本公开提供了一种双栅互补型薄膜晶体管，可以应用于集成电路制造技术领域。该双栅互补型薄膜晶体管包括：N型薄膜晶体管，包括：第一底栅结构，N型半导体层，第一源极，第一漏极和第一顶栅结构；第一源极和第一漏极分别设置于N型半导体层的两侧；N型半...

本发明提供了一种基于纳米孔结构的极紫外超透镜，属于光学技术领域，其中超透镜包括自支撑薄膜，形成于自支撑薄膜之上的衍射薄膜；以及以周期U周期性排列在衍射薄膜上的多个单元结构，每个单元结构具有一个圆柱形纳米孔，圆柱形纳米孔贯穿衍射薄膜，并与...

本发明提供了一种基于遥感图像的港口舰船识别方法、装置、设备及介质，该方法包括获取港口舰船的遥感图像；将图像输入至舰船识别模型获得港口舰船识别结果；舰船识别模型包括改进的Swin Transformer模型，FPN网络及预测目标舰船及目标...

本申请公开一种神经网络加速系统、其测试装置和电子设备，涉及机器学习及人工智能领域，所述系统包括加速顶层接口单元和神经网络单元；所述神经网络单元包括依次连接的卷积层模块、池化层模块和全连接层模块；其中，所述卷积层模块、所述池化层模块和所述...

本发明涉及一种低增益雪崩探测器及其制作方法。方法包括：在预制的半导体结构中形成P+增益层；所述预制的半导体结构包括衬底，以及在所述衬底上表面依次垂直堆叠的P型掺杂层、氧化层和光刻胶，以及至少一个凹槽；所述凹槽贯穿所述光刻胶但不贯穿所述氧...

本发明提供了一种开关电容离散型积分器电路，包括单位增益缓冲器、RC滤波电路和新型的开关电容积分器，相较于传统的离散型开关电容积分器，将采样相分割成两个相位，即采样信号预建立相位和采样信号精确建立相位，引入积分相预采样电容，在开关电容积分...

本公开涉及一种能量探测系统，包括：光学测量腔室、第一能量探测器和第二能量探测器、第一通道信号处理电路和第二通道处理电路、高速AD采集转换模块、多路LVDS接口模块、FPGA处理器模块、上位机和显示模块；所述第一能量探测器和所述第二能量探...

本公开提供了一种基于SOT‑MTJ的逻辑运算单元和实现逻辑运算方法，该单元包括：公共底电极以及多个磁性隧道结，每个磁性隧道结至少包括自由层、绝缘层、参考层以及顶电极；每个顶电极均接入一个对应的调控电压，以调控磁性隧道结的翻转电压阈值；公...

本申请涉及沉积工艺技术领域，提出了一种纳米尺度深孔的制备方法及纳米器件，其中，方法包括：在衬底表面沉积预设厚度的第一氧化硅层；对所述第一氧化硅层进行曝光，形成预设尺寸的接触孔；在所述第一氧化硅层和接触孔的表面，沉积SIN终止层；在SIN...

本申请涉及一种绝缘栅双极型晶体管器件及其制作方法，属于半导体技术领域，解决IGBT在短路模式下的短路耐量无法满足保护系统需求的问题。器件包括：沟槽栅MOS结构位于衬底的正面上，包括多个长沟道沟槽栅MOS和短沟道沟槽栅MOS，以交替方式配...

本公开提供一种多激光晶体的串接对准装置，包括：沿光路依次设置的参考光源、光源整形部件、返回光观察部件、光程差调节部件及透射光观察部件；参考光源向光路中提供参考光；光源整形部件调整所述参考光的发散角；调节光程差调节部件，使第一激光晶体和第...

本发明涉及一种晶体管中鳍及鳍式场效应晶体管的制作方法。一种晶体管中鳍的制作方法，其包括：在衬底上外延半导体层；利用侧墙转移技术将所述半导体层刻蚀成鳍状部；用臭氧氧化所述鳍状部的侧壁，在侧壁形成氧化膜；利用原子层刻蚀法刻蚀去除所述氧化膜。...

本发明公开了一种光刻方法、半导体结构以及电子设备，涉及光刻技术领域，以提供一种能够保证台阶处不产生气泡，且能够保证光刻胶厚度均匀的技术方案。包括以下步骤：提供衬底，并利用稀释液浸润所述衬底；在利用稀释液浸润后的所述衬底上形成光刻胶；在预...

本发明涉及一种晶体管的制备方法及晶体管，属于半导体技术领域，解决了现有技术中薄膜晶体管在高密度、高集成度应用中出现的阈值电压漂移问题。该晶体管的制备方法包括如下步骤：依次形成薄膜晶体管的背栅、栅极绝缘层、沟道层和电极层；所述电极层包括源...

本申请提供一种半导体器件及其制造方法，包括第一导电叠层、铁电层、第一金属层、隧道结、第二金属层、磁性层、钉扎层和第二导电叠层；隧道结包括自由层、绝缘层和参考层，自由层和参考层的磁性方向垂直，这样该半导体器件可以作为传感器器件进行探测。在...

本公开提供一种掩模缺陷检测系统，包括：掩模清洗部件；波带片清洗部件；调制板清洗部件；主真空腔内设置有反射消相干装置和图像采集装置，所述主真空腔内的极紫外光刻掩模、波带片、调制板、反射消相干装置和图像采集装置构成成像系统；所述极紫外光源，...

本发明公开了一种单级比较器、静态比较器以及逐次逼近型模数转换器，涉及静态比较器技术领域，以提供一种能够确保上一个时刻的输入不会影响到下一个时刻结果的比较器技术方案。所述单级比较器，包括比较模块以及复位模块；所述比较模块用于对一组输入信号...

本发明公开了一种互补输入型双尾动态比较器，涉及模拟集成电路设计技术领域，以提供一种保证较高的转换速度的基础上，实现低噪声和高灵敏度的互补输入型双尾动态比较器的技术方案。包括：预放大模块和锁存器模块；预放大模块包括负载单元、差分单元以及第...

本发明涉及一种非对称三段栅金属氧化物薄膜晶体管结构及其制造方法。一种非对称三段栅金属氧化物薄膜晶体管结构，其包括：衬底；在所述衬底上方由下至上依次堆叠的：栅层、栅介质层和沟道层；所述沟道层上表面的左右两侧分别设置源极层和漏极层；其中，所...

本申请提供了一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，包括：衬底；位于衬底底部的漏极；位于衬底上的外延层；位于外延层中、靠近外延层上表面且呈轴对称的两个P基区；位于P基区中的源区和短路区；位于外延层背离衬底一侧的栅极绝缘介质层；位于...