一种折射率渐变的光子晶体发光二极管结构，其包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底的上面；一缓冲层，该缓冲层制作在成核层的上面；一n型接触层，该n型接触层制作在缓冲层的上面，该n型接触层的一侧形成有一台面；一活性发光层，该活性发光层制...

本发明公开了一种适用于无源便携式设备的3DES加密算法电路，其包括：全局有限状态机，其用于控制该加密算法电路中各个模块的工作状态；数据初始置换模块，用于完成3DES加密算法中待加密数据的初始置换；密钥初始置换模块，用于完成3DES加密算...

本发明提供了一种光学元件调节座。该光学元件调节座中，第一弹性板胶粘固定光学元件，第一螺纹顶杆调节水平方向角度；第二弹性板利用同样原理调节光学元件竖直方向角度，从而实现了光学元件的二维调节。

本发明公开了一种应用于电化学测量的便携式阻抗谱分析仪，其主要包括：阻抗分析芯片，其用于测量增益系数和待测电化学系统的阻抗数据，并将测得的结果传送给主控制器；反馈电阻网络，其用于向阻抗分析芯片提供不同档位的反馈电阻以及相应的校准电阻；测量...

本发明公开了一种光纤两相流量计，该光纤两相流量计包括：安装于被测管道的外壳；安装于外壳内部的固定梁；安装于固定梁用以测量流量的光纤激光器；以及安装于外壳外部用以测试光纤激光器的检测到的振动信号的解调设备。利用本发明，采用一根光纤激光器沿...

一种基于光纤布拉格光栅的角度应力传感器，包括：一光纤布拉格光栅阵列，该布拉格光纤光栅阵列包括多个不同波长的光纤布拉格光栅组成，且成轴对称分布，每个该布拉格光纤光栅包括栅区部分和非栅区部分；一传感头，该传感头为弹性体，成半圆球形状，光纤布...

一种廉价粉末多晶硅基纳米线的制备方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，采用激光器在距衬底上表面30um的内部形成规则网状空气隙；步骤2：在衬底上采用MOCVD方法依次生长成核层、N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；步骤3：...

本发明提供了一种纳米刻蚀印章。该纳米刻蚀印章包括：印章体，其底面具有待加工纳米图形的反相图形；保护层，至少形成于印章体与腐蚀液接触部分的表面，其材料为抗腐蚀液的材料；以及金属催化层，至少形成于反相图形与待刻蚀衬底接触部分的保护层上，其材...

本发明提供了一种具有光子晶体的白光发光二极管，其包括：衬底、n型接触层、活性发光层、p型接触层，所述活性发光层位于n型接触层和p型接触层中间；所述多孔状光子晶体制作在所述发光二极管的表层，其孔状内部填充有纳米量级的荧光粉，其表面覆盖有透...

一种紫外发光二极管结构，包括：一基底；一N型AlGaN层，其制作在基底上，该N型AlGaN层上面的一侧有一台面；一AlGaN量子阱，其制作在N型AlGaN层没有台面一侧的上面；一P型AlGaN层，其制作在AlGaN量子阱上；一P型GaN...

本发明公开了一种氮化镓系发光二极管，该发光二极管包括至少一层低温插入层。所述插入层是AlxGal-xN，其中0≤x≤1或者InyAl1-yN，其中0≤y≤1或者AlaInbGal-a-bN，其中0≤a＜1，0≤b＜1。所述插入层的生长温...

一种具有应力释放层的绿光LED外延结构及制作方法，其中该LED外延结构，包括：一衬底；一成核层，其制作在衬底上；一缓冲层，其制作在成核层上；一n型接触层，其制作在缓冲层上；一多量子阱有源区，其制作在n型接触层上面的一侧，另一侧形成一台面...

一种制备低密度、长波长InAs/GaAs量子点的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上淀积生长缓冲层；步骤3：在缓冲层上淀积生长InAs层，未到临界厚度时暂停淀积生长；步骤4：将生长有InAs层的衬底退火；步骤5：将退火...

本实用新型公开了一种差动式光纤土压计，该差动式光纤土压计包括：压力盒(10)，为中空的圆饼形结构；圆形的盒盖(20)，设置于压力盒(10)的上端，密封压力盒(10)；设置于压力盒(10)内部第一支撑柱(30)和第二支撑柱(31)，二者与...

本实用新型公开了一种基于双L型梁的光纤光栅土压力传感器，包括：盒体，为饼状筒形结构，其顶部内表面具有直接感受外界土压力信号的一个承压膜片；安装于盒体内部的两个支撑轴；安装于两个支撑轴上的两个L型梁，每个L型梁均具有竖直方向部分和水平方向...

本发明公开了一种在Si基上制备InP基HEMT的方法，包括步骤S1：在硅衬底上生长SiO2层；步骤S2：刻蚀所述SiO2层，以在该SiO2层上形成多个沟槽，并使沟槽底部露出所述硅衬底；步骤S3：采用低压MOCVD工艺在所述沟槽内依次生长...

本发明公开了一种自动调节电容式MEMS陀螺仪的检测端谐振频率的电路，所述电容式MEMS陀螺仪包括中心质量块、驱动端和检测端，驱动端包括驱动端电极，检测端包括检测端电极，所述检测端电极具有一输入端，该输入端用于输入一偏置电压(Vi)，以在...

一种具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上面；一非有意掺杂高阻层，该非有意掺杂高阻层制作在成核层上面；一非有意掺杂高迁移率沟道层，该非有意掺杂高迁移率沟道层制作在非有意掺杂高阻层上面；一非...

本发明公开了一种混合硅基回音壁模式微腔激光器，适用于硅基光子集成芯片的光源部分。该微腔激光器包括硅基波导部分和III-V族半导体增益部分，III-V族半导体增益部分形成于硅基波导部分之上，硅基部分采用硅/二氧化硅/硅，即所谓SOI结构，...

本发明公开了一种滤波式波长可调谐外腔激光器，其可在一定波长范围内任意控制激射波长，包括：宽带光源、准直透镜、第一双折射元件、第二双折射元件、第一半波片、第二半波片、干涉滤光片、会聚透镜和光纤，所述超辐射发光管包括宽带光源，其发出的光经准...