本发明涉及一种界面结构及包含该界面结构的散热组件，该界面结构包括第一导热层、第二导热层和设置于所述第一导热层与所述第二导热层之间的热界面材料层；其中，所述热界面材料层的材质包括导热硅脂和/或导热胶；所述热界面材料层的竖截面包括一个或多个...

本公开提供了一种磁随机存取存储单元的控制电路、控制方法及存储器，该电路包括：逻辑控制单元以及预充电单元；逻辑控制单元被配置为基于列选信号以及读写控制信号输出第一控制信号和第二控制信号；预充电单元被配置为在第一控制信号具有有效电平的情况下...

本发明涉及一种复合衬底及其制备方法和氮化镓器件，属于半导体器件技术领域，解决了至少以下问题之一：(1)在金刚石衬底上直接生长氮化镓材料难度巨大，严重影响器件性能；(2)现有的键合转移技术制备的氮化镓器件散热能力不足、键合难度高。所述复合...

本申请实施例公开了一种亚阈值电路的后仿真加速方法及装置。其中，在该方法中，通过读入包含连线寄生效应的亚阈值电路网表，根据信号流分析确定目标信号流线网，确定目标信号流线网的设计裕量，根据目标信号流线网的设计裕量对目标信号流线网的连线寄生效...

本发明公开一种基于RRAM的全二值图卷积网络的加速方法、装置和电子设备，涉及机器学习及人工智能领域。加速方法包括：在二值图卷积网络中的第L层的二值组合阶段中，将图数据的节点特征通过具有二值权重的全连接层提取特征，并进行二值化处理，得到第...

本发明公开一种全数字锁相环电路及其锁定方法、频率合成器，涉及通信技术领域，以在使用环形振荡器作为时间数字转换器的延迟单元时，避免注入锁定环形振荡器的注入电流过大，从而导致功耗增加，无法适用于低功耗应用场景，降低全数字锁相环电路的稳定性和...

本发明公开一种复合真空度传感器及其制造方法，涉及真空压力测量技术领域，以扩大测量量程的范围，提高测量结果的精度。复合真空度传感器包括基于同一基底形成的皮拉尼真空传感单元和压阻式压力传感单元。基底包括键合在一起的第一衬底和第二衬底。第二衬...

本发明涉及光刻技术领域，特别涉及一种气浴模块、气浴装置、光刻设备及该气浴装置的控制方法。该气浴模块包括具有豁口结构的环体，环体围绕曝光区域设置，且环体的内部设有流道，沿环体的周向，环体上还设有出气面，出气面为环体的顶面和/或环体的内周面...

本申请提供一种基于液态金属的微泵结构及其制造方法、控制方法，该结构包括：基底；位于基底中的腔体结构；腔体结构包括相对设置的进液口和出液口；腔体结构通过盖板密封；位于腔体结构中的单向流结构；单向流结构与第一方向的夹角为锐角；第一方向为从进...

本发明涉及一种金刚石基GaN器件及制备方法。金刚石基GaN器件包括由下至上堆叠的：背部金属层、金刚石衬底、中间金属层以及HEMT层；HEMT层采用GaN材料，且设有源极、栅极和漏极三个电极；金刚石衬底设有连通中间金属层的凹槽，并且背部金...

本公开提供了一种可控随机可重构的加密电路及其控制方法，该电路包括：多个加密逻辑单元，每个加密逻辑单元至少包括：可重构逻辑单元、电压选择单元以及比较单元，可重构逻辑单元被配置为根据电压选择单元所选择的电压对源码和辅助码进行预设逻辑运算，预...

本发明涉及一种同时制备多种晶体管的方法，属于半导体技术领域，解决了现有技术中3D堆叠技术成本高、键合良率低的问题。包括如下步骤：在衬底上方的第一介质层中形成微孔结构；利用所述微孔结构采用基于激光结晶的直拉法工艺制备出多晶硅晶粒；以所述多...

本发明涉及一种微孔结构的制造方法及多晶硅的制造方法，属于半导体技术领域，解决了现有技术中50纳米以下微孔结构制造工艺复杂、成本高的问题。包括如下步骤：在衬底的上方依次形成第一介质层和第二介质层，其中所述第二介质层比所述第一介质层具有更高...

本公开提供了一种基于加法神经网络的图像融合方法及装置，用于多模态图像融合，该方法包括：获取针对目标对象的N帧图像；对于第k帧图像，获取第k个第一编码器包括的M个第一编码单元各自的输出特征并分别输入至第k个第二编码器，得到第k个第二编码器...

本发明涉及一种高空穴迁移率沟道的围栅堆叠纳米片器件及其制备方法。制备方法，其包括：提供衬底；在衬底表面形成硅层和石墨烯层交替层叠的超晶格叠层；刻蚀超晶格叠层以及衬底的部分厚度，形成鳍；在衬底上形成第一介质层，作为鳍之间的浅沟槽隔离层；在...

公开了一种静态随机存取存储(SRAM)单元及包括这种SRAM单元的存储器和电子设备。根据实施例，SRAM单元可以包括：衬底，平行于衬底上表面且彼此相对的第一和第二互连结构；第一互连结构上的第一下拉(PD)晶体管和第一通过门(PG)晶体管...

本发明提供了一种新型绝缘体上硅晶圆及其制备方法。本发明的新型绝缘体上硅晶圆的制备方法，包括如下步骤：S1：在硅晶圆上制备TRL或多孔硅并注氢，形成注氢硅晶圆；S2：在衬底上生长SiO<subgt;2</subgt;作为BOX...

本公开提供一种端面耦合器件，包括：衬底；位于所述衬底上的端面耦合结构；至少部分覆盖所述端面耦合结构的包覆层；其中，所述端面耦合结构中至少包括：光斑放大波导和过渡波导；所述光斑放大波导，由锥形波导队列组成；所述锥形波导队列是由多个锥形波导...

本发明提供了一种绝缘体上硅晶圆及其制备方法。本发明的绝缘体上硅晶圆的制备方法，包括如下步骤：S1：向硅晶圆中注氢，形成注氢硅晶圆；S2：在另一硅晶圆上生长SiO<subgt;2</subgt;作为BOX，随后将注氢硅晶圆翻转...

本发明涉及一种垂直自对准环形双栅晶体管的制备方法及垂直自对准环形双栅晶体管，属于半导体技术领域，解决了现有技术中的薄膜晶体管制造成本高的问题。该垂直自对准环形双栅晶体管的制备方法包括如下步骤：依次形成第一金属层、第一介质层、第二金属层、...