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本发明涉及一种微孔结构的制造方法及多晶硅的制造方法，属于半导体技术领域，解决了现有技术中50纳米以下微孔结构制造工艺复杂、成本高的问题。包括如下步骤：在衬底的上方依次形成第一介质层和第二介质层，其中所述第二介质层比所述第一介质层具有更高的液...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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