本发明提出了一种在氧化硅上制备低阻碳化硅的方法。本发明主要包括：（１）在衬底上生长氧化硅层；（２）在氧化硅上采用低压化学气相沉积方法生长碳化硅。碳化硅生长采用乙烯（或丙烷）和硅烷作为源气体，优化生长条件得到良好形貌的碳化硅层。同时采用原...

本实用新型公开了一种用于半导工艺、具有全平滑侧壁的卧式矩形化学气相淀积反应管。这种反应管的扩展区两侧壁面与其矩形反应区两侧壁面之间有缓曲的界面。它可以避免在反应管内形成离壁返回涡流，为确保淀积层的质量控制创造了良好的条件。

本实用新型涉及一种真空镀膜机加热装置，包括：一加热片，该加热片为一片体，该加热片为连续折线形，该加热片的两端均有一接脚；一薄形盒体，该薄形盒体为矩形，该薄形盒体的一端为开口，该薄形盒体内部空间大于加热片；该加热片容置在薄形盒体内，该加热...

一种高频感应加热的化学反应腔装置，具有由内外套设的外层套管和内反应管，一加热载体设置于内反应管的管内中段。在内反应管外壁和外层套管内壁之间的空腔内位于加热载体下方位置处局部设置隔热板，以减少加热载体向管外的热辐射，从而提高加热载体的工作...

一种气源炉瞬态开关控制真空装置，其特征在于，其中包括：　　　　一不锈钢超高真空腔体；　　　　一气动阀，该气动阀与不锈钢超高真空腔体的一端连接；　　　　一气态束源炉，该气态束源炉安装在不锈钢超高真空腔体内；　　　　一气动阀门，该气动阀门与...

一种磁控溅射靶制造方法使用的模具，其特征在于，包括：一套筒，该套筒为管状，其一端的内侧有一圈凹缺；一圆柱体，该圆柱体的直径与套筒的内径相同，该圆柱体容置在套筒内；一靶托，该靶托为盘状，中间有一凹部，其直径与套筒下部的凹缺的内径相同，该靶...

一种磁控溅射方法制备碳化硅薄膜工艺，其特征在于，包括如下步骤：　　　　１）选择Ｓｉ单晶为衬底材料，选择碳化硅为靶材；　　　　２）将Ｓｉ单晶衬底材料送入磁控溅射仪；　　　　３）加温，生长碳化硅薄膜；　　　　４）退火；　　　　５）完成制备碳...

本发明一种低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法，其特征在于：氧化物薄膜材料的沉积生长步骤如下：将氧化物靶材及清洗后的衬底置入生长室；将生长室抽真空；利用脉冲激光辐照氧化物靶材，同时用低能离子束装置产生的低能氧离子束轰击衬底，低能...

本发明设计涉及到半导体设备制造技术领域，特别是涉及金属有机物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）设备中的多层流反应室结构。该结构有多层气流，包括至少一层原材料气流层，一层隔离气流层，或／和反应室天棚的控温装置。原材料气流层紧贴着衬底，其中原材料通...

本发明提供一种制备金属铪薄膜材料的方法。利用具有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备，以纯度要求不高的低成本氯化铪为原材料，在用单束同位素纯低能氩离子轰击溅射清洗过的洁净衬底上，先用产生的同位素纯低能金属铪离子束和氮离子...

本发明提供一种制备二元稀土化合物薄膜材料的方法。利用低能双离子束沉积设备的质量分离功能与荷能离子沉积特点，以纯度要求不高的稀土氯化物作为Ⅰ束伯纳斯型固体离子源的原材料，产生一束同位素纯低能稀土元素离子，并与Ⅱ束伯纳斯型气体离子源产生的与...

本发明是制备金属锆薄膜材料的方法，属于半导体技术领域。该方法利用有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备，以纯度不高的低成本氯化锆为原材料，在用单束的同位素纯低能氩离子轰击清洗过的洁净衬底上，先用产生的同位素纯低能金属锆离...

对于金属有机物化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）设备，特别是生产型金属有机物化学气相沉积设备，在生长完材料后烘烤石墨基座的过程中，反应室内沉积物特别是石墨基座上的沉积物受热蒸发上升，上升到反应室天棚时，由于温度差石墨沉积物会受冷再次沉积在天棚上...

一种在硅衬底上采用磁控溅射法制备氮化铝材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：选择硅单晶为衬底材料，选择铝或者氮化铝靶材为靶材；步骤２：将硅单晶衬底材料送入磁控溅射仪；步骤３：调整生长室气氛，调整氮气与氩气比例以及气体压力；步骤４...

本发明一种利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法，其特征包括如下步骤：步骤１：选取一衬底；步骤２：在衬底（００１）晶面上采用金属有机物化学气相沉积的方法高温生长氧化铝薄膜；步骤３：在氧化铝薄膜上低温生长氧化锌薄膜。

本发明金属有机物化学气相淀积设备反应室中的公转自转机构，涉及半导体设备制造领域，特别是涉及金属有机物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）设备中的衬底基座旋转机构。该金属有机物化学气相淀积设备中的公转自转机构：（１）该反应室中的大石墨舟围绕一公共固...

本发明属于光学薄膜技术领域，本发明涉及一种用电子束蒸发技术提高硅膜层致密性的制备方法，制备过程中，采用高真空下双枪电子束同时分别蒸镀硅和二氧化硅两种膜料实现，蒸发过程中，要严格控制两种膜料的淀积速率比，当淀积速率比小于３．５左右时，致密...

本发明一种制备网状纳米阵列铁磁性薄膜的物理气相沉积方法，其特征在于，包括如下步骤：１）选择基底材料，选择锰金属和锑金属为源；２）将基底材料和锰、锑源材料送入生长炉；３）抽真空，控制锰源和锑源的温度和生长时间；４）退火；５）完成薄膜的制备...

一种低损伤ＰＥＣＶＤ沉积致密的ＳｉＯ↓［２］掩膜层的方法，其特征在于，其包括如下的步骤：步骤１：清洗ＧａＮ基片；ＧａＮ基片用清洗液清洗并吹干；步骤２：沉积ＳｉＯ↓［２］掩蔽层：将经过清洗和吹干后的ＧａＮ基片，放入ＰＥＣＶＤ真空室内，进行...

本发明一种高纯氧化锌的化学气相沉积装置，其特征在于，包括：一气相沉积反应室，该气相沉积反应室的上部有一尾气出口；一锌舟，该锌舟由支架固定在气相沉积反应室内，该锌舟的上部为氧化锌的沉积区域；一恒温槽，该恒温槽内装有去离子水；一阀门，该阀门...