中国科学院半导体研究所专利技术

中国科学院半导体研究所共有5201项专利

  • 生长氧化锌纳米棒阵列的方法
    本发明提供一种生长氧化锌纳米棒阵列的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在MOCVD设备中利用载气通入锌源,在衬底上生长一层锌隔离层;步骤3:在MOCVD设备中利用载气通入锌源和氧气,使得在锌隔离层上得到氧化锌纳米...
  • 氧化锌一维纳米材料的制备方法
    一种制备氧化锌一维纳米材料的方法,其特征在于,其制备方法如下:(1)将等摩尔的无机锌盐和硫化钠分别加入到水/醇的二元溶液中,搅拌形成均匀溶液;(2)在搅拌条件下,将硫化钠溶液逐滴加入到无机锌盐溶液中,反应形成硫化锌沉淀;(3)将生成的沉...
  • 采用氢致自催化法生长含铟氮化物纳米材料的方法
    本发明涉及半导体材料生长技术领域,公开了一种采用氢致自催化法生长含铟氮化物纳米材料的方法,该方法包括:加热反应室,当反应室温度升到生长温度时,利用氢气和氮气为载气将含有铟源的反应物与氨气通入到反应室中进行反应,同时控制氢气和氮气的比例,...
  • 本发明单相钆硅化合物以及制备方法,涉及稀土硅化物材料。一种单相钆硅化合物,是在硅衬底上制备的钆硅化合物薄膜材料,其中仅含有正交的钆二硅(GdSi↓[2])相,是单晶形式或是多晶的形式。其制备方法,包括以下步骤:(1)选择适当的半导体衬底...
  • 一种纳米尺寸空气槽的制作方法,其特征在于,包括以下步骤: 光刻步骤,在顶层为硅材料,底层为任意材料的衬底表面,利用光刻技术将曝光图形转移到光刻胶上; 刻蚀步骤,采用光刻胶作掩模,利用干法刻蚀技术对顶层硅材料进行刻蚀,形成纵向刻蚀 ...
  • 本发明属于纳米器件制造工艺技术领域,具体涉及硅纳米线一种制备工艺。其特征在于,在硅衬底上形成硅金纳米合金粒或金溶胶粒,从而可能在PECVD系统下生长硅纳米线。具体步骤为:(1)在硅衬底上用物理方法形成硅金纳米粒,或者用化学方法形成金溶胶...
  • 一种磷化铟衬底上制备量子线阵列的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤A:将半绝缘磷化铟衬底进行脱氧处理;步骤B:在进行脱氧处理后的半绝缘磷化铟衬底上生长一层缓冲层,该缓冲层与磷化铟衬底晶格匹配;步骤C:在缓冲层上生长量子线和间隔层;步骤...
  • 本发明是一种用于MEMS的碳化硅微通道、微通道阵列及其制备方法,它涉及半导体工艺加工衬底和化学气相沉积方法制备碳化硅。本发明在衬底上用半导体工艺刻蚀出凹槽微结构,凹槽之间留出台面,凹槽和台面的几何尺寸包括深度、宽度和长度以及它们的分布方...
  • 一种能够产生彩色光纹的透明膜片,其主要特征为在一层透明膜或透明片的表面,形成有一个或多个均匀密集的微点分布区。不同的微点分布区之间,微点的形状、尺寸、取向和间距至少有一项有明显差异。若以不同的微点分布区组成预先设计的图案或文字,在白色光...
  • 本发明涉及切割控制技术领域,特别是一种多线切割载荷控制方法。特点是它借助传感器测量工件所受来自切割钢线的载荷压力,在切割全过程或部分过程中使用以载荷压力为参数来调整切割进给速度、钢线速度的方式,载荷压力的值可以预先设定,或者在切割过程中...
  • 一种便于握持的光纤手柄的结构,其中包括:一手柄头,该手柄头为锥状结构,手柄头为中空,在其尾端有内螺纹;一手柄主体,包括:一手柄外套管,手柄外套管为中空,且前端的内径大于后端,在手柄外套管的前端有外螺纹;一光纤导管为中空;一压缩弹簧置于手...
  • 一种自动搅拌滴料桶装置,包括:一滴料桶,该滴料桶为一桶状,在该滴料桶的一端开有一圆孔;一研磨液通道,该研磨液通道为一管状,其两端的开口分别与通道垂直、分居通道两侧,该研磨液通道位于滴料桶内,固定在滴料桶内的一侧,且其两端开口分别延伸到滴...
  • 本实用新型一种磨抛机自动滴研磨液装置,包括:一漏斗;一软管,该软管与漏斗下端连接;一控制开关,该控制开关位于软管上。该控制开关包括:一滑块,该滑块大致为一梯形,该滑块中间有一孔,该滑块梯形的斜面平行有一滑槽,在滑槽装有一压轮,该压轮压制...
  • 一种双面抛光机,包括:内齿圈和外齿圈,所述内齿圈设置于外齿圈内中心位置处;上抛光盘和下抛光盘,所述上抛光盘和下抛光盘呈圆环形,环绕内齿圈而设置在内齿圈和外齿圈之间;以及至少一个单面抛光用晶片固定盘,贴附多个被加工的晶片;其特征在于,所述...
  • 本实用新型公开了一种适用于半导体材料制备中清除有毒的砷、磷粉末的粉尘清除器,包括粉尘导管、法兰盘、孔板、过滤室、袋状过滤膜、出口导管和离心式抽风机。含有粉尘的气体在离心式抽风机的作用下,通过粉尘导管和孔板进入袋状过滤膜的袋口,再从过滤膜...
  • 一种扩散型兆声波清洗槽,其特征在于,包括:一清洗槽;一兆声阵列,该兆声阵列装在清洗槽的底部下面;一半球体能量扩散结构阵列,该半球体能量扩散结构阵列安装在清洗槽的底部上面,该兆声阵列与半球体能量扩散结构阵列相互对应。本发明的扩散型兆声波清...
  • 本发明公开了一种处理半导体工艺中产生的含砷及砷化合物的废气的方法。首先去除废气中的油蒸汽,然后用KIO↓[3]、KI和H↓[2]SO↓[4]混合溶液对废气进行鼓泡、逆向喷淋处理,再分别用CuSO↓[4]、H↓[2]SO↓[4]混合溶液、...
  • 本发明一种用于对有机材料进行提纯的升华提纯装置,提纯装置包括:一支撑架,该支撑架包括一台面,台面上纵向有一滑道;一真空部分,该真空部分位于支撑架台面的一侧;一加热炉,该加热炉位于支撑架台面上方的滑道上;一提纯部分,该提纯部分的一端与真空...
  • 一种带位置稳定结构的针状神经微电极,其特征在于,包括:一电极体,该电极体为针状,有一前端及一尾端,在该电极体靠近尾端的一侧的外壁上沿相同截面处固定有多个凸起;多个电极点,多个电极点涂布于电极体的表面,该每一电极体均用涂布于电极体表面的传...
  • 一种硅V形槽板,其特征在于,包括:一硅底板,该硅底板为长方体,在其上面的一侧开有一端部贯通的凹槽;在凹槽的另一侧纵向开有多个V形槽。该硅V形槽板便于获得方便可控的电极排布及定位,所制作的电极阵列用于大脑皮层植入提取神经电信号。