【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光刻，特别涉及一种气浴模块、气浴装置、光刻设备及该气浴装置的控制方法。
技术介绍
1、在集成电路制造过程中，光刻技术是关键的一步，其质量直接关系到最终产物的性能。光刻过程中涉及的硅片、掩模和光学元件等关键部件的微环境对于精确的图案转移至关重要。然而，在光刻过程中，颗粒和气体污染常常对这些关键部件造成污染，进而影响了集成电路的良率和性能。污染颗粒可能来源于制程气体、设备本身或室内环境，它们可能导致在光刻图案上产生缺陷，如空缺、裂纹等。
2、目前的光刻设备设计中，虽然已经采取了多种措施减少这些污染，如使用超净气体、增加设备内部清洁度等，但由于硅片与光学元件间的距离变化，导致气流不稳定，进而难以确保颗粒和气体污染始终被有效排除。
3、此外，目前的技术中，对于硅片微环境的气流控制主要基于稳定的供气量，而忽视了光刻过程中由于硅片与光学元件距离的变化带来的流速变化，这使得在某些时刻流速过快或过慢，可能导致不必要的污染或对已有图案的损害。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是至少解决气浴时曝光区域内的颗粒和气体污染无法被有效排出的问题。该目的是通过以下技术方案实现的：
2、本专利技术的第一方面提出了一种气浴模块包括：
3、具有豁口结构的环体，所述环体围绕所述光刻设备的曝光区域设置，且所述环体的内部设有流道，所述流道沿环体的周向，所述环体上还设有出气面，所述出气面为所述环体的顶面和/或所述环体的内周面，所述出气面上还开设有与所述流道连通
4、根据本专利技术的气浴模块，由于环体上设有出气面，出气面为环体的顶面或环体的内周面，且出气面上还开设有与流道连通的多个出气口，该多个出气口能够产生围绕曝光区域分布的半封闭气流层和朝向豁口结构的吹扫气流层，其中，半封闭气流层可能有助于维护曝光区域内的清洁度，因为这个气流层可以阻挡外部的颗粒和其他污染物进入曝光区域，朝向豁口结构产生的吹扫气流层可以帮助将曝光区域内的颗粒或污染物推向豁口结构并排出，从而进一步确保曝光区域的清洁度。
5、另外，根据本专利技术的气浴模块，还可具有如下附加的技术特征：
6、在本专利技术的一些实施例中，所述环体呈断开式圆环状结构，所述出气面为所述环体的顶面，且所述环体的外周面上设置有至少一个与气源连通的进气口。
7、在本专利技术的一些实施例中，沿所述环体的径向方向，所述豁口结构具有投影区域；
8、其中，所述投影区域内的所述出气口的孔径大于所述投影区域外的所述出气口的孔径，和/或，所述投影区域内的所述出气口的孔隙率大于所述投影区域外的所述出气口的孔隙率。
9、在本专利技术的一些实施例中，所述流道的内部安装有至少一块折流板，且每块折流板的顶部或底部与所述流道的内壁之间具有流通间隙，所述流通间隙将所述流道沿径向分隔形成s形通道，所述进气口位于s形通道的上游，所述出气口位于s形通道的下游。
10、在本专利技术的一些实施例中，所述环体的顶部设有凹槽，所述出气口设置在所述凹槽内。
11、在本专利技术的一些实施例中，所述出气口连接有锥形喷嘴，所述锥形喷嘴的流通截面沿气流方向逐渐递增。
12、本专利技术的第二方面提出了一种气浴装置，包括：
13、上述的气浴模块；
14、气瓶、气体预处理模块和气体流量控制模块，所述气瓶、所述气体预处理模块、所述气体流量控制模块和所述气浴模块依次连通，所述气体流量控制模块用于控制流向所述曝光区域的气体的流量。
15、在本专利技术的一些实施例中，所述气浴装置还包括负压模块，所述负压模块，所述负压模块设于所述气浴模块的下游。
16、本专利技术的第三方面提出了一种光刻设备，包括：
17、上述的气浴装置；
18、曝光装置、承片台和硅片台，所述曝光装置、所述承片台和所述硅片台依次由上而下设置，且所述曝光装置与所述承片台之间形成用于承载硅片的曝光区域，所述气浴装置的气浴模块围绕所述曝光区域设置；
19、测距装置，所述测距装置设于所述曝光装置上，用于测量所述曝光装置上的光学元件和所述硅片之间的距离。
20、本专利技术的第四方面提出了一种光刻设备的控制方法，根据上述的光刻设备实施，包括如下步骤：
21、测量光学元件和硅片之间的距离；
22、根据所述距离调整流向所述曝光区域的气体的流量。
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1.一种气浴模块，用于光刻设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的气浴模块，其特征在于，所述环体呈断开式圆环状结构，所述出气面为所述环体的顶面，且所述环体的外周面上设置有至少一个与气源连通的进气口。
3.根据权利要求2所述的气浴模块，其特征在于，沿所述环体的径向方向，所述豁口结构具有投影区域；
4.根据权利要求2所述的气浴模块，其特征在于，所述流道的内部安装有至少一块折流板，且每块折流板的顶部或底部与所述流道的内壁之间具有流通间隙，所述流通间隙将所述流道沿径向分隔形成S形通道，所述进气口位于S形通道的上游，所述出气口位于S形通道的下游。
5.根据权利要求2所述的气浴模块，其特征在于，所述环体的顶部设有凹槽，所述出气口设置在所述凹槽内。
6.根据权利要求1至5任一项所述的气浴模块，其特征在于，所述出气口连接有锥形喷嘴，所述锥形喷嘴的流通截面沿气流方向逐渐递增。
7.一种气浴装置，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的气浴装置，其特征在于，还包括负压模块，所述负压模块，所述负压模块设于
9.一种光刻设备，其特征在于，包括：
10.一种光刻设备的控制方法，其特征在于，根据权利要求9所述的光刻设备实施，包括如下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种气浴模块，用于光刻设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的气浴模块，其特征在于，所述环体呈断开式圆环状结构，所述出气面为所述环体的顶面，且所述环体的外周面上设置有至少一个与气源连通的进气口。
3.根据权利要求2所述的气浴模块，其特征在于，沿所述环体的径向方向，所述豁口结构具有投影区域；
4.根据权利要求2所述的气浴模块，其特征在于，所述流道的内部安装有至少一块折流板，且每块折流板的顶部或底部与所述流道的内壁之间具有流通间隙，所述流通间隙将所述流道沿径向分隔形成s形通道，所述进气口位于s形通道的上游，所述出气口位于s形通道的下...
【专利技术属性】
技术研发人员：王魁波，吴晓斌，罗艳，沙鹏飞，韩晓泉，谢婉露，李慧，谭芳蕊，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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