一种锁相环及其锁定检测装置和方法，所述锁定检测装置包括：第一检测单元，每隔第一预定时间比较参考时钟信号的计数值和反馈时钟信号的计数值，相等时输出有效的第一预锁定信号；第二检测单元，在第二预定时间内参考时钟信号的计数值和反馈时钟信号的计数...

一种系统级封装方法，包括：在第一晶圆上形成通孔；在第一晶圆上及通孔内侧形成第一绝缘介质层；在第二晶圆上形成第二绝缘介质层，所述第二绝缘介质层中包括贯穿第二绝缘介质层的焊盘；将第一绝缘介质层与第二绝缘介质层进行键合，使第一晶圆中的通孔与第...

一种化学机械研磨的方法，包括，在研磨层上无需研磨的区域形成研磨保护层；选用对研磨层研磨速率大于对研磨保护层研磨速率的研磨浆，对所述研磨层进行化学机械研磨。所述化学机械研磨的方法避免了无需研磨区域的过度研磨，从而避免研磨工艺影响器件性能。

一种ＮＡＮＤ闪存及其制作方法。所述ＮＡＮＤ闪存包括栅极结构以及其上的字线结构，所述字线结构包括栅极结构上的多晶硅层、多晶硅层上的屏蔽层、屏蔽层上的导电层。所述ＮＡＮＤ闪存的存储器单元间耦合电容较小，器件性能较高，而工艺成本也较低。

本发明公开了一种多晶硅薄膜的形成方法，包括步骤：提供衬底；将所述衬底放入沉积室内；根据预定的多晶硅薄膜的电阻调节值确定反应气体通入时的流量上升时间；按照所述流量上升时间向所述沉积室内通入反应气体，在所述衬底上沉积多晶硅薄膜；取出所述衬底...

本发明提供一种电容支撑结构、电容器结构及其制作方法，用于解决传统ＤＲＡＭ存储单元电容器电容极板易倒塌问题。该电容支撑结构包括依次位于层间绝缘层上的第一阻挡层，中间介质层和第二阻挡层；贯通所述第二阻挡层，中间介质层和第一阻挡层的电容沟槽，...

本发明揭露了一种静态随机存储器（ＳＲＡＭ）上拉晶体管阈值电压调整方法，利用与上拉晶体管共用栅极的下拉晶体管的离子注入来调整上拉晶体管的阈值电压，从而省略了专门针对ＳＲＡＭ上拉晶体管的阈值调整注入步骤，简化了工艺，降低了成本。该方法于下拉...

本发明提供一种光刻工艺的自动监控方法及系统，其中监控方法包括以下步骤：ａ．采集工序单元动作的时间；ｂ．存储工序单元动作的时间；ｃ．判断动作的工序单元是否为监控工序单元，其中，若为监控工序单元，执行步骤ｄ，若否，则执行步骤ａ；ｄ．按监控时...

一种凸点下金属层的形成方法，包括：在芯片上形成金属垫层和用以保护芯片表面并将金属垫层暴露的钝化层；在钝化层和金属垫层上依次形成第一金属层和光刻胶层后，在光刻胶层上形成开口，所述开口曝露出金属垫层上第一金属层；在开口内，第一金属层上依次形...

一种ＣＭＯＳ图像传感器的形成方法，包括：提供包含外围电路区和像素单元区的半导体衬底，半导体衬底上形成有第一光刻胶层；在第一光刻胶层上定义第一浅沟槽图形；以第一光刻胶层为掩膜，刻蚀半导体衬底，在像素单元区形成第一浅沟槽；去除第一光刻胶层后...

一种金属连线的制作方法，包括：在半导体衬底上形成金属层；在金属层上形成焊料层，所述焊料层位置与后续金属连线对应；以焊料层为掩膜刻蚀金属层至露出半导体衬底，形成金属连线；去除焊料层。本发明提高了金属连线的质量。

一种ＣＭＯＳ图像传感器及其形成方法、半导体器件形成方法，其中ＣＭＯＳ图像传感器形成方法，包括：提供包含外围电路区和像素单元区的半导体衬底，所述半导体衬底上形成有阻挡层；刻蚀阻挡层，形成浅沟槽图形；在阻挡层上形成掩膜层；在掩膜层上形成光刻...

一种ＣＭＯＳ图像传感器及其形成方法、半导体器件形成方法，其中ＣＭＯＳ图像传感器的形成方法，包括：提供包含外围电路区和像素单元区的半导体衬底；在半导体衬底上形成第一垫氧化层；去除外围电路区的第一垫氧化层；在第一垫氧化层和半导体衬底上形成第...

本发明提出一种集成电路中互连结构的制作方法，其包括下列步骤：在半导体基底上形成介电层，并在介电层上形成开口，在开口内壁形成阻挡层，在阻挡层上形成铜晶种层，然后在铜晶种层上电镀铜导电层并退火，接着至少执行一次在铜导电层上继续电镀铜导电层并...

本发明提出一种生产流程控制方法及系统，以提高生产效率。该方法包括：在生产过程中，获得生产环节单位时间能够处理的待处理产品的数目；及基于获得的该数目，向所述生产环节投放相应数量的待处理产品进行处理；该系统包括：数目获得单元，用于在生产过程...

本发明涉及一种层间介质层的制作方法，层间介质层制作在晶圆器件层表面上，结合化学机械抛光制作。本发明层间介质层的制作方法包括以下步骤：ａ．在器件层表面形成第一介质层；ｂ．在第一介质层上形成与第一介质层材料相异的第二介质层；ｃ．主抛光第二介...

一种闪存中源极和漏极的制作方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；进行第一离子的注入；在半导体衬底、第一类栅结构以及第二类栅结构的表面形成阻挡层；刻蚀阻挡层，直至相邻的第二类栅结构之间的阻挡层被去除至露出半导体衬底表面；进行第二离子的注入，...

本发明具体涉及一种化学气相沉积的预处理方法，用于挡片晶圆与产品晶圆的同步化学气相沉积，主要步骤在于：对表面薄膜成分与产品晶圆所需化学气相沉积的薄膜成分不相同的挡片晶圆表面沉积一层与产品晶圆所需化学气相沉积的薄膜成分相同的薄膜。通过使用本...

一种减小曝光图形宽度的光刻方法，包括如下步骤：提供表面具有光刻胶层的半导体衬底；对光刻胶层进行曝光，在光刻胶层中定义图形；采用含三价态氮原子的钝化剂与曝光后的光刻胶层发生钝化反应，钝化剂中的三价态氮原子与存在于光刻胶层曝光部分表面的氢离...

一种用于制造半导体晶片的外围遮光型掩膜结构的制造方法，所述方法包括提供衬底，所述衬底包括覆盖该衬底的不透明层、覆盖的负光刻胶层、覆盖所述负光刻胶层的停止层、和覆盖所述停止层的正光刻胶层；所述方法包括图案化所述正光刻胶层，在所述正光刻胶层...