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中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5190项专利
射频低噪声放大器制造技术
本发明提供了射频低噪声放大器。该射频低噪声放大器采用了电流复用的技术,使两组分别由NMOS和PMOS组成的差分对共享静态偏置电流,从而在维持晶体管同样的电压-电流转换能力的基础上节约了静态偏置电流,从而减小了功耗。
单片集成钛薄膜热电阻可调谐DFB激光器的制作方法技术
本发明公开了一种单片集成钛薄膜热电阻可调谐DFB激光器的制作方法,包括:选择一磷化铟衬底1;在该衬底1上依次外延生长缓冲层2、多量子阱有源区3;在多量子阱有源区3的表层采用全息曝光刻蚀制作均匀光栅4;在均匀光栅4上生长包层5和电接触层6...
聚合物太阳能电池及其制备方法技术
本发明提供了一种聚合物太阳能电池及其制备方法。该聚合物太阳能电池包括:衬底;透明导电电极,形成于衬底上;空穴传输层,形成于透明导电电极上,其内镶嵌金属纳米颗粒;光敏层,形成于空穴传输层上;电子传输层,形成于光敏层上,其内含金属纳米颗粒;...
含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池制造技术
一种含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池,包括:一衬底;在衬底上依序制作有低温氮化镓成核层、非故意掺杂氮化镓缓冲层、n型掺杂GaN层、第一非掺杂高In组分量子阱层、第二非掺杂低In组分量子阱层、非掺杂低In组分量子...
利用自组装小球制作用于光刻版的金属网格模板的方法技术
本发明公开了一种利用自组装小球在透明衬底上制作用于光刻版的金属网格模板的方法,包括如下步骤:选择表面平整的透明材料作为透明衬底;在透明衬底上铺上单层自组装密排小球;将单层自组装密排小球刻蚀拉开,形成非密排小球;在非密排小球层上覆盖金属层...
一种谐振腔增强型石墨烯电吸收调制器制造技术
本发明公开了一种谐振腔增强型石墨烯电吸收调制器,该电吸收调制器制作在衬底上,包括:形成于衬底上的下反射镜;形成于下反射镜上的介质缓冲层;形成于介质缓冲层上的单层石墨烯薄膜;形成于单层石墨烯薄膜上的DBR结构的上反射镜;以及形成于单层石墨...
集成化的相干光通信用电光调制器结构制造技术
一种集成化的相干光通信用电光调制器结构,包括:一光分束器,其具有一个输入端,一个多模波导区和四个输出端,该四个输出端所输出光场光强相等,外侧的两个输出光场的相位与居中的两个输出光场的相位相差90度;四个电光调制器,其输入端与光分束器的四...
双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光栅方法技术
一种采用双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光栅方法,包括如下步骤:步骤1:在半导体衬底上依次外延生长下波导层、下光限制层、激光器有源区和上光限制层,获得有光限制层结构的量子级联激光器外延芯片;步骤2:对外延芯片进行清洗;步骤3:在外...
光电探测装置的强光保护模块制造方法及图纸
一种光电探测系统接收端的强光保护模块,包括:一光开关,该光开关接收光信号;一光电探测装置,该光电探测装置的输入端与光开关的输出端连接,将接收到的光信号转为电信号;一控制电路,该控制电路的输入端与光电探测装置的输出端连接,控制电路对光电探...
MOCVD设备反应室进气的气体混合与隔离装置制造方法及图纸
一种MOCVD设备反应室进气的气体混合与隔离装置,包括:一第一气体入口;一第一气体出口;一第一直通阀门的一端与第一气体入口连通,该第一直通阀门的另一端与第一气体出口连通;一第一旁通阀门的一端与第一直通阀门的一端连接;一第二旁通阀门的一端...
双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法技术
本发明公开了一种双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法,该激光器由下至上依次包括n型电极、n型衬底、缓冲层、第一n型下限制层、第一下波导层、第一有源区、第一上波导层、第一p型上限制层、隧穿pn结、第二n型下限制层、第二下波导层、...
基于非对称相移光栅的窄线宽DFB半导体激光器制造技术
一种基于非对称相移光栅的窄线宽DFB半导体激光器,包括:一缓冲层;一下波导层,该下波导层制作在缓冲层上;一多量子阱有源层,该多量子阱有源层制作在下包层上;一光栅层,该光栅层制作在多量子阱有源层上;一上波导层,该上波导层制作在光栅层上;一...
一种雪崩光电探测器和提高雪崩光电探测器高频特性的方法技术
本发明公开了一种雪崩光电探测器和提高雪崩光电探测器高频特征的方法,所述雪崩光电探测器用于探测目标探测光,并包括纵向依次排列的吸收层(8)、第一电荷层(61)、倍增层(5)、第二电荷层(62)和渡越层。吸收层(8)用于吸收目标探测光,将目...
改进p-GaN薄膜欧姆接触的材料结构及其制备方法技术
本发明公开了一种改进p-GaN薄膜欧姆接触的材料结构及其制备方法,该材料结构包括:衬底(1);生长在该衬底(1)上的缓冲层(2);生长在该缓冲层(2)上的n-GaN薄膜层(3);生长在该n-GaN薄膜层(3)上的p-GaN薄膜层(4);...
在硅上集成HEMT器件的方法技术
一种在硅上集成HEMT器件的方法,包括以下步骤:步骤1:采用UHVCVD方法,在硅衬底上生长锗层;步骤2:将生长有锗层的硅衬底放入MOCVD反应室进行高温处理;步骤3:采用低压MOCVD的方法,在锗层上外延生长掺铁的半绝缘层;步骤4:在...
锑作为表面活性剂的InP基InAs量子阱材料的生长方法技术
一种锑作为表面活性剂的InP基InAs量子阱材料的生长方法,包括如下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上生长缓冲层;步骤3:在缓冲层上生长量子阱结构,该量子阱结构引入锑源作为表面活性剂;步骤4:在量子阱结构上生长盖层,完成量子阱的制...
集成有微流控系统的光学微纳生物传感器的制作方法技术方案
本发明公开了一种集成有微流控系统的光学微纳生物传感器的制作方法,包括:清洗基片,在基片顶层上通过光刻、显影、刻蚀等步骤制作微纳平面波导型光学器件;在器件表面旋涂厚SU-8胶,通过对准曝光、后烘、显影等步骤得到SU-8胶微流通道;将PDM...
一种压差式光纤流量计制造技术
本发明公开了一种压差式光纤流量计,该压差式光纤流量计包括:安装于被测管道的导流管;安装于导流管上并且两端均与导流管联通的测量管,以测量流体的流量;安装于测量管内的测力膜片,以在导流管的两端的压力差下产生变形;安装于测力膜片的光纤光栅,以...
用于金属有机化学气相沉积设备的反应室进气装置制造方法及图纸
一种用于金属有机化学气相沉积设备的反应室进气装置,包括:一筒体;一水冷匀气板,该水冷匀气板制作在筒体内;一上盖板,该上盖板固定在筒体上,该上盖板与水冷匀气板之间形成一进气腔室;一气体隔离装置,该气体隔离装置固定在上盖板上,该气体隔离装置...
用于产生多波长多脉冲光纤激光信号的激光器制造技术
一种用于产生多波长多脉冲光纤激光信号的激光器,包括:多个锁模器件,用于产生脉冲信号;一合束组件,该合束组件的输入端分别连接多个锁模器件的输出端,合束组件将多个锁模器件连接入激光器光路中;一增益光纤,该增益光纤的输入端与合束组件的输出端连...
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