【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文中的实现方案是关于光致抗蚀剂材料的处理，具体而言，涉及在半导体制造中、在暴露之后的含金属的光致抗蚀剂材料的处理。
技术介绍
1、半导体器件(例如集成电路)的制造是一种涉及光刻的多步骤工艺。通常，该工艺包括在晶片上沉积材料并通过光刻技术对材料进行图案化以形成半导体器件的结构特征(例如晶体管和电路)。本领域已知的典型光刻工艺的步骤包括：准备衬底；涂敷光致抗蚀剂，例如通过旋涂进行；将光致抗蚀剂以所需图案暴露，使光致抗蚀剂的暴露区域或多或少地溶于显影液；通过应用显影剂溶液去除光致抗蚀剂的经暴露或未暴露区域进行显影；以及随后处理以在衬底的已去除光致抗蚀剂的区域上产生特征，例如通过蚀刻或材料沉积来产生特征。
2、半导体设计的发展创造了对在半导体衬底材料上创造更小的特征的需求，并受到能力的推动。这种技术进步在“摩尔定律”中被表征为密集集成电路中晶体管的密度每两年翻一番。事实上，芯片设计和制造已经取得了进步，使得现代微处理器可能在单个芯片上包含数十亿个晶体管和其他电路特征。此类芯片上的单个特征可能为约22纳米(nm)或更小，在某些情况下
【技术保护点】
1.一种处理含金属极紫外线(EUV)光致抗蚀剂的方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述含金属EUV光致抗蚀剂包括多个EUV暴露部分和多个EUV未暴露部分，其中在所述含氧环境中暴露于所述第一升高的温度和在所述惰性气体环境中暴露于所述第二升高的温度增大在后续干式显影处理中在所述EUV暴露部分与所述EUV未暴露部分之间的蚀刻选择性。
3.根据权利要求2所述的方法，其中在所述含氧环境中暴露于所述第一升高的温度和在所述惰性气体环境中暴露于所述第二升高的温度在所述后续干式显影处理中减小线边缘粗糙度(LER)并且减小剂量比尺寸(DtS)。p>
4.根据权...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种处理含金属极紫外线(euv)光致抗蚀剂的方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述含金属euv光致抗蚀剂包括多个euv暴露部分和多个euv未暴露部分，其中在所述含氧环境中暴露于所述第一升高的温度和在所述惰性气体环境中暴露于所述第二升高的温度增大在后续干式显影处理中在所述euv暴露部分与所述euv未暴露部分之间的蚀刻选择性。
3.根据权利要求2所述的方法，其中在所述含氧环境中暴露于所述第一升高的温度和在所述惰性气体环境中暴露于所述第二升高的温度在所述后续干式显影处理中减小线边缘粗糙度(ler)并且减小剂量比尺寸(dts)。
4.根据权利要求2所述的方法，其还包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其中在暴露于euv辐射与暴露于所述第一升高的温度之间的第一等候时间小于约20分钟，以及其中在暴露于所述第一升高的温度与暴露于所述第二升高的温度之间的第二等候时间小于约1小时。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一升高的温度介于约150℃与约220℃之间，并且所述第二升高的温度介于约220℃与约250℃之间。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述含氧环境包括含氧物质，其中在所述含氧环境中的所述含氧物质的分压为至少约100托。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述含氧环境包括氧(o2)、臭氧(o3)、水(h2o)、过氧化氢(h2o2)、一氧化碳(co)、二氧化碳(co2)或其组合。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述惰性气体环境包括氮(n2)、氦(he)、氖(ne)、氩(ar)、氙(xe...
【专利技术属性】
技术研发人员：萨曼莎·西亚姆华·坦，李达，游正义，金志妍，潘阳，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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