选择性、出色的各向异性外形和大的蚀刻深度的蚀刻方法和蚀刻系统。依据本发明的蚀刻系统包括：设置成对着真空室内的基片电极并且在电势方面保持浮动状态的浮动电极，设置在该浮动电极面对着基片电极的一侧上的用来形成抗蚀刻膜...

本发明提供一种具有足够低的介电常数和高机械强度的（具有夹层绝缘膜的）半导体器件。半导体器件的制备方法包括：在其上形成所需的元件区域的半导体基片表面上形成电介质薄膜的步骤，在所述电介质薄膜中围绕主要由Ｓｉ－Ｏ键形成的骨架排列有多个孔；通过...

本发明提供一种利用ＣＶＤ法在低温下形成低电阻的含铜膜的方法。在由有机金属原料气体和还原性气体形成的阻挡层上，使用将式（Ⅰ）′表示的β－二酮基（Ｚ表示Ｈ原子或碳原子数１～４的烷基，Ｘ表示式（Ⅰ－Ⅰ）表示的基团（Ｒ↑［ａ］表示碳原子数１～５...

本发明提供一种制造长寿的有机电致发光显示装置的技术。将保护发光部１２的第一保护膜１５放置于真空气氛中，交替导入三甲基铝和臭氧，在第一保护膜１５的表面形成氧化铝薄膜。由于该氧化铝薄膜致密，水分不会透过，因此空气中的水分不会到达发光部１２，...

本发明按照ＣＶＤ法在成膜室内同时导入含有在Ｔａ元素的周围配位了Ｎ＝（Ｒ，Ｒ′）（Ｒ及Ｒ′表示碳原子数１－６的烷基，各自可以是相同的基团，也可以是不同的基团）的配合物的原料气体、以及ＮＨ↓［３］气体，在基板上使其反应，生成具有Ｔａ－ＮＮ↓...