【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种微孔结构的制造方法及多晶硅的制造方法。
技术介绍
1、针对基于激光结晶的微直拉法结构，一种实现方法是在介质材料上设计微孔阵列，微孔的间距即为结晶化后多晶硅的晶粒的尺寸。这种方法源自于激光熔融结晶过程中的超级横向生长过程。因此，微孔的周期和尺寸对最终结晶的效果影响巨大，特别是微孔的直径，一方面微孔可以平衡熔融过程中的热分布，另一方面，微孔可以作为晶粒过滤器结构，控制微直拉过程中籽晶的数量，降低晶粒内的缺陷。
2、文献报道微孔的直径应当小于100纳米，常规多晶硅的晶粒尺寸在30～50纳米之间，因此微孔直径在50nm以下较为适宜，但是这种尺度如果直接采用光刻的方法，则需要最先进的光刻和硬掩模工艺，这导致实现工艺复杂，制造成本高。
技术实现思路
1、鉴于上述的分析，本专利技术实施例旨在提供一种微孔结构的制造方法及多晶硅的制造方法，用以解决现有的50纳米以下微孔结构制造工艺复杂、成本高的问题。
2、一方面，本专利技术实施例提供了一种微孔结构的...
【技术保护点】
1.一种微孔结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的微孔结构的制造方法，其特征在于，在向所述微坑内填充非晶硅之前，还包括如下步骤：
3.根据权利要求1或2所述的微孔结构的制造方法，其特征在于，所述以所述非晶硅为牺牲层制造出微孔结构包括：
4.根据权利要求2所述的微孔结构的制造方法，其特征在于，所述使用化学机械抛光工艺磨平，露出所述第二介质层包括：
5.根据权利要求1或2所述的微孔结构的制造方法，其特征在于，所述第一介质为二氧化硅，所述第二介质为氮化硅。
6.根据权利要求1或2所述的...
【技术特征摘要】
1.一种微孔结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的微孔结构的制造方法，其特征在于，在向所述微坑内填充非晶硅之前，还包括如下步骤：
3.根据权利要求1或2所述的微孔结构的制造方法，其特征在于，所述以所述非晶硅为牺牲层制造出微孔结构包括：
4.根据权利要求2所述的微孔结构的制造方法，其特征在于，所述使用化学机械抛光工艺磨平，露出所述第二介质层包括：
5.根据权利要求1或2所述的微孔结构的制造方法，其特征在于，所述第一介质为二氧化硅，所述第二介质为氮化硅。
6.根据权利要求1或2所述的微孔结构的制...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘金彪，罗军，李俊峰，杨涛，贺晓彬，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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