本发明揭露了一种电荷泵输出电压调节电路，对一电荷泵的输出电压进行调节以产生所需的稳定电压值。该电压调节电路包括：ＣＭＯＳ反相器单元，接收所述电荷泵的时钟输入信号，将其反相后提供给该电荷泵；ＰＭＯＳ晶体管，其源极耦接所述电荷泵的输入电压，...

本发明提出一种检测测试机台测量稳定性的方法，其包括下列步骤：提供控片作为测试晶圆，并在半导体衬底上电镀金属层；在所述金属层上沉积抗氧化层；利用测试机台对所述控片的金属层厚度进行一次以上测量；根据测量所得的一个以上金属层厚度值判断所述测试...

本发明提出一种去除铝工艺中热交换器表面沉积的铝薄膜的方法，其包括下列步骤：（ａ）在所述热交换器表面沉积有铝薄膜的区域涂覆碱性溶液；（ｂ）等待第一设定时间之后，使用去离子水浸湿的无尘布擦拭所述区域，擦拭的同时使用干燥空气或惰性气体吹干所述...

本发明提出一种隧穿氧化层及快闪存储器的制作方法，其中隧穿氧化层的制作方法，包括：对半导体衬底进行退火；在半导体衬底上形成隧穿氧化层。本发明使隧穿氧化层与半导体衬底的结合能力增强，半导体器件的失效率降低，进而使良品率提高。

本发明提供了环境参数测量方法及系统，以提高测量效率；该方法包括：获得需要测量环境参数的位置的位置信息；采集所述位置对应的环境参数值；以及存储所述位置信息和环境参数值信息的对应关系、位置信息及环境参数值信息。

本发明揭露了一种化学机械研磨方法，用以在包括一个以上研磨站的ＣＭＰ系统中研磨晶片表面的金属层。该方法包括：于第一研磨站，以第一研磨速率对上述金属层进行第一次研磨处理；于第一研磨站，以第二研磨速率对上述金属层进行第二次研磨处理，其中于该第...

本发明提供了一种栅结构上金属层的方法，它包括以下步骤：提供一种测试元件，所述测试元件包括Ｎ型离子注入区、Ｐ型离子注入区和横跨所述Ｎ型离子注入区和Ｐ型离子注入区的栅结构，其中栅结构表面覆盖有金属层；测试覆盖有金属层的栅结构电性参数；监控测...

本发明提供了栅电介质层形成过程中使用的温度控制系统及方法，以提高形成栅电介质层的成功率。该系统包括：温度保持单元，用于将温度保持在预定值，所述温度能够影响形成的栅电介质层的性质；当前温度获得单元，用于在栅电介质层形成过程中，获得当前温度...

一种光刻机台的光刻灯的自动置换方法和装置，其中，检测装置用于检测光刻机台使用的当前光刻灯的工作时间信息，第一比较判断装置用于比较所述工作时间信息和预定阈值，根据比较结果判断是否需要置换当前光刻灯，如需要置换当前光刻灯，则以备用光刻灯置换...

本发明公开了一种检测方法，用于检测磁场对ＣＤ测量仪器的影响程度。该检测方法包括：采用单次测量方法测量电路图形的特征尺寸获得测量值Ｗ１；采用多点测量方法测量电路图形的特征尺寸获得测量值Ｗ２；获取磁场影响指数，其是测量值Ｗ１与Ｗ２的比值；其...

本发明提出一种层间介质层、半导体器件及其形成方法，其中层间介质层的形成方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成第一介质层；在第一介质层上形成第二介质层，所述第二介质层的致密性大于第一介质层；平坦化第二介质层。本发明提高了层间介质层...

一种修正掩膜版图形的方法和装置，其中，第一分段装置以第一切割步长对所述掩膜版图形第一区域进行分段处理，第二分段装置以第二切割步长对所述掩膜版图形第二区域进行分段处理。其中，所述第一切割步长和第二切割步长的长度不同。本发明可以有效地平衡工...

本发明提出一种去除氮氧化硅膜的方法，包括：提供形成有氮氧化硅膜的控片；用浓度为０．２％～０．５％的氢氟酸清洗氮氧化硅膜表面；用磷酸去除氮氧化硅膜；用浓度为４５％～５０％的氢氟酸去除残留氮氧化硅膜；用包含氨水、双氧水和水的溶液清洗控片表面...

本发明涉及一种有源区结构，有源区为半导体衬底内的第二类有源区，第二类有源区表面覆盖有栅氧化层；栅氧化层上具有与第二类有源区位置对应的源选择栅；第二类有源区中还包括一绝缘物井区，该绝缘物井区与用于连接源选择栅的互连结构的位置对应。本发明的...

本发明提供了一种抑制金属焊盘腐蚀的方法，该金属焊盘为铝和铜的合金，此方法用于抑制制作在芯片上的金属焊盘在清洗环境中因原电池效应导致的腐蚀。它包括以下步骤：步骤１：在金属焊盘上形成氮化钛层；步骤２：将步骤１形成的氮化钛层在金属焊盘上保留预...

本发明公开了多栅极晶体管制作方法及系统，以提高多栅极晶体管的性能。所述晶体管的各个栅极对应有各自的栅电介质层，该方法包括：当在制作当前栅电介质层和制作下一个栅电介质层之间，有多个能够用于清除相同待清除物质的清除流程时，采用所述多个清除流...

本发明提出了一种光刻方法及系统，以提高光刻效率。该方法包括：判断光刻工艺条件参数是否处于预定范围内；在处于预定范围内时，进行光刻；以及在未处于预定范围内时，禁止光刻；该系统包括：判断单元，用于判断光刻工艺条件参数是否处于预定范围内；光刻...

一种选择性发射极太阳能电池单元的制造方法，包括：提供具有埋栅电极的选择性发射极太阳能电池单元基体；在太阳能电池单元基体的受光面形成防反射层；在防反射层上形成母线；使母线穿过防反射层与埋栅电极相连接。相应地，本发明还提供一种选择性发射极太...

一种系统级封装方法，包括：提供一晶圆，晶圆上依次形成有层间介质层和焊盘，层间介质层和晶圆内有通孔；在层间介质层和通孔内形成绝缘介质层，且曝露出焊盘；在绝缘介质层和焊盘上形成金属层；在金属层上形成有机层，所述有机层填充满通孔；在有机层内形...

一种锁相环及其锁定检测装置和方法，所述锁定检测装置包括：第一检测单元，每隔第一预定时间比较参考时钟信号的计数值和反馈时钟信号的计数值，相等时输出有效的第一预锁定信号；第二检测单元，在第二预定时间内参考时钟信号的计数值和反馈时钟信号的计数...