钽氮化物膜的形成方法，其特征在于，按照ＣＶＤ法，在成膜室内，同时导入含有在钽元素（Ｔａ）的周围配位了Ｎ＝（Ｒ，Ｒ′）（Ｒ及Ｒ′表示碳原子数１－６的烷基，各自可以是相同的基团，也可以是不同的基团）的配合物的原料气体以及卤素气体，在基板上形...

钽氮化物膜的形成方法，其特征在于，在真空室内，导入含有在钽元素（Ｔａ）的周围配位Ｎ＝（Ｒ，Ｒ′）（Ｒ及Ｒ′表示碳原子数１－６的烷基，各自可以是相同的基团，也可以是不同的基团）的配合物的原料气体以及含氧原子的气体，在基板上形成含有ＴａＯ↓...

本发明按照ＣＶＤ法在成膜室内导入含有在Ｔａ元素的周围配位了Ｎ＝（Ｒ，Ｒ′）（Ｒ及Ｒ′表示碳原子数１－６的烷基，各自可以是相同的基团，也可以是不同的基团）的配合物的原料气体、以及含有氧原子的气体，使其在基板上反应，形成ＴａＯ↓［ｘ］Ｎ↓［...

本发明通过在真空室内导入含有在钽元素（Ｔａ）的周围配位了Ｎ＝（Ｒ，Ｒ′）（Ｒ及Ｒ′表示碳原子数１－６的烷基，各自可以是相同的基团，也可以是不同的基团）的配合物的原料气体，使其在基板上吸附后，导入卤素气体，生成ＴａＮ↓［ｘ］（Ｈａｌ）↓［...

本发明通过在真空室内导入含有在钽元素（Ｔａ）的周围配位Ｎ＝（Ｒ，Ｒ′）（Ｒ及Ｒ′表示碳原子数１－６的烷基，各自可以是相同的基团，也可以是不同的基团）的配合物的原料气体，使其在基板上吸附后，导入ＮＨ↓［３］气体，然后导入活化反应气体的Ｈ自...

一种磁性多层膜的制造方法，包括：在衬底上形成第１磁性层的第１磁性层形成工序；在所述第１磁性层上形成非磁性层的非磁性层形成工序；在所述非磁性层上形成第２磁性层的第２磁性层形成工序；其特征在于，该方法还包括等离子体处理工序，在所述非磁性层形...

本发明提供一种卷绕式等离子ＣＶＤ装置，能将反应气体均匀地供给到薄膜的成膜区域、实现膜质的均匀化，在薄膜的成膜过程中也能进行成膜部的自清洗。相对于薄膜的移动方向，在成膜部（２５）的上游侧和下游侧配置一对可动辊（３３、３４），将薄膜（２２）...

一种溅射装置，围绕旋转轴线使圆盘状衬底旋转的同时，对该衬底的衬底表面进行成膜处理，其特征在于，该装置包括，腔室；台子，以所述旋转轴线为中心使该衬底旋转；溅射阴极，其具有与所述衬底对置的阴极表面；其中，当从所述旋转轴线到所述衬底的外周边缘...

一种电容元件制造方法，是蚀刻具有配置于基板上的下部电极膜；配置于前述下部电极膜的一部分区域上的电介质膜；配置于前述电介质膜上的上部电极膜；配置于前述上部电极膜上的无机质膜；及配置于前述无机质膜上的有机抗蚀剂膜，至少露出前述下部电极膜的一...

本发明以短时间内求出离子注入装置的工作条件为技术课题。本发明提供了一种离子注入装置的控制方法，所述离子注入装置将从离子源（１２）引出的离子束通过光学元件照射到被处理材料（Ｗ）上，该方法包括：测定步骤，测定所述被处理材料（Ｗ）附近的离子束...

本发明安全添加在大气中易于起火的添加物来便宜地制作靶。在低氧环境气体中，往主材料中添加添加物，形成熔融状态的一次合金１３，在大气环境中往熔融状态的一次合金１３中添加主材料进行增量，制作二次合金。熔融或固体状态的一次合金１３、１８是稳定的...

本发明提供一种多孔质膜的前体组合物，所述多孔质膜的前体组合物包含：选自式Ｓｉ（ＯＲ↑［１］）↓［４］及Ｒ↓［ａ］（Ｓｉ）（ＯＲ↑［２］）↓［４－ａ］（式中，Ｒ↑［１］表示１价的有机基团，Ｒ表示氢原子、氟原子或１价的有机基团，Ｒ↑［２］表...

本发明提供一种即使不使用输送机器人也能够消除位置偏差的技术。使载置于载置台（５５）上的输送对象物（３１～３３）旋转，使误差角度（α）变为零后，使临时载置部（１６）向斜向移动，使水平分量移动误差距离（Ｌ），使输送对象物（３１～３３）的中心...

提供一种可防止由粉尘引起输送对象物的污染、能将输送对象物输送到正确的位置的输送装置。本发明由第一及第二平行四边形联动装置（１３、１４）构成。第二平行四边形联动装置（１４）利用第一平行四边形联动装置（１３）的连杆（１０）而构成，４条边的长...

本发明提供能够适宜而且迅速地进行被处理基板的除电的静电吸盘装置，在支撑台（１２）的表面静电吸附被处理基板（Ｗ），构成包括面对支撑台（１２）的表面的除电用电极（１６）、除电用的接地电位（１９）、连接在这些除电用电极（１６）与接地电位（１９...

在使用芳香族聚脲膜作为高分子化合物膜的以往的有机ＥＬ显示面板中，例如有吸收可见光区域光中３５０～４００μｍ波长区域的光、高分子化合物膜着色为黄色的问题。本发明中，在基板（１１）上，形成具有由第１及第２显示电极（２１、２３）和这些显示电极...

提供一种Ｃｕ膜的形成方法，在基板上用溅射法形成Ｔｉ或Ｔａ扩散阻挡金属膜，而后在该扩散阻挡金属膜上以溅射法形成氮化物膜，在该氮化物膜上用ＣＶＤ法形成Ｃｕ膜后，在１００～４００℃下进行退火处理。通过上述方法形成的Ｃｕ膜，可以提高扩散阻挡金属...

本发明提供一种低成本、可以抑制自由基气体的减活、能够向基板上均匀导入原料气体的气体压头及薄膜制造装置。本发明的气体压头（１３）具备导入反应气体的反应气体导入口（３０Ａ）、导入原料气体的原料气体导入口（３０Ｂ）、和与原料气体导入口（３０Ｂ...

本发明的台架装置能分割而进行陆路运输、同时确保对被处理基板进行准确处理。台架装置（１１）备有夹着设有被处理基板的基板支承面地相向配置的一对导架（１３Ｘ１、１３Ｘ２）、和可移动地支承在该对导架（１３Ｘ１、１３Ｘ２）上面的门形架（１３Ｙ）。...

本发明的台架装置能分割地进行陆路运输，同时确保对被处理基板进行准确处理。台架装置备有支承被处理基板（Ｗ）的基板支承面、夹着基板支承面相向配置的一对导架（１３Ｘ）、在一对导架（１３Ｘ）之间延伸并可移动地支承在一对导架（１３Ｘ）上的门形架（...