本发明提供了一种生长InP基InAs量子阱的方法。该方法包括：在InP衬底上生长InP缓冲层；在InP缓冲层上生长两侧均包含In1-xGaxAs应力渐变势垒层的InAs量子阱结构；以及在InAs量子阱结构上生长InP盖层。本发明通过在I...

一种基于FPGA的浮点独立源分析算法的电路结构，包括：一内部总线，包含输入总线与输出总线，实现系统内部大块数据的快速交互；一数据接口、一存储器接口、一白化模块和一分离模块，其分别与内部总线中的输入总线与输出总线连接；一迭代更新模块，其分...

本发明公开了一种光纤涡街流量计，该光纤涡街流量计包括：将该光纤激光涡街流量计与被测管道固接的外壳；安装于该外壳内部用以产生涡街的涡街发生体；安装于该外壳内部且平行于流体流动方向用以感受涡街产生的振动的测量膜片；设置于该外壳侧壁的一圆孔；...

一种下转换荧光材料的制备方法，包括如下步骤：步骤1：取一化学通式为的荧光粉或者制备该荧光粉的原材料；步骤2：在荧光粉中加入含有Yb3+的粉末；步骤3：混合搅拌均匀；步骤4：烧结，形成化学通式为下转换荧光材料，完成制备。本发明可以实现量子...

一种基于超声定位的激光加工装置及加工方法，该基于超声定位的激光加工装置，包括：一加工平台；一夹持装置，其位于加工平台的上方，该夹持装置包括横向夹持连接部和纵向夹持连接部，该横向夹持连接部和纵向夹持连接部相互枢接；一激光头，其枢接在夹持装...

一种氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法，包括：在衬底上依次生长N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；减薄衬底；步骤3：在ITO层上面蒸度氧化硅保护膜；在衬底背面蒸度二氧化硅膜，并做出图形，腐蚀掉二氧化硅膜，形成外延片；...

本发明公开了一种面向无线传感网应用的低功耗射频收发装置，包括双工器、射频前端、可变增益复数滤波器、自动频率调谐电路、可编程增益放大器、锁相环频率综合器、数字处理器、存储器、可变增益功率放大器、混频器和低通滤波器；双工器、射频前端、可变增...

一种高出光率倒装结构LED的制作方法，包括：在衬底上依次制作氮化镓成核层、氮化镓缓冲层、n型氮化镓电子注入层、多量子阱层、p型GaN空穴注入层、电流扩展层；用树脂将一临时基板与电流扩展层粘接；将衬底剥离；去掉临时基板，形成基片；对基片进...

一种氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构，包括：一衬底，该衬底的下面开有一沟槽，在沟槽的一侧开有一通孔；一N型掺杂层生长在衬底上，该N型掺杂层的宽度小于衬底的宽度，该N型掺杂层未覆盖衬底上的通孔；一多量子阱发光层生长在N型掺杂层上；一P...

一种激光诱导空气隙发光二极管的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，采用激光器在距衬底上表面30um的内部形成规则网状空气隙；步骤2：在衬底上采用MOCVD方法依次生长成核层、N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；步骤3...

本发明提供了一种制备GaN厚膜垂直结构LED的方法。该方法包括：在衬底的抛光面制备掩模图形，该掩模图形将衬底的抛光面分割为若干个分离的区域，得到图形化的衬底；在图像化的衬底上沉积n型掺杂的GaN厚膜，该GaN厚膜的厚度应当大于掩膜图形的...

本发明提供了一种广告投放系统。该广告投放系统包括：图像采集装置，采集位于广告呈现装置前方预设范围内的图像；数据处理装置，与所述图像采集装置相连接，用于从所述图像采集装置采集的图像中提取广告呈现装置前方广告受众的身份类型信息，选择与该广告...

本发明提供了一种制备微透镜阵列的方法。该方法包括：在镓系半导体衬底上制备腐蚀掩模图形，该腐蚀掩模图形上分布若干的圆孔阵列，该圆孔阵列与待制备微透镜阵列在位置与形状上相对应；在低温下，将具有腐蚀掩模图形的镓系半导体衬底平放入可生成Br2的...

一种基于CCD视觉的激光头高度调节装置及调节方法，该基于CCD视觉的激光头高度调节装置，包括：一加工平台；一夹持装置，其位于加工平台的上方，该夹持装置包括横向夹持连接部和纵向夹持连接部，该横向夹持连接部和纵向夹持连接部相互枢接；一激光头...

一种硅基取样光栅多波长混合激光器阵列的制备方法，包括：在SOI片顶层硅层上制作取样光栅；在硅层上垂直于光栅的方向刻蚀出多个宽度相同的硅波导和两侧的硅挡墙；在所制作的两个硅挡墙远离硅波导的外侧区域蒸发金属层，硅挡墙和金属层之间为过量金属容...

一种制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法，包括：在蓝宝石衬底上依次生长的非故意掺杂氮化镓层上依次生长的n型氮化镓层、量子阱层和p型GaN层；在p型GaN层上沉积PS球层；沉积SiO2层；高温下灼烧，在PS球层的位置得到规整...

一种含有金属纳米颗粒的硅基电致发光器件的制备方法，包括在硅衬底晶片上生长富硅氮化硅层；采用高温退火的方法，使富硅氮化硅层中的富硅形成纳米晶硅，该富硅氮化硅层变为富含纳米晶硅的氮化硅层；定义发光区域，通过干法刻蚀形成有源区域；通过电子束蒸...

一种高光功率密度LED光源模块，包括：一基板；多个LED发光芯片，该多个LED发光芯片制作在基板上，组成LED发光芯片阵列；一聚光器，该聚光器固定在基板上的多个LED发光芯片的上方，将多个LED发光芯片发出的光线汇聚；一散热器，该散热器...

本发明公开了一种基于耦合模式分离的光分束器，包括两条相邻的第一波导(1)和第二波导(2)，可实现2×2的光分束。首先两波导间距逐渐减小且波导尺寸不变构成耦合模式激发区，然后两波导间距逐渐增大且波导尺寸向相反方向变化构成耦合模式分离区。通...

本发明公开了一种SOI基三维交叉波导及其制作方法，利用低温键合技术，在第一层SOI波导上制作多层高折射率波导，且第一路SOI波导的输入、输出部分分别和其上各层波导间构成高效的光学上行、下行耦合结构，顶层波导与第一层波导的第二路或更多路S...