一种去除高深宽比深槽结构中SU8光刻胶的方法技术

本发明专利技术涉及一种去除高深宽比深槽结构中SU8光刻胶的方法，包括：SU8光刻胶预先去胶处理：将衬底放在N‑甲基吡咯烷酮溶液中，进行水浴处理后，在室温下对放有衬底的N‑甲基吡咯烷酮溶液进行超声清洗，清洗时间0.5～4h，清洗功率为80‑100W；在N‑甲基吡咯烷酮溶液中放入转子，转子与衬底不接触，在磁力搅拌机上搅拌0.5～4h，去除间隙外的胶以及间隙中的部分胶；氧化去除衬底电极间隙SU8胶残余物；去胶后，清洗衬底电极间隙，清除衬底电极间隙中的残留腐蚀液。本发明专利技术减少了SU8光刻胶对后续器件制作工艺的影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种去除高深宽比深槽结构中su8光刻胶的方法，属于光电子器件制造。

技术介绍

1、伴随着光电子器件结构日趋复杂，其结构也变得越来越多样化。其中，高深宽比已成为器件结构的重要参数之一。在新型的光电子器件中已有多种器件具有高深宽比结构，比如高速电光调制器的高深宽比电极结构。由于这类结构具有高深宽比特征，在制作这类结构的过程中需要用到su8光刻胶光刻工艺设计图案，其后续工艺需要将su8胶去除掉；在高深宽比深槽结构中容易残留的su8光刻胶，深槽结构底部不易去除干净su8光刻胶残胶。如果su8胶去除不干净，可导致后续工序不能继续进行，影响器件的下一步制作工艺，并且会严重影响器件的性能。

2、su8光刻胶具有耐腐蚀、机械性能良好、除去困难，大多数su8胶工艺不需要去除胶层，对高深宽比的深槽中的su8光刻胶去除没有形成较好的方法。

技术实现思路

1、本专利技术解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提出一种去除高深宽比深槽结构中su8光刻胶的方法，以有效去除高深宽比深槽结构中残余su8光刻胶，减少s本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种去除高深宽比深槽结构中SU8光刻胶的方法，衬底上有深槽结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种去除高深宽比深槽结构中SU8光刻胶的方法，其特征在于，腐蚀液组分为双氧水和浓硫酸，二者体积比为(100mL～500mL)：(500m～1000mL)。

3.根据权利要求1所述的一种去除高深宽比深槽结构中SU8光刻胶的方法，其特征在于，通过加热温度为60℃～75℃、水浴时间为3～5h的水浴处理，加速N-甲基吡咯烷酮溶液与SU8光刻胶之间溶胀反应。

4.根据权利要求1所述的一种去除高深宽比深槽结构中SU8光刻胶的方法，其特征在于，衬底上的高深...

【技术特征摘要】

1.一种去除高深宽比深槽结构中su8光刻胶的方法，衬底上有深槽结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种去除高深宽比深槽结构中su8光刻胶的方法，其特征在于，腐蚀液组分为双氧水和浓硫酸，二者体积比为(100ml～500ml)：(500m～1000ml)。

3.根据权利要求1所述的一种去除高深宽比深槽结构中su8光刻胶的方法，其特征在于，通过加热温度为60℃～75℃、水浴时间为3～5h的水浴处理，加速n-甲基吡咯烷酮溶液与su8光刻胶之间溶胀反应。

4.根据权利要求1所述的一种去除高深宽比深槽结构中su8光刻胶的方法，其特征在于，衬底上的高深宽比深槽深孔结构深宽比为1～5。

5.根据权利要求1所述的一种去除高深宽比深槽结构中su8光刻胶的方法，其特征在于，衬底上的高深宽比深槽深孔结构中填充su8胶厚度为20微米～40微米。...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐玉亮，刘瑞丹，苏丹，夏君磊，
申请(专利权)人：北京航天时代光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：