【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及模拟集成电路设计，尤其涉及一种互补输入型双尾动态比较器。
技术介绍
1、比较器是现代集成电路系统中的重要模拟电路模块之一，在ad/da转换系统、汽车电子、生物医疗等领域都有着广泛地使用。比较器作为sar adc中的核心模块，其精度、功耗、速度等指标对整体性能有重要的影响。比较器电路基本工作原理：在比较阶段，利用输入对管的输入电压具有差值，从而产生两个具有差值的电流送入交叉耦合管中，实现电流对电压的放大转换，得到输入对管输入电压的比较结果；在复位阶段，是通过时钟信号clk对输出进行复位，将输出端置于gnd或vdd。
2、动态比较器因其具有比较速度快，无静态功耗，输出轨到轨的优点，在高速低功耗sar adc(逐次逼近寄存器型模拟数字转换器)中具有广泛的应用。而动态比较器其失调电压以及输入等效噪声通常较大，会恶化模数转换器的整体性能。为此提供一种在速度、功耗、噪声方面进行折衷动态比较器的方案也是一个重要的研究课题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种互补输入...
【技术保护点】
1.一种互补输入型双尾动态比较器，其特征在于，包括预放大模块和锁存器模块；所述预放大模块包括负载单元、差分单元以及第一复位单元，所述负载单元与所述差分单元电连接，用于向所述差分单元提供正反馈，所述差分单元为具有NMOS管和PMOS管的混合输入结构，用于接入第一差分输入信号和第二差分输入信号，并将所述第一差分输入信号和第二差分输入信号放大后，输出第一放大信号和第二放大信号，所述第一复位单元与所述差分单元的输出端电连接，用于对所述差分单元的输出端的进行复位；
2.根据权利要求1所述的互补输入型双尾动态比较器，其特征在于，所述差分单元包括第一PMOS管、第二PM...
【技术特征摘要】
1.一种互补输入型双尾动态比较器，其特征在于，包括预放大模块和锁存器模块；所述预放大模块包括负载单元、差分单元以及第一复位单元，所述负载单元与所述差分单元电连接，用于向所述差分单元提供正反馈，所述差分单元为具有nmos管和pmos管的混合输入结构，用于接入第一差分输入信号和第二差分输入信号，并将所述第一差分输入信号和第二差分输入信号放大后，输出第一放大信号和第二放大信号，所述第一复位单元与所述差分单元的输出端电连接，用于对所述差分单元的输出端的进行复位；
2.根据权利要求1所述的互补输入型双尾动态比较器，其特征在于，所述差分单元包括第一pmos管、第二pmos管、第一nmos管和第二nmos管；所述第一pmos管的栅极和所述第一nmos管的栅极接入所述第一差分输入信号，所述第一pmos管的源极和所述第一nmos管的源极与所述负载单元电连接，用于接入所述负载单元提供的正反馈，所述第一pmos管的漏极和所述第一nmos管的漏极电连接后，与所述复位单元电连接，用于输出所述第一放大信号，并根据所述复位单元提供的复位信号进行复位；
3.根据权利要求2所述的互补输入型双尾动态比较器，其特征在于，所述负载单元包括第三pmos管、第四pmos管、第五pmos管以及第六pmos管；所述第三pmos管的源极，所述第四pmos管的源极，所述第五pmos管的源极以及所述第六pmos管的源极均与电源端电连接，所述第三pmos管的漏极和栅极、所述第五pmos管的漏极以及所述第六pmos管的栅极均与所述第一pmos的源极电连接，所述第四pmos管的漏极和栅极、所述第六pmos管的漏极以及所述第五pmos管的栅极均与所述第一pmos的源极电连接，其中，所述第三pmos管的宽长比与所述第四pmos管的宽长比之间的差值小于预设数值、所述第五pmos管的宽长比和所述第六pmos管的宽长比之间的差值小于预设数值。
4.根据权利要求2所述的互补输入型双尾动态比较器，其特征在于，所述第一复位单元包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的源极均与电源端电连接，所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极均与时钟控制信号电连接，所述第一晶体管的漏极与所述第二pmos管的漏极和所述第二nmos管的漏极电连接，所述第一晶体管用于在所述时钟信号的控制下，对所述第二pmos管的漏极和所述第二nmos管的漏极进行复位，所述第二晶体管的漏极与所述第一pmos管的漏极和所述第一nmos管的漏极电连接，所述第二晶体管用于在所述时钟信号的控制下，对所述第一pmos管的漏极和所述第一nmos管的漏极进行复位。
5.根据权利要求2所述的互补输入型双尾动态比较器，其特征在于，所述预放大模块还包括尾电流管，所述尾电流管的漏极所述第一nmos管的源极以及所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：付洁，孙锴，张育镇，李润杰，郭轩，刘新宇，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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