一种半导体器件及其制造方法技术

本申请提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底，设置于衬底一侧的源极、漏极、栅极和沟道结构，沟道结构包括多个纳米片形成的叠层，栅极环绕纳米片。沟道结构和源极以及漏极之间分别具有隔离结构，这样就可以利用隔离结构抑制亚Fin沟道漏电，从而降低器件关态漏电流。并且隔离结构的材料和纳米片的材料相同，隔离结构的掺杂浓度大于纳米片的掺杂浓度，隔离结构延伸至衬底，这样可以降低源极和漏极之间通过由于衬底形成的底部鳍片进行的能带隧穿导致的漏电流，进一步降低器件关态漏电流，提高器件整体性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。

技术介绍

1、随着半导体技术的发展，集成电路的特征尺寸持续微缩，传统三栅或双栅的鳍式场效应晶体管(fin field-effect transistor，finfet)在3纳米(nm)以下节点受到限制，由于纳米片环栅晶体管(nanosheet-gate all round fin field-effect transistor，nanosheet-gaafet)突破了3nm节点的限制，因此受到广泛关注和研究。

2、nanosheet-gaafet是一种具有环栅结构和水平纳米片(nanosheet，ns)作为导电沟道的新型器件。在栅极控制方面，环栅结构具有比finfet器件结构更好的栅控能力，可以有效抑制器件的短沟道效应，在电流驱动方面，nanosheet-gaafet具有“体反型”的反型载流子，而且有效栅宽的增加和垂直方向的纳米片堆叠设计也可显著增强器件的电流驱动性能。

3、但是当前nanosheet-gaafet具有亚fin沟道，无法在关态下完全抑制亚fin沟道漏电，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，利用所述隔离结构，所述纳米片和所述源极以及所述漏极之间的最大距离大于距离阈值。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，沿着垂直于所述衬底的方向，所述隔离结构的长度大于全部的纳米片和全部的栅极组合之后的长度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，相邻的所述纳米片之间设置有内侧墙，沿着垂直于所述衬底的方向，所述隔离结构远离所述源极或漏极的一侧位于相邻的所述内侧墙之间。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，沿着所...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，利用所述隔离结构，所述纳米片和所述源极以及所述漏极之间的最大距离大于距离阈值。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，沿着垂直于所述衬底的方向，所述隔离结构的长度大于全部的纳米片和全部的栅极组合之后的长度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，相邻的所述纳米片之间设置有内侧墙，沿着垂直于所述衬底的方向，所述隔离结构远离所述源极或漏极的一侧位于相邻的所述内侧墙之间。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，沿着所述源极和所述漏极的连线方向，所述隔离结构和所述内侧墙的交叠部分的最大长度为1nm。

6.根据权利要求4所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张青竹，桑冠荞，殷华湘，李庆坤，田国良，秦旭磊，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：