【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光刻，尤其涉及一种光刻方法、半导体结构以及电子设备。
技术介绍
1、光刻技术是指在光照作用下，借助光刻胶将掩膜版上的图形转移到基片上的技术。主要过程为:首先紫外光通过掩膜版照射到附有一层光刻胶薄膜的基片表面，引起曝光区域的光刻胶发生化学反应；再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域的光刻胶(前者称正性光刻胶，后者称负性光刻胶)，使掩膜版上的图形被复制到光刻胶薄膜上；最后利用刻蚀技术将图形转移到基片上。
2、在光刻工艺中，光刻涂胶厚度均匀性会直接影响光刻效果。随着光刻胶厚度的波动，光刻线宽也会随之波动。因此，要保证光刻图形稳定，就必须提高光刻胶厚度均匀性。目前光刻胶的涂胶方式主要是旋转方式。如果硅片表面有较深台阶(5um以上)时，使用旋转涂胶的方法会导致台阶处无法覆盖光刻胶。涂胶完成后会在台阶处形成气泡，导致光刻胶厚度不均匀。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种光刻方法、半导体结构以及电子设备，以提供一种能够保证台阶处不产生气泡，且能够保证光刻胶厚度均匀的技术方案。
2、第一方面，本专利技术公开了一种光刻方法，应用于具有台阶的衬底中，所述光刻方法包括以下步骤：
3、提供衬底，并利用稀释液浸润所述衬底；
4、在利用稀释液浸润后的所述衬底上形成光刻胶；
5、在预设温度范围和预设时长内，对形成有所述光刻胶的衬底进行处理，以使所述衬底上所述光刻胶中的有机溶剂进行挥发，其中，所述预设温度范围小于或等于60°
6、在采用上述技术方案的情况下，本专利技术提供的光刻方法，先利用稀释液对衬底进行浸润，之后在利用稀释液浸润后的所述衬底上形成光刻胶。应理解，由于，在形成光刻胶前用稀释液对衬底表面进行浸润，并且不进行甩干，直接在浸润液上形成光刻胶来增加光刻胶的流动性，使其更好地流进具有台阶的衬底的凹槽中。进一步的，本专利技术在预设温度范围和预设时长内，对形成有所述光刻胶的衬底进行处理，以使所述衬底上所述光刻胶中的有机溶剂进行挥发，其中，所述预设温度范围小于或等于60°。基于此，可以保证光刻胶中的有机溶剂在低温下挥发，以预防气泡的产生，进而保证光刻胶的厚度均匀性。
7、进一步的，所述稀释液包括丙二醇甲醚醋酸酯溶液或乙二醇单甲醚溶液。
8、进一步的，在利用稀释液浸润后的所述衬底上形成光刻胶包括：
9、在利用稀释液浸润后的所述衬底上，利用喷涂方式形成所述光刻胶。
10、进一步的，在预设温度范围和预设时长内，对形成有所述光刻胶的衬底进行处理，以使所述衬底上所述光刻胶中的有机溶剂进行挥发包括：
11、在烘烤设备中，在预设温度范围和预设时长内，对形成有所述光刻胶的衬底进行烘烤，以使所述衬底上所述光刻胶中的有机溶剂进行挥发。
12、进一步的，所述预设温度范围包括55℃-60℃。
13、进一步的，所述预设时长包括50min-70min。
14、进一步的，在预设温度范围和预设时长内，对形成有所述光刻胶的衬底进行处理，以使所述衬底上所述光刻胶中的有机溶剂进行挥发之前，所述光刻方法还包括：在所述烘烤设备中，所述形成有所述光刻胶的衬底首先从试验温度升高至所述预设温度范围。
15、进一步的，在预设温度范围和预设时长内，对形成有所述光刻胶的衬底进行处理，以使所述衬底上所述光刻胶中的有机溶剂进行挥发之后，所述光刻方法还包括：将所述形成有光刻胶的衬底降温至试验温度。
16、第二方面，本专利技术还提供了一种半导体结构，所述半导体结构包括利用第一方面任一项所述的光刻方法制备的衬底。
17、第三方面，本专利技术还提供了一种电子设备，包括第二方面所述的半导体结构。
18、与现有技术相比，本专利技术第二方面以及第三方面的有益效果与上述技术方案的光刻方法的有益效果相同，此处不做赘述。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种光刻方法，其特征在于，应用于具有台阶的衬底中，所述光刻方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述稀释液包括丙二醇甲醚醋酸酯溶液或乙二醇单甲醚溶液。
3.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，在利用稀释液浸润后的所述衬底上形成光刻胶包括：
4.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，在预设温度范围和预设时长内，对形成有所述光刻胶的衬底进行处理，以使所述衬底上所述光刻胶中的有机溶剂进行挥发包括：
5.根据权利要求4所述的光刻方法，其特征在于，所述预设温度范围包括55℃-60℃。
6.根据权利要求4所述的光刻方法，其特征在于，所述预设时长包括50min-70min。
7.根据权利要求4所述的光刻方法，其特征在于，在预设温度范围和预设时长内，对形成有所述光刻胶的衬底进行处理，以使所述衬底上所述光刻胶中的有机溶剂进行挥发之前，所述光刻方法还包括：在所述烘烤设备中，所述形成有所述光刻胶的衬底从试验温度升高至所述预设温度范围。
8.根据权利要求7所述的光刻方法，其特征在
9.一种半导体结构，其特征在于，包括利用权利要求1-8任一项所述的光刻方法制备的衬底。
10.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求9所述的半导体结构。
...【技术特征摘要】
1.一种光刻方法，其特征在于，应用于具有台阶的衬底中，所述光刻方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述稀释液包括丙二醇甲醚醋酸酯溶液或乙二醇单甲醚溶液。
3.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，在利用稀释液浸润后的所述衬底上形成光刻胶包括：
4.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，在预设温度范围和预设时长内，对形成有所述光刻胶的衬底进行处理，以使所述衬底上所述光刻胶中的有机溶剂进行挥发包括：
5.根据权利要求4所述的光刻方法，其特征在于，所述预设温度范围包括55℃-60℃。
6.根据权利要求4所述的光刻方法，其特征在于，所述预设时长包括50min-70min。
...【专利技术属性】
技术研发人员：贺晓彬，李俊峰，刘金彪，李亭亭，唐波，杨涛，罗军，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。